Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Зміст
Вступ
Розділ 1. Теоретичний аналіз існуючих технологій ГІМС
1.1 Особливості конструювання інтегральних мікросхем
1.2 Позначення параметрів інтегральних мікросхем
1.3 Вибір матеріалу підкладки
1.4 Вибір корпуса інтегральної мікросхеми
1.5 Переваги і недоліки гібридних інтегральних мікросхем
1.6 Технології виробництва ГІМС
Розділ 2. Розробка КД ГІМС
2.1 Розробка комутаційної схеми
2.2 Розрахунок плівкових та навісних елементів
2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру
2.4 Розробка топології плати ГІМС
2.5 Топологічне креслення окремих шарів
2.6 Розробка складального креслення плати ГІМС
2.7 Розробка складального креслення ГІМС в корпусі
Висновки
Список використаних джерел
Додатки
Вступ
Інтегральні мікросхеми перетворюють і обробляють сигнал, а також мають високу щільність розміщення електрично з’єднаних елементів і компонентів. У напівпровідникових мікросхемах всі елементи і міжелементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника [1].
Гібридними називаються ті мікросхеми, які складаються з елементів, компонентів і кристалів. Зараз гібридні інтегральні мікросхеми набули широкого застосування в електроніці і мікроелектроніці.
Особливістю конструювання ІМС є тісний зв’язок конструктивних рішень з технологією виготовлення елементів мікросхем. Для розробки ГІМС використовують метод плівкової технології, тобто радіоелементи одержують на підкладці у вигляді плівок напівпровідників, діелектриків, різних металів та їх оксидів, які послідовно наносять одна на одну. При розробці ГІМС враховується також геометрична форма плівкових елементів, бо чим простіша форма елемента, тим легше їх виробництво, більша точність виготовлення і надійність. Використання плівкових елементів у мікросхемі підвищує якість та зменшує економічні витрати на неї, а велика щільність розташування елементів і компонентів робить її економічно вигідною в виробництві і простою в застосуванні до приладу, а також сприяє збільшенню попит на неї [1].
Вступ
Розділ 1. Теоретичний аналіз існуючих технологій ГІМС
1.1 Особливості конструювання інтегральних мікросхем
1.2 Позначення параметрів інтегральних мікросхем
1.3 Вибір матеріалу підкладки
1.4 Вибір корпуса інтегральної мікросхеми
1.5 Переваги і недоліки гібридних інтегральних мікросхем
1.6 Технології виробництва ГІМС
Розділ 2. Розробка КД ГІМС
2.1 Розробка комутаційної схеми
2.2 Розрахунок плівкових та навісних елементів
2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру
2.4 Розробка топології плати ГІМС
2.5 Топологічне креслення окремих шарів
2.6 Розробка складального креслення плати ГІМС
2.7 Розробка складального креслення ГІМС в корпусі
Висновки
Список використаних джерел
Додатки
Вступ
Інтегральні мікросхеми перетворюють і обробляють сигнал, а також мають високу щільність розміщення електрично з’єднаних елементів і компонентів. У напівпровідникових мікросхемах всі елементи і міжелементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника [1].
Гібридними називаються ті мікросхеми, які складаються з елементів, компонентів і кристалів. Зараз гібридні інтегральні мікросхеми набули широкого застосування в електроніці і мікроелектроніці.
Особливістю конструювання ІМС є тісний зв’язок конструктивних рішень з технологією виготовлення елементів мікросхем. Для розробки ГІМС використовують метод плівкової технології, тобто радіоелементи одержують на підкладці у вигляді плівок напівпровідників, діелектриків, різних металів та їх оксидів, які послідовно наносять одна на одну. При розробці ГІМС враховується також геометрична форма плівкових елементів, бо чим простіша форма елемента, тим легше їх виробництво, більша точність виготовлення і надійність. Використання плівкових елементів у мікросхемі підвищує якість та зменшує економічні витрати на неї, а велика щільність розташування елементів і компонентів робить її економічно вигідною в виробництві і простою в застосуванні до приладу, а також сприяє збільшенню попит на неї [1].
Другие работы
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 92
Z24
: 1 января 2026
Из резервуара при постоянном манометрическом давлении рм = (20 + 0,2·y) кПа и постоянном уровне H = (1,0 + 0,1·z) м вода вытекает по вертикальной трубе переменного сечения, нижний конец которой погружен в открытый резервуар.
Определить расход Q в трубе и полное гидростатическое давление р2 в сечении 2 – 2, расположенном на высоте h = (0,5 + 0,02·y) = 0,58 м от свободной поверхности нижнего резервуара, если d1 = (50 + 5·z) = 95 мм, d2 = (75 + 2·y) = 83 мм (рис. 7).
Учитывать только местные
250 руб.
Народная война в романе "Война и мир"
Elfa254
: 21 октября 2013
Введение
1. Отечественная война 1812г. и роман-эпопея «Война и мир»
1.1 Создание романа
1.2 Россия и войне 1812г.
2. Патриотизм русского народа в Отечественной войне 1812 г. и изгнание французов
2.1 Коллективный героизм и единение народа
2.2 Облик Кутузова – руководителя народной борьбы
3. Победа и ее герои
Заключение
Список использованной литературы
Введение
«Война и мир» — одно из немногих в мировой литературе ХІХ века произведений, к которому по праву предлагается наименование рома
10 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 6 Вариант 88
Z24
: 4 февраля 2026
Определение поверхности нагрева рекуперативного воздушного теплообменника
Определить поверхность нагрева стального рекуперативного воздушного теплообменника (толщина стенок δст = 3 мм) при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей, если объемный расход воздуха при нормальных условиях Qвозд, средний коэффициент теплоотдачи от воздуха к поверхности нагрева α1, от поверхности нагрева к воде α2, Вт/(м⸱°С), начальные и конечные температуры воздуха и воды соответственно равны t’1,
350 руб.