Расчёт импульсного усилителя
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Введение
1. Расчёт импульсного усилителя
1.1 Выбор схемы усилителя
1.2 Выбор транзистора
1.3 Расчет оконечного каскада
1.3.1 Рабочая точка оконечного каскада
1.3.2 Расчет сопротивлений оконечного каскада
1.4 Расчет первого каскада усилителя
1.4.1 Рабочая точка первого каскада
1.5 Расчет ёмкостей усилителя
1.6 Расчет рассеивающих мощностей резисторов
Заключение
Приложения
Введение
В настоящее время нет ни одной области науки и техники, где не применялась бы электроника. А основой электроники на сегодняшний день является усилительный каскад, основанный на применении транзистора. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах.
В электронных устройствах транзисторы могут включаться по схеме с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Наилучшими усилительными свойствами (усиление тока, напряжения и мощности) обладает транзистор в схеме с ОЭ. В схеме с ОБ усиление мощности сравнительно меньше, чем в схеме с ОЭ. Кроме того, в схеме с ОБ транзистор имеет сравнительно малое входное и большое выходное сопротивление, что затрудняет согласование каскадов.
В схеме с ОК транзистор тоже обеспечивает меньшее усиление мощности. Однако в схеме с ОК транзистор имеет сравнительно большое входное и небольшое выходное сопротивления, и поэтому схема с ОК часто применяется в качестве согласующего каскада между источником сигнала с высокоомным выходным сопротивлением и низкоомной нагрузкой. Наиболее же часто в электронных устройствах применяется включение транзистора по схеме с ОЭ.
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
Введение
1. Расчёт импульсного усилителя
1.1 Выбор схемы усилителя
1.2 Выбор транзистора
1.3 Расчет оконечного каскада
1.3.1 Рабочая точка оконечного каскада
1.3.2 Расчет сопротивлений оконечного каскада
1.4 Расчет первого каскада усилителя
1.4.1 Рабочая точка первого каскада
1.5 Расчет ёмкостей усилителя
1.6 Расчет рассеивающих мощностей резисторов
Заключение
Приложения
Введение
В настоящее время нет ни одной области науки и техники, где не применялась бы электроника. А основой электроники на сегодняшний день является усилительный каскад, основанный на применении транзистора. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах.
В электронных устройствах транзисторы могут включаться по схеме с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Наилучшими усилительными свойствами (усиление тока, напряжения и мощности) обладает транзистор в схеме с ОЭ. В схеме с ОБ усиление мощности сравнительно меньше, чем в схеме с ОЭ. Кроме того, в схеме с ОБ транзистор имеет сравнительно малое входное и большое выходное сопротивление, что затрудняет согласование каскадов.
В схеме с ОК транзистор тоже обеспечивает меньшее усиление мощности. Однако в схеме с ОК транзистор имеет сравнительно большое входное и небольшое выходное сопротивления, и поэтому схема с ОК часто применяется в качестве согласующего каскада между источником сигнала с высокоомным выходным сопротивлением и низкоомной нагрузкой. Наиболее же часто в электронных устройствах применяется включение транзистора по схеме с ОЭ.
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
Другие работы
Теоретическая механика ИРНИТУ Задача К1 Рисунок К.4 Вариант 9
Z24
: 22 марта 2026
Задание К1. Определение кинематических характеристик движения материальной точки
По заданным уравнениям движения точки x = f1(t), y = f2(t) найти уравнение траектории ее движения, и для момента времени t1 = 1с вычислить ее скорость, нормальное, касательное и полное ускорения, а также радиус кривизны траектории. На рисунке в масштабе изобразить траекторию движения точки и для заданного момента времени t1 = 1с построить векторы скорости и ускорения.
Уравнения движения точки x = f1(t) указаны
250 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 10.16
Z24
: 24 октября 2025
Труба из окисленной стали имеет диаметр 100 мм и окружена двумя экранами, расположенными концентрически на одинаковых расстояниях 5 мм друг от друга и от трубы. Экраны сделаны из окисленного никеля. Определить, во сколько раз уменьшиться лучистый тепловой поток от горячей трубы при ее экранировании по сравнению с трубой без экранов? Температуры трубы и окружающей среды после установки экранов принять без изменений.
Ответ: в 6,57 раза.
180 руб.
КР. 6 вариант. Эконометрика.
studypro3
: 4 августа 2019
1. Раскройте содержание вопроса: системы эконометрических моделей спроса. Условный экстремум и их интерпретация относительно технико-экономических показателей.
2. Имеются данные:
У(спрос) 30,1; 32,3; 32,6; 33,1; 33,5
Х1 (цена.) 16,1; 17,6; 17,9; 18,9; 19,7
Х2 (н.р.) 94,3; 95,8; 96,3; 96,9; 97,3
Требуется исследовать спрос. Оцените качество модели.
300 руб.