Общие сведения об электронных приборах.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Другие работы
Математический анализ (часть 1-я). Экзамен. Билет №16
Inna2708
: 1 декабря 2014
Билет № 16
1. Свойства функций, непрерывных на замкнутом отрезке.
2. Монотонность функции. Экстремумы.
3. Вычислить предел .
4. Найти полный дифференциал функции .
5. Найти интеграл
6. Вычислить интеграл
7. Исследовать сходимость интеграла
8. Найти площадь фигуры: .
60 руб.
Инженерная графика, Вариант №5, 5 чертежей
Галина7
: 21 мая 2015
5 чертежей, в архиве форматы jpeg, cdw. Уже редактированные в соответствии с замечаниями (КОМПАС 13)
200 руб.
Маркетинговое исследование СП ООО "Мобильная цифровая связь"
Aronitue9
: 26 ноября 2012
План.
1. Общая характеристика.
2. Товарная политика.
3. Ценовая политика.
4. Политика распределения.
5. Политика продвижения.
6. Конкуренты.
Выводы и предложения.
1. Общая характеристика.
СП ООО «Мобильная цифровая связь» (МЦС) — стандарт GSM 900/1800, торговые марки Velcom и Privet — является первым оператором сотовой связи стандарта GSM и официальным представителем оператора спутниковой связи «Globalstar» в Республике Беларусь.
ООО «Мобиль
19 руб.
РОЗРАХУНКОВО-ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА до курсового проекту з курсу «Теорія механізмів і машин»
cybikrybik
: 18 марта 2020
Кінематичний та динамічний аналіз механізму. Геометричний синтез зубчатого зачеплення. Динамічний синтез кулачкового механізму»
КПТММ.05.05.00.00.00.ПЗ
300 руб.