Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 11

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BA5A59FD-B199-4F57-8404-242670B41EAB.doc [ 256 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Тип ПП материала Si
Квантовая эффективность, η 0,7
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1,12

Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности

Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Тип светодиода АЛ316А
Напряжение питания Uпит, В 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 680

Дополнительная информация

Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.03.2012

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User costafel : 15 сентября 2015
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12 Задача
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User natin83 : 31 января 2015
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Решение: Структура фотодиода Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User konst1992 : 31 января 2018
90 руб.
Контрольная работа по "Устройства оптоэлектроники" 11 вариант
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод на основе р-n перехода Фотодиод со структурой р-i-n Фотодиод с барьером Шоттки Фотодиод с гетероструктурой Лавинный фотодиод Фотодиод- транзистор Составной фототранзистор Фототранзистор Фототиристор Фоторезистор Задача № 2 Определить длинноволновую границу фото
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Svarog : 28 января 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User cotikbant : 13 сентября 2017
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.

Другие работы

Экзамен по дисциплине: Компьютерное моделирование. Билет 6
Экзаменационный билет №6 1. Понятие комплексной огибающей. Связь комплексной огибающей и действительного модулированного сигнала. Квадратурное смешивание. 2. Имитационное моделирование. Преимущества и недостатки. Случайные величины и их характеристики 3. Укажите первые три ненулевые аналитические частоты ДПФ, если в преобразовании участвуют 250 отсчетов, взятых с частотой дискретизации 1 кГц.
Компьютерное моделирование ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User xtrail : 31 августа 2025
400 руб.
promo
Понятие социального государства, его структура и функции
Введение 1. Понятие социального государства, его структура и функции 2. Сущность и цели социальной политики 2.1 Субъекты социальной политики 2.2 Цели и задачи социальной политики государства 3. Основные направления социальной политики РФ Заключение Список литературы Введение Одно из главных положений российской Конституции состоит в том, что принята она во имя человека, права и свободы которого являются высшей ценностью, а их защита — обязанностью государства (статья 2)[1]. В статье 7 устанавли
Рефераты Социология
User alfFRED : 8 сентября 2013
5 руб.
Лабораторная работа № 4. Волоконно-оптические системы передачи. Оптические усилители. Вариант № 4
Цель работы: изучение конструкций, знакомство с принципом действия и исследование характеристик оптических усилителей ВОСП. Задание 1 Проверка знаний Задание 2 Исследование схемы Задание 3 Ответить на контрольные вопросы Вопрос 1 Если на вход усилителя подать мощность 100 мкВт, то какая мощность будет на выходе? Вопрос 2 От чего зависят характеристики эрбиевых усилителей? Вопрос 3 Перечислить достоинства и недостатки эрбиевых ВОУ. Вопрос 4 Схемы накачки эрбиевых ВОУ и их характеристики. Вопро
СибГУТИ Волоконно-оптические системы связи Работа Лабораторная
User Fiorent87 : 10 июня 2012
120 руб.
Лабораторная работа № 4. Волоконно-оптические системы передачи. Оптические усилители. Вариант № 4
Задание 54 Вариант 4 пересечения поверхностей цилиндра и призмы
Задание 54 Вариант 4 пересечения поверхностей цилиндра и призмы Построить линии пересечения поверхностей цилиндра и призмы и аксонометрическую проекцию. d=52 мм h=70 мм h1=56 мм e=14 мм a=60 мм k=70 мм Выполнено в компасе 3D V13. Чертеж выполнен на формате А3 + 3Д модель Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
Черчение и компьютерная графика Чертежи БГПК
User coolns : 22 февраля 2019
150 руб.
Задание 54 Вариант 4 пересечения поверхностей цилиндра и призмы
up Наверх