Биполярные транзисторы
-
Категории:
Электроника промышленная, Работа
-
Добавлен:
13.11.2012
-
Размер:
123 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
alfFRED
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
bestref-105020.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1 Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.
Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам:
Ø по материалу: германиевые и кремниевые;
Ø по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n;
Ø по мощности: малой (Рмах £ 0,3Вт), средней (Рмах £ 1,5Вт) и большой мощности (Рмах > 1,5Вт);
Ø по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ.
В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок (или основными и неосновными). Отсюда их название – биполярные.
В настоящее время изготавливаются и применяются исключительно транзисторы с плоскостными р-n- переходами.
4.1 Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.
Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам:
Ø по материалу: германиевые и кремниевые;
Ø по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n;
Ø по мощности: малой (Рмах £ 0,3Вт), средней (Рмах £ 1,5Вт) и большой мощности (Рмах > 1,5Вт);
Ø по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ.
В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок (или основными и неосновными). Отсюда их название – биполярные.
В настоящее время изготавливаются и применяются исключительно транзисторы с плоскостными р-n- переходами.
Похожие материалы
Биполярный транзистор
vilkiber
: 21 сентября 2018
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
vilkiber
: 21 сентября 2018
2000 руб.
Биполярный транзистор
vilkiber
: 21 сентября 2018
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
vilkiber
: 21 сентября 2018
2000 руб.
Биполярный транзистор KT605А
marilottar
: 24 марта 2017
Дан биполярный транзистор КТ605А, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=2,4∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=240В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора
marilottar
: 24 марта 2017
500 руб.
«Исследование усилителя на биполярном транзисторе»
vovan1441
: 10 апреля 2019
Цель работы:
Исследовать
принцип
работы
усилителя
на биполярном
транзисторе
для схемы с
ОЭ и влияние параметров биполярного транзистора и элементов схемы на параметры и частотные характеристики усилителя.
vovan1441
: 10 апреля 2019
200 руб.
Расчет усилителей на биполярных транзисторах
evelin
: 14 ноября 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Расчет усилительного каскада
1. Исходные данные к курсовой работе
2. Характеристики используемого транзистора
3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора
4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току
5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке
6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора
7. Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора
8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переме
evelin
: 14 ноября 2012
19 руб.
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
ostah
: 13 ноября 2012
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Биполярный транзистор уже давно используется в импульсных источниках электропитания, поэтому не будут подробно рассматриваться особенности его работы в ключевом режиме, а только необходимые для практики сведения.
Как известно, свойства транзистора как усилителя тока описываются следующим уравнением:
где h21 — коэффициент усиления по току;
iб—ток базы;
iк — ток коллектора.
Линейная область работы транзистора хороша тем, что позволяет, регулируя сравн
ostah
: 13 ноября 2012
5 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
Другие работы
МИ 2406-97 ГСИ. Расход жидкости в открытых каналах систем водоснабжения и канализации. Методика выполнения измерений при помощи стандартных водосливов и лотков
Lokard
: 7 мая 2013
Настоящая рекомендация распространяется на расход жидкости, измеряемый в открытых каналах систем водоснабжения и канализации, и устанавливает методику выполнения измерений при помощи стандартных водосливов и лотков.
Рекомендация предназначена для применения в организациях и предприятиях, осуществляющих проектирование, изготовление, монтаж, эксплуатацию и метрологическое обслуживание расходомеров со стандартными водосливами и лотками в системах водоснабжения и канализации.
Lokard
: 7 мая 2013
10 руб.
ОТВЕТЫ на ТЕСТ по предмету Культурология
Wics2
: 15 марта 2016
1) Взаимоотношения человека и культуры, процессы становления духовного мира личности, формирования и реализации способностей, дарований, талантов, воплощения творческих потенциалов в деятельности и ее результатах исследует:
2) Какая часть культурологии исследует культурогенез:
3) Что из перечисленного не является культурным кодом:
4) Впервые предложил циклическую модель культурного процесса:
5) Представителем цивилизационного подхода к изучению культуры является:
6) Впервые применил термин "куль
Wics2
: 15 марта 2016
80 руб.
Информационный менеджмент. Экзамен. Билет №4
dychkova
: 23 апреля 2014
1. Каково место IT-менеджера в управлении ИС?
2. Какие и каким образом этапы жизненного цикла ИС влияют на цену владения ИС?
dychkova
: 23 апреля 2014
100 руб.
Лабораторная работа №2 по курсу: Основы схемотехники. Вариант 5 (25)
kenji
: 18 февраля 2013
Тема
Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе
Цель работы
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Вариант 5 (25)
kenji
: 18 февраля 2013
190 руб.
