Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа
-
Категории:
СибГУТИ, Радиотехника и радиосвязь, Работа Зачетная
-
Добавлен:
27.07.2012
-
Размер:
130 KB
-
Покупок:
18
-
Добавил:
kisa7
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
D22F51AB-16D8-4783-9019-35AFFECC10CD.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
Дополнительная информация
зачтено
Похожие материалы
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
80 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа
Александр92
: 16 декабря 2016
Зачетная работа, вопросы:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Ламберта.
Раздел Излучатели.
2.Параметры светоизлучающего диода как компоненты электронных устройств.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Принцип работы полупроводниковых фотоприемных устройств.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности.
Александр92
: 16 декабря 2016
495 руб.
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
rambox360
: 12 января 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Механизм генерации излучения в полупроводниках.
Раздел Излучатели.
2.Формирователь с активным низким уровнем.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Фотоприёмник со структурой МДП.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Электрическая модель оптрона.
rambox360
: 12 января 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа
Алексей119
: 9 января 2016
«Устройства оптоэлектроники».
1.Диаграмма направленности излучателя.
2.Электрическая модель светоизлучающего диода
3.Характеристики и параметры фотоприемников.
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
Алексей119
: 9 января 2016
70 руб.
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
Иван77717
: 26 мая 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
Раздел Излучатели.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
Иван77717
: 26 мая 2015
69 руб.
Зачетная работа «Устройства оптоэлектроники»
Gav20
: 13 апреля 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Особенности оптической электроники.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототиристора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора изменяющегося напряжения.
Gav20
: 13 апреля 2015
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа
Сергейds
: 4 июля 2014
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Особенности оптической электроники.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототиристора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора изменяющегося напряжения.
Сергейds
: 4 июля 2014
89 руб.
Зачетная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
te86
: 10 июня 2013
1.Диаграмма направленности излучателя.
2. Электрическая модель светоизлучающего диода
3. Характеристики и параметры фотоприемников.
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
te86
: 10 июня 2013
200 руб.
Другие работы
Суицидальное поведение как проявление девиантности детей и подростков
alfFRED
: 14 октября 2013
Суицид – умышленное самоповреждение со смертельным исходом, (лишение себя жизни).
Суицид - исключительно человеческий акт. Подростки, совершающие суицид, обычно страдают от сильной душевной боли и находятся в состоянии стресса, а также чувствуют невозможность справиться со своими проблемами. Они часто страдают психическими болезнями, эмоциональными нарушениями, особенно депрессией, и смотрят в будущее без надежды.
Суицидальное поведение. Проблема юношеских самоубийств многие годы была у нас по
alfFRED
: 14 октября 2013
10 руб.
Микрофлора толстой кишки
alfFRED
: 18 января 2013
Работа выполнена в Военно-медицинской академии
Научный руководитель - член-корреспондент РАЕН академик МАНЭБ профессор Лобзин Ю.В.
Научный консультант - доктор медицинских наук профессор Кацалуха В.В.
Официальные оппоненты:
академик МАНЭБ профессор Рахманова А.Г.
доктор медицинских наук профессор Подлевский А.Ф.
Ведущее учреждение:
Санкт-Петербургская Государственная медицинская академия им. И.И. Мечникова.
Защита диссертации состоится "22" сентября 1997 г.
в 10 час. на заседании специализи
alfFRED
: 18 января 2013
ГОСТ 8320.8-83 Профили периодические поперечно-винтовой прокатки для автостроения. Сортамент
alfFRED
: 4 июля 2013
Настоящий стандарт распространяется на горячекатаные круглые периодические профили для автостроения, изготовляемые поперечно-винтовой прокаткой
alfFRED
: 4 июля 2013
Новый международный экономический порядок и международная миграция
GnobYTEL
: 28 октября 2013
Пока индустриально развитые страны - члены МОТ и ОЭСР выдерживали давление со стороны своих более бедных партнеров по миграции, третий мир ( поддерживаемый социалистическими странами ) требовал от западных стран общего пересмотра международного экономического порядка. Это закреплено в резолюциях Генеральной Ассамблеи ООН 3201 ( S-YI ) и 3201 ( S-YI ) от Мая 1974 касательно Декларации и Программы действий по установлению нового международного экономического порядка ( принята с правом ограничен
GnobYTEL
: 28 октября 2013
5 руб.
