Исследование свойств высокотемпературной сверхпроводимости
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет о НИР: 42 с., 103 источника, 21 рисунок
Объект исследования – фононная и электронная подсистемы, а также электрон-фононное взаимодействие в металлооксидных высокотемпературных сверхпроводниках, открытых в 1987 г.
Цель работы – определить теоретически плотность фононных состояний с учетом основных особенностей фононного спектра, наблюдаемых экспериментально, и рассчитать основные термодинамические характеристики исследуемых высокотемпературных сверхпроводников. С использованием полученного фононного спектра и соответствующих экспериментов провести анализ электронной подсистемы и вклад электрон-фононного взаимодействия в механизм спаривания носителей тока.
Метод исследования – решение дисперсионного уравнения с учетом акустических и оптических фононов и получение плотности фононных состояний, а также эксперименты по изучению электромагнитных свойств электронной подсистемы.
Результаты НИР могут быть использованы для понимания механизма высокотемпературной сверхпроводимости, разработки высокоэффективных устройств на основе высокотемпературных сверхпроводников (электромоторов, генераторов, магнитных подвесов и бесконтактных подшипников) во всем мире.
Объект исследования – фононная и электронная подсистемы, а также электрон-фононное взаимодействие в металлооксидных высокотемпературных сверхпроводниках, открытых в 1987 г.
Цель работы – определить теоретически плотность фононных состояний с учетом основных особенностей фононного спектра, наблюдаемых экспериментально, и рассчитать основные термодинамические характеристики исследуемых высокотемпературных сверхпроводников. С использованием полученного фононного спектра и соответствующих экспериментов провести анализ электронной подсистемы и вклад электрон-фононного взаимодействия в механизм спаривания носителей тока.
Метод исследования – решение дисперсионного уравнения с учетом акустических и оптических фононов и получение плотности фононных состояний, а также эксперименты по изучению электромагнитных свойств электронной подсистемы.
Результаты НИР могут быть использованы для понимания механизма высокотемпературной сверхпроводимости, разработки высокоэффективных устройств на основе высокотемпературных сверхпроводников (электромоторов, генераторов, магнитных подвесов и бесконтактных подшипников) во всем мире.
Другие работы
Основы гидравлики и теплотехники Задача 31
Z24
: 20 октября 2025
Определить удельные теплопотери через кирпичную стенку (λ=0,75 Вт/(м·К)) здания толщиной δ=250 мм, если внутренняя температура tв и коэффициент теплоотдачи αв. Наружная температура tн, а коэффициент теплоотдачи снаружи αн. Найти также температуры внутренней и наружной поверхности стенки.
150 руб.
Проекционное черчение. Вариант 8
lepris
: 15 ноября 2022
Проекционное черчение. Вариант 8
Д а н о: аксонометрический вид детали (см. варианты задания).
Построить три вида детали с полезными разрезами средствами КОМПАС. Предварительно рекомендуется ознакомиться с теоретическим материалом по
теме Проекционное черчение.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) сделано и открываются в компасе v13, компас v14, компас v15, компас v16, компас v17, компас v18, компас v19, компас v20, компас v21, компас v22 и выше версиях комп
150 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 3 Вариант 23
Z24
: 21 января 2026
Расход газа в поршневом одноступенчатом компрессоре составляет V1 при давлении р1=0,1 МПа и температуре t1. При сжатии температура газа повышается на 200ºC. Сжатие происходит по политропе с показателем n. Определить конечное давление, работу сжатия и работу привода компрессора, количество отведенной теплоты (в киловаттах), а также теоретическую мощность привода компрессора.
Указание. При расчете принять: k=cp/cυ=const≠f(t)
Ответить на вопросы: Как влияет показатель политропы на конечное давл
200 руб.
Курсовая работа по электронике, интегральные устройства. Вариант 20.
Алиса8
: 25 июня 2019
Электроника схемотехника интегральные устройства.
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ: Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ (вариант 20)
Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 11.
Входное сопротивление: RВХ = 4,7 МОм.
Выходное сопротивление: RН = 0,2 кОм.
Выходное номинальное напряжение UНОМ = 0,5 В.
Нижняя рабочая часто
1500 руб.