Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. 01вариант

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BEBEAC78-9D3D-40AF-8F8F-73E1559B32C1.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 01.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Фотодиод со структурой р-i-n
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней лямдагр.
Тип материала Германий
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. Вариант 1 (отображаемая цифра 1)
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Тип светодиода АЛ102В
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Роль Национального Банка Казахстана в денежно-кредитном регулировании экономики
Введение 1. Теоретические аспекты денежно-кредитного регулирования 1.1 Основы денежно-кредитного регулирования, цели и объекты 1.2 Национальный Банк – центральный банк страны 2. Оценка роли Национального Банка Казахстана в денежно-кредитном регулировании экономики 2.1 Инструменты денежно-кредитной политики Национального Банка 2.2 Анализ инструментов денежно-кредитной политики 2.3 Анализ денежно-кредитной политики Национального Банка за 2008 – 2009 г.г. 3. Основные направления денежно-кре
User alfFRED : 29 августа 2013
10 руб.
Лабораторная работа №5 по дисциплине: «Электропитание устройств и систем телекоммуникаций» Вариант №7.
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ СТАБИЛИЗАТОР Цель работы: изучение процессов в схеме параметрического стабилизатора напряжения постоянного тока и оценка влияния параметров стабилитрона на характеристики стабилизатора в целом. Область оптимальной работы стабилизатора: (9,6 – 24) B. Рассчитаем КПД для ПСН + УПТ и отдельно для ПСН. Найдем коэффициенты стабилизации по входному напряжению в рабочей области, если...
User dimon13889 : 6 мая 2014
99 руб.
Деталь Сетчатый корпус СВАБА ДЛЯ СВАБИРОВАНИЯ СКВАЖИН
Деталь Сетчатый корпус СВАБА ДЛЯ СВАБИРОВАНИЯ СКВАЖИН-Деталь-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас 3D -CDW, Autocad Autodesk-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
167 руб.
Деталь Сетчатый корпус СВАБА ДЛЯ СВАБИРОВАНИЯ СКВАЖИН
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 5 Вариант 05
Определить направление движения реальной жидкости и вид местного сопротивления в наклонном трубопроводе при следующих исходных данных для сечений 1-1 и 2-2: геометрические высоты сечений z1, z2; манометрические давления р1, р2; диаметры трубопровода d1 = 200 мм, d2 = 120 мм; расход жидкости Q, кинематический коэффициент вязкости жидкости ν = 10⸱10-6 м²/с, которому соответствует жидкость с плотностью ρ = 850 кг/м³.
User Z24 : 9 марта 2026
200 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 5 Вариант 05
up Наверх