Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 11

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BA5A59FD-B199-4F57-8404-242670B41EAB.doc [Office 2010, 12 стр., 256 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Тип ПП материала Si
Квантовая эффективность, η 0,7
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1,12

Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности

Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Тип светодиода АЛ316А
Напряжение питания Uпит, В 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 680

Дополнительная информация

Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.03.2012

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User costafel : 15 сентября 2015
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12 Задача
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User natin83 : 31 января 2015
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Решение: Структура фотодиода Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User konst1992 : 31 января 2018
90 руб.
Контрольная работа по "Устройства оптоэлектроники" 11 вариант
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод на основе р-n перехода Фотодиод со структурой р-i-n Фотодиод с барьером Шоттки Фотодиод с гетероструктурой Лавинный фотодиод Фотодиод- транзистор Составной фототранзистор Фототранзистор Фототиристор Фоторезистор Задача № 2 Определить длинноволновую границу фото
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Svarog : 28 января 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User cotikbant : 13 сентября 2017
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.

Другие работы

Методы оптимизации. Вариант №8
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по дисциплине «МЕТОДЫ ОПТИМИЗАЦИИ» Вариант № 8 Задача 1 Производственная фирма может выпускать любые из четырех видов продукции. Затраты ограниченных ресурсов, цены реализации продукции в предстоящем временном периоде представлены в следующей таблице. Прод.1 Прод.2 Прод.3 Прод.4 Объем ресурса Ресурс 1 (ед.рес./ед.прод.) a11 a12 a13 a14 b1 Ресурс 2 (ед.рес./ед.прод.) a21 a22 a23 a24 b2 Цена (ден.ед./ед.прод.) c1 c2 c3 c4 В плановом периоде фирма располага
СибГУТИ Методы оптимизации Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 12 февраля 2022
680 руб.
promo
Общий вид выправочно-подбивочной машины DUOMATIC.
1.производительность 1.2......1.4 км/ч 2. подъем ршр 100 мм. 3. сдвиг ршр 100 мм. 4.мощность 361 кВт. 5. обслуживающий персонал 3 чел.
Чертежи Автомобильный транспорт
User elementpio : 18 сентября 2011
45 руб.
Общий вид выправочно-подбивочной машины DUOMATIC.
Язык и стиль современной рекламы: за и против
Введение. Средства рекламы. Языковое средство. Особенности языка рекламы. Язык и стиль современной рекламы. Язык рекламы. Стиль рекламы. Примеры рекламы. Тульская реклама. Реклама других регионов. Заключение. Библиография.
Банковское дело и кредитование Работа
User Lokard : 23 октября 2013
10 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 12 Вариант 35
Определить удельный тепловой поток и коэффициент теплоотдачи излучения между двумя параллельно расположенными пластинами, с температурой t1 и t2 и степенью черноты ε1 и ε2. Как изменится удельный тепловой поток, если между пластинами установить экран со степенью черноты εэ.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 25 февраля 2026
200 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 12 Вариант 35
up Наверх