Разработка интегрального аналогового устройства

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 855C874C-F24E-4BFA-8DD6-BBE9064B6DF1.rar [ 176 KB ]
material.view.file_icon 33 вариант Схемотехника.doc [ 415 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание
Техническое задание………………………………………………………………….2
Введение………………………………………………………………………………3
1.Разработка структурной схемы……………………………………………………5
2.Разработка принципиальной схемы………………………………………………6
2.1 Электрический расчет…………………………………………………………….7
2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ………………………………………..11
3.Разработка интегральной схемы………………………………………………….15
4.Этапы изготовления ГИМС……………………………………………………….18
Заключение…………………………………………………………………………..20
Литература…………………………………………………………………………...21

Дополнительная информация

2011, Хаптаев А.П, оценка "ОТЛИЧНО", вариант 33

Похожие материалы

Разработка интегрального аналогового устройства
Вариант №10; По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А. UПИТ = -10 В; Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз; Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм; Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм; Номинальное напряжение UНОМ = 2 В; Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц; Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц; Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ; Коэффициент частотных искажений на верх
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Mikhasolodovnik : 11 февраля 2019
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Введение 4 1. Разработка структурной схемы 7 2. Разработка принципиальной схемы 8 3. Разработка интегральной микросхемы 10 3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10 4. Расчёт первого каскада на VT1 13 5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14 6. Расчет АЧХ. 15 7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16 8. Этапы изготовления ГИМС 21 Литература 24
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Adam : 26 сентября 2017
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Исходные данные: 1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13. 3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм. 4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм. 5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В. 6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц. 7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ. 10. Тип входа - Н. 11. Тип выхода - С.
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Эрик4 : 9 апреля 2017
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Исходные данные курсовой работы: Напряжение источника питания U_пит=-12 В; Коэффициент усиления по напряжению K_u=8; Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм; Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм; Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В; Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц; Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц; Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ; Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ; Тип входа – несимметричный; Тип выхода – несимметричный.
******* Не известно Электроника Работа Курсовая
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02 1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6. 3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм. 4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм. 5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В. 6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц. 7. Верхняя рабочая частота: FВ
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User nik5590585 : 22 января 2015
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Содержание Техническое задание…………………………………………………………….3 Введение………………………………………………………………………….4 1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5 2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12 4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………….……....12
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Amor : 10 июня 2013
150 руб.
promo
Разработка интегрального аналогового устройства
Курсовая работа сдана на "4" Вариант 06 Содержание: Техническое задание…………………………………………………… Введение………………………………………………………………..... 1. Разработка структурной схемы…………………………………… 2. Разработка принципиальной схемы....……………………………. 3. Разработка интегральной микросхемы…………………………... 3.1. Электрический расчет…………………………………………….. 3.2. Расчёт элементов определяющие АЧХ………………………... 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………... 5 Этапы изготовления устройства в виде гибридной Интегральной микросхемы……
Схемотехника СибГУТИ Работа Курсовая
User paandreevna : 28 февраля 2012
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Содержание Техническое задание………………………………………………………………......3 Введение…………………………………………………………………………………4 1. Разработка структурной схемы…………………………………………..4 2. Разработка принципиальной схемы………………………………………6 3. Разработка интегральной микросхемы…………………………………13 3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов………………………………………………………………….................13 3.2 Разработка топологии…………….………………………………………….14 3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной м
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User levis434 : 17 января 2012
50 руб.

Другие работы

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 по дисциплине «Основы теории цепей». вариант №80
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 Задача 1.1 Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей. На рис. 3.1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 3.1 и 3.2 соответственно. Таблица 3.1 Варианты Е, В Iг, А R1, Ом R2, Ом R3, Ом R4, Ом R5, Ом R6, Ом Rx от 80 до 89 12 2 4 8 12 16 20 24 R4 Выполните следующее: 1. Перерисуйте схему
Основы теории цепей ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User олег13 : 6 декабря 2020
450 руб.
Лабораторная работа №1-2. Вариант №09. Методология оценки безопасности информационных технологий
Тема: «Использование Microsoft Security Assessment Tool (MSAT)» Проведение оценки рисков информационной безопасности на базе продукта «R-Vision: SGRC»
ДО СИБГУТИ Методология оценки безопасности информационных технологий Работа Лабораторная
User Андрей124 : 22 февраля 2021
40 руб.
Проектирование сложных логических структур на МДП-транзисторах
В базовом TTL-элементе логические операции осуществляются транзисторами, чем определяется название типа логики: транзисторно-транзисторная. Разработка технологии изготовления многоэмиттерного транзистора (МЭТ), который легко реализуется методами интегральной технологии, послужила определяющим фактором в создании ряда серий ИМС транзисторно-транзисторной логики. Многоэмиттерный транзистор представляет собой интегральный элемент, объединяющий преимущества диодных логических схем и транзисторного у
Электроника Работа Расчетная
User ostah : 6 декабря 2012
15 руб.
Математический анализ. Экзамен. Билет №1 Семестр 1
1. Комплексные числа, формы записи, действия над комплексными в алгебраической форме.2. Геометрический и физический смысл производной. Уравнение касательной к линии.3. Вычислить предел 4. Найти точки экстремума функции Найти интеграл
Шпаргалки к экзаменационным билетам Математика СибГУТИ
User kotyra : 4 февраля 2009
up Наверх