Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. 01вариант

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BEBEAC78-9D3D-40AF-8F8F-73E1559B32C1.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 01.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Фотодиод со структурой р-i-n
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней лямдагр.
Тип материала Германий
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. Вариант 1 (отображаемая цифра 1)
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Тип светодиода АЛ102В
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
User Богарт : 2 июня 2011
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Экологическое образование младших школьников на основе межпрдметных связей
Введение…………………………………………………………………………..1 Классификация межпредметных связей………………………………….2 Этапы интеграции………………………………………………………….8 Межпредметные связи - основной принцип экологического образования………………………………………………………………………….12 Заключение……………………………………………………………………….23 Список литературы………………………………………………………………24 Приложение……………………………………………………………………....26 Введение Актуальность проблемы исследования: межпредметные связи в школьном обучении являются конкретным выражением интеграционных проце
User Elfa254 : 22 ноября 2013
5 руб.
Лабораторная работа № 5 по дисциплине: Организация ЭВМ и систем.Исследование организации переходов в программе
Исследование организации переходов в программе 3.2. Подготовить ответы на контрольные вопросы. 3.3. Проанализировать приведенную ниже программу CHANGE, дополнить каждую команду комментарием. 3.4. Ввести свой собственный текст на английском языке, содержащий строчные и заглавные буквы. 3.5. Изменить программу так, чтобы в соответствии с вариантом задания КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 4.1. Назовите три типа команды безусловного перехода. 4.2. Какой может быть длина перехода в разных типах команды JMP? 4.3
User РешуВашуРаботу : 5 ноября 2011
350 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.4 Вариант 0
Перепад уровней ртути в левом и правом коленах ртутного манометра равен hр (рис. 1.1). Возвышение уровня воды над поверхностью ртути в левом колене манометра равно H. Определить величину абсолютного давления р0 и высоту вакуума h для точки, взятой на поверхности воды в сосуде. Плотность ртути принять равной ρр=13600 кг/м³. Атмосферное давление принять равным рат=98 кПа.
User Z24 : 9 декабря 2025
160 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.4 Вариант 0
Термодинамический цикл 1 Вариант 17
Определить: 1 Параметры в характерных точках цикла р, υ, Т. 2 Средние массовые теплоемкости в процессах цикла. 3 Термодинамическую l и потенциальную работу ω, теплоту q, изменение внутренней энергии Δu, энтальпии Δh и энтропии ΔS в процессах цикла, работу цикла lц,термический к.п.д. цикла ηt. 4 Построить цикл в координатах P-V и T-S.
User Z24 : 28 сентября 2025
800 руб.
Термодинамический цикл 1 Вариант 17
up Наверх