Общие сведения об электронных приборах.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Другие работы
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
mosintacd
: 28 июня 2024
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
Московская международная академия Институт дистанционного образования Тест оценка ОТЛИЧНО
2024 год
Ответы на 20 вопросов
Результат – 100 баллов
С вопросами вы можете ознакомиться до покупки
ВОПРОСЫ:
1. We have … to an agreement
2. Our senses are … a great role in non-verbal communication
3. Saving time at business communication leads to … results in work
4. Conducting negotiations with foreigners we shoul
150 руб.
Задание №2. Методы управления образовательными учреждениями
studypro
: 13 октября 2016
Практическое задание 2
Задание 1. Опишите по одному примеру использования каждого из методов управления в Вашей профессиональной деятельности.
Задание 2. Приняв на работу нового сотрудника, Вы надеялись на более эффективную работу, но в результате разочарованы, так как он не соответствует одному из важнейших качеств менеджера - самодисциплине. Он не обязателен, не собран, не умеет отказывать и т.д.. Но, тем не менее, он отличный профессионал в своей деятельности. Какими методами управления Вы во
200 руб.
Особенности бюджетного финансирования
Aronitue9
: 24 августа 2012
Содержание:
Введение
Теоретические основы бюджетного финансирования
Понятие и сущность бюджетного финансирования
Характеристика основных форм бюджетного финансирования
Анализ бюджетного финансирования образования
Понятие и источники бюджетного финансирования образования
Проблемы бюджетного финансирования образования
Основные направления совершенствования бюджетного финансирования образования
Заключение
Список использованный литературы
Цель курсовой работы – исследовать особенности бюджетного фин
20 руб.
Программирование (часть 1-я). Зачёт. Билет №2
sibsutisru
: 3 сентября 2021
ЗАЧЕТ по дисциплине “Программирование (часть 1)”
Билет 2
Определить значение переменной y после работы следующего фрагмента программы:
a = 3; b = 2 * a – 10; x = 0; y = 2 * b + a;
if ( b > y ) or ( 2 * b < y + a ) ) then begin x = b – y; y = x + 4 end;
if ( a + b < 0 ) and ( y + x > 2 ) ) then begin x = x + y; y = x – 2 end;
200 руб.