Общие сведения об электронных приборах.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная эл
Другие работы
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Теория информации
Cherebas
: 10 декабря 2012
Изучить теоретический материал гл. 7.
Закодировать текст на английском языке (использовать файл не менее 1 Кб) с помощью адаптивного кода Хаффмана.
Вычислить коэффициенты сжатия данных как процентное отношение длины закодированного файла к длине исходного файла.
Сравнить полученные коэффициенты сжатия данных, построить таблицу вида:
Проанализировать полученные результаты
99 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 7 Вариант 68
Z24
: 27 января 2026
Паропровод диаметром d2/d1 (рис. 8.3) покрыт слоем совелитовой изоляции толщиной δ2, мм. Коэффициенты теплопроводности материала трубы λ1, изоляции λ2=0,1 Вт/(м·К). Температуры пара tж1 и окружающего воздуха tж2, °С. Требуется определить линейный коэффициент теплопередачи kl, Вт/(м2·K), линейную плотность теплового потока ql, Вт/м и температуру наружной поверхности паропровода t3, °С
Ответить на вопросы:
Сформулируйте закон теплопроводности Фурье и дайте его математическое выражение.
Какой
200 руб.
Дискретная математика. Контрольная работа. Семестр 3. Вариант №8
aleksei84
: 14 июня 2013
Задано универсальное множество U и множества A, B, C, D. Найти результаты действий и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна
Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующие предложение.
Если студент и экзаменатор не понимают друг друга, то студент не готов или пришел не на тот экзамен.
50 руб.
История развития Лесотехнической академии СПб в 19 веке
Qiwir
: 2 сентября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
I. Предисловие.
II. Введение.
III. Дооктябрьский период 1803-1917:
1) Возникновение и развитие лесного института:
а) Царскосельский – Санкт-Петербургский
практический лесной институт (1803-1836);
б) Санкт-Петербургский лесной и
межевой институт (1837-1878);
в) Санкт-Петербургский лесной институт (1878-1901);
г) Санкт-Петербургский лесной институт (1902-1917).
2) Лесной институт – крупнейший учебный и
научный центр лесного хозяйства.
IV. Вк
5 руб.