Общие сведения об электронных приборах.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Другие работы
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 5 Вариант 79
Z24
: 29 января 2026
Определите эффективную мощность 4-х тактного двигателя внутреннего сгорания Nэф по его конструктивным характеристикам, среднему индикаторному давлению pi и механическому КПД ηм.
Какова теоретически будет мощность двухтактного двигателя с теми же параметрами?
120 руб.
Контрольная работа по электротехнике. Вариант №10
gipertonic
: 27 августа 2013
Задача 1
Для локального обогрева поросят применяются различного типа электронагревательные панели из бетона, в толщу которых вмонтирована жесткая металлическая рама с намотанной на нее электронагревательным проводом марки ПНВСВ. К электросети напряжением 220 В панели подключают либо последовательным соединением, либо через понижающий трансформатор типа ТСЗ-2,5/1 мощностью 2,5 кВ•А и вторичным напряжением 36 В; 50В.
Задача 2
В трех фазную сеть с линейным напряжения U1 включена треугольником элект
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Проектирование и эксплуатация сетей связи». Билет №10
te86
: 28 марта 2014
1. ОХАРАКТЕРИЗУЙТЕ ПОДХОДЫ ФОРМАЛЬНОГО ОПИСАНИЯ СТРУКТУР СЕТЕЙ ЭЛЕКТРОСВЯЗИ
2. ПОЯСНИТЕ ПОНЯТИЕ "СМЕТНАЯ ЧАСТЬ ПРОЕКТА"
3. ПРИНЦИПЫ УСТРАНЕНИЯ НЕИСПРАВНОСТЕЙ В EWSD
4. ЗАДАЧА
Задан граф G .Сколько компонент связности содержит граф G?
400 руб.
Контрольная работа, Лабораторная работа №1, Лабораторная работа №2. Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах. Вариант 04
Leprous
: 26 апреля 2016
Контрольная работа
При анализе цифровой системы передачи со скоростью В было получено в течение времени ТNош. По результатам анализа вычислить следующие статистические параметры:
-оценку коэффициента ошибок Кош,
-среднеквадратичное значение σ абсолютной погрешности оценки коэффициента ошибок Кош,
-относительное значение погрешности δ при заданной доверительной вероятности Рдов=0,95 и коэффициенте Стъюдента tp =1,2;
-число ошибок Νош , которое должно быть сосчитано в процессе измерения, чтобы с
200 руб.