Расчёт импульсного усилителя
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Введение
1. Расчёт импульсного усилителя
1.1 Выбор схемы усилителя
1.2 Выбор транзистора
1.3 Расчет оконечного каскада
1.3.1 Рабочая точка оконечного каскада
1.3.2 Расчет сопротивлений оконечного каскада
1.4 Расчет первого каскада усилителя
1.4.1 Рабочая точка первого каскада
1.5 Расчет ёмкостей усилителя
1.6 Расчет рассеивающих мощностей резисторов
Заключение
Приложения
Введение
В настоящее время нет ни одной области науки и техники, где не применялась бы электроника. А основой электроники на сегодняшний день является усилительный каскад, основанный на применении транзистора. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах.
В электронных устройствах транзисторы могут включаться по схеме с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Наилучшими усилительными свойствами (усиление тока, напряжения и мощности) обладает транзистор в схеме с ОЭ. В схеме с ОБ усиление мощности сравнительно меньше, чем в схеме с ОЭ. Кроме того, в схеме с ОБ транзистор имеет сравнительно малое входное и большое выходное сопротивление, что затрудняет согласование каскадов.
В схеме с ОК транзистор тоже обеспечивает меньшее усиление мощности. Однако в схеме с ОК транзистор имеет сравнительно большое входное и небольшое выходное сопротивления, и поэтому схема с ОК часто применяется в качестве согласующего каскада между источником сигнала с высокоомным выходным сопротивлением и низкоомной нагрузкой. Наиболее же часто в электронных устройствах применяется включение транзистора по схеме с ОЭ.
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
Введение
1. Расчёт импульсного усилителя
1.1 Выбор схемы усилителя
1.2 Выбор транзистора
1.3 Расчет оконечного каскада
1.3.1 Рабочая точка оконечного каскада
1.3.2 Расчет сопротивлений оконечного каскада
1.4 Расчет первого каскада усилителя
1.4.1 Рабочая точка первого каскада
1.5 Расчет ёмкостей усилителя
1.6 Расчет рассеивающих мощностей резисторов
Заключение
Приложения
Введение
В настоящее время нет ни одной области науки и техники, где не применялась бы электроника. А основой электроники на сегодняшний день является усилительный каскад, основанный на применении транзистора. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах.
В электронных устройствах транзисторы могут включаться по схеме с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Наилучшими усилительными свойствами (усиление тока, напряжения и мощности) обладает транзистор в схеме с ОЭ. В схеме с ОБ усиление мощности сравнительно меньше, чем в схеме с ОЭ. Кроме того, в схеме с ОБ транзистор имеет сравнительно малое входное и большое выходное сопротивление, что затрудняет согласование каскадов.
В схеме с ОК транзистор тоже обеспечивает меньшее усиление мощности. Однако в схеме с ОК транзистор имеет сравнительно большое входное и небольшое выходное сопротивления, и поэтому схема с ОК часто применяется в качестве согласующего каскада между источником сигнала с высокоомным выходным сопротивлением и низкоомной нагрузкой. Наиболее же часто в электронных устройствах применяется включение транзистора по схеме с ОЭ.
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
Другие работы
Зачет по физическим основам электроники. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
2семестр 2вариант.
Билет № 5
1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Математические основы моделирования сетей связи» ВАРИАНТ 03 (2022)
LiVolk
: 21 января 2023
Задано 10 населённых пунктов, связанных сетью. Расстояние между пунктами указано в километрах. Требуется:
Задача № 1. Определить номера населённых пунктов, размещение телефонных станций в которых будет оптимальным по удалённости от самого дальнего пункта.
Задача № 2. Найти минисуммное решение задачи размещения 5-и телефонных станций из предложенных вариантов (таблица 1).
Задача № 3. Определить, по каким кабельным линиям работник станции P (таблица 1) пройдёт дважды в поисках повреждений на линии
200 руб.
Дополнительные главы математического анализа. 2-й семестр. Контрольная работа №1, вариант №4
olcherva
: 15 апреля 2013
1.Исследовать сходимость числового ряда
2.Найти интервал сходимости степенного ряда
3.Вычислить определенный интеграл ∫_a^b▒f(x)dx с точностью до 0,001,
разложив подынтегральную функцию в степенной ряд и затем проинтегрировать его почленно.
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
100 руб.