Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. 01вариант
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
18.02.2012
-
Размер:
308 KB
-
Покупок:
116
-
Добавил:
ev-kazanceva
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
BEBEAC78-9D3D-40AF-8F8F-73E1559B32C1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вариант 01.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Фотодиод со структурой р-i-n
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней лямдагр.
Тип материала Германий
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. Вариант 1 (отображаемая цифра 1)
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Тип светодиода АЛ102В
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Фотодиод со структурой р-i-n
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней лямдагр.
Тип материала Германий
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. Вариант 1 (отображаемая цифра 1)
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Тип светодиода АЛ102В
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Вариант №38
IT-STUDHELP
: 3 октября 2023
Вариант No38
Вариант
38 1.4 1.8 2.1 2.3 3.10 3.27 4.1 4.8 5.18 5.83
------------------------------------------------------------------------------
Задача No 3.1.4
Определить дину нихромовой проволоки диаметром 0,5 мм, используемой для изготовления нагревательного устройства с сопротивлением 20 Ом при температуре 1000 °С, полагая, что при 20°С параметры нихрома: удельное сопротивление 1 мкОм∙м, температурный коэффициент удельного сопротивления 0,00015 К-1, температурный коэффициент линейного ра
IT-STUDHELP
: 3 октября 2023
490 руб.
Потребительский кредит в Республике Беларусь
alfFRED
: 4 ноября 2012
Введение
Многие фирмы, чтобы поддерживать свою конкурентоспособность на рынке и сохранить или увеличить долю рынка, продают свои товары и оказывают услуги в кредит.
Под кредитом обычно понимается обязательство покупателя оплатить товары или услуги, предоставленные продавцом в течение определенного промежутка времени. [1]
Развитие этого вида финансирования начинается в 20-е гг. и совпадает с началом массового производства автомобилей. Кредит с рассрочкой платежа стал основой развития рынка автомо
alfFRED
: 4 ноября 2012
10 руб.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по Общей Теории связи
007
: 2 мая 2020
К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение:
u(t)=U_m1 cos(ω_1 t)+U_m2 cos(ω_2 t)
Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом:
i_c=a_0+a_1 u+a_2 u^2
Где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток;
u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение.
Требуется:
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных варианта.
Исходные данные:
Вари
007
: 2 мая 2020
350 руб.
Пособия по временной нетрудоспособности
alfFRED
: 4 ноября 2012
Содержание
Введение
1. Временная нетрудоспособность как одно из оснований назначения пособий по праву социального обеспечения
1.1 Понятие и виды временной нетрудоспособности
1.2 Характеристика видов действительной" временной нетрудоспособности
1.3 Характеристика видов "условной" временной нетрудоспособности
2. Пособия по временной нетрудоспособности по праву социального обеспечения РФ
2.1 Понятие и виды пособий по временной нетрудоспособности
2.2 Круг лиц, имеющих право на пособие по временной н
alfFRED
: 4 ноября 2012
19 руб.
