Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Зміст
Вступ
Розділ 1. Теоретичний аналіз існуючих технологій ГІМС
1.1 Особливості конструювання інтегральних мікросхем
1.2 Позначення параметрів інтегральних мікросхем
1.3 Вибір матеріалу підкладки
1.4 Вибір корпуса інтегральної мікросхеми
1.5 Переваги і недоліки гібридних інтегральних мікросхем
1.6 Технології виробництва ГІМС
Розділ 2. Розробка КД ГІМС
2.1 Розробка комутаційної схеми
2.2 Розрахунок плівкових та навісних елементів
2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру
2.4 Розробка топології плати ГІМС
2.5 Топологічне креслення окремих шарів
2.6 Розробка складального креслення плати ГІМС
2.7 Розробка складального креслення ГІМС в корпусі
Висновки
Список використаних джерел
Додатки
Вступ
Інтегральні мікросхеми перетворюють і обробляють сигнал, а також мають високу щільність розміщення електрично з’єднаних елементів і компонентів. У напівпровідникових мікросхемах всі елементи і міжелементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника [1].
Гібридними називаються ті мікросхеми, які складаються з елементів, компонентів і кристалів. Зараз гібридні інтегральні мікросхеми набули широкого застосування в електроніці і мікроелектроніці.
Особливістю конструювання ІМС є тісний зв’язок конструктивних рішень з технологією виготовлення елементів мікросхем. Для розробки ГІМС використовують метод плівкової технології, тобто радіоелементи одержують на підкладці у вигляді плівок напівпровідників, діелектриків, різних металів та їх оксидів, які послідовно наносять одна на одну. При розробці ГІМС враховується також геометрична форма плівкових елементів, бо чим простіша форма елемента, тим легше їх виробництво, більша точність виготовлення і надійність. Використання плівкових елементів у мікросхемі підвищує якість та зменшує економічні витрати на неї, а велика щільність розташування елементів і компонентів робить її економічно вигідною в виробництві і простою в застосуванні до приладу, а також сприяє збільшенню попит на неї [1].
Вступ
Розділ 1. Теоретичний аналіз існуючих технологій ГІМС
1.1 Особливості конструювання інтегральних мікросхем
1.2 Позначення параметрів інтегральних мікросхем
1.3 Вибір матеріалу підкладки
1.4 Вибір корпуса інтегральної мікросхеми
1.5 Переваги і недоліки гібридних інтегральних мікросхем
1.6 Технології виробництва ГІМС
Розділ 2. Розробка КД ГІМС
2.1 Розробка комутаційної схеми
2.2 Розрахунок плівкових та навісних елементів
2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру
2.4 Розробка топології плати ГІМС
2.5 Топологічне креслення окремих шарів
2.6 Розробка складального креслення плати ГІМС
2.7 Розробка складального креслення ГІМС в корпусі
Висновки
Список використаних джерел
Додатки
Вступ
Інтегральні мікросхеми перетворюють і обробляють сигнал, а також мають високу щільність розміщення електрично з’єднаних елементів і компонентів. У напівпровідникових мікросхемах всі елементи і міжелементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника [1].
Гібридними називаються ті мікросхеми, які складаються з елементів, компонентів і кристалів. Зараз гібридні інтегральні мікросхеми набули широкого застосування в електроніці і мікроелектроніці.
Особливістю конструювання ІМС є тісний зв’язок конструктивних рішень з технологією виготовлення елементів мікросхем. Для розробки ГІМС використовують метод плівкової технології, тобто радіоелементи одержують на підкладці у вигляді плівок напівпровідників, діелектриків, різних металів та їх оксидів, які послідовно наносять одна на одну. При розробці ГІМС враховується також геометрична форма плівкових елементів, бо чим простіша форма елемента, тим легше їх виробництво, більша точність виготовлення і надійність. Використання плівкових елементів у мікросхемі підвищує якість та зменшує економічні витрати на неї, а велика щільність розташування елементів і компонентів робить її економічно вигідною в виробництві і простою в застосуванні до приладу, а також сприяє збільшенню попит на неї [1].
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Физика (часть 1). Вариант 3
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Контрольная работа часть № 1 (вариант 3)
1. Орудие, жёстко закреплённое на железнодорожной платформе, производит выстрел вдоль полотна железной дороги под углом 30° к линии горизонта. Вычислите скорость отката платформы, если снаряд вылетает со скоростью 480 м/с. Масса платформы с орудием и снарядами 18 т, масса снаряда 60 кг.
2. Шар массой 1 кг движется со скоростью 4 м/с и сталкивается с шаром массой 2 кг, движущимся навстречу ему со скоростью 3 м/с. Каковы скорости шаров после удара? Уд
1600 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 2 Вариант 97
Z24
: 30 января 2026
Железобетонная дымовая труба внутренним диаметром 800 мм и наружным диаметром 1300 мм должна быть футерована внутри огнеупором.
Определить толщину футеровки и температуру наружной поверхности трубы из условий, чтобы тепловые потери с одного погонного метра трубы не превышали ql, а температура внутренней поверхности трубы не должна превышать t2. Температура внутренней поверхности футеровки t1. Коэффициент теплопроводности футеровки λ1=0,838+0,001t, Вт/(м·К), коэффициент теплопроводности бетона
150 руб.
Курсовая работа по экономике
Алёна51
: 1 ноября 2015
Введение 3
1. Сущность экономического роста, его типы и показатели 7
2. Факторы экономического роста 21
3. Особенности циклического развития российской экономики на современном этапе 24
Практикум 36
Реальный ВВП в 2008 г. составил 3000 млрд. ден. ед. В 2009 г. номинальный ВВП составил 3248 млрд. ден. ед., а дефлятор ВВП — 112%. Рассчитать темп экономического роста и определить фазу цикла.
Заключение 37
Список использованной литературы 39
200 руб.
Экзаменационная работа по предмету "Математический анализ". Билет № 1
te86
: 12 февраля 2013
Задание 1. Комплексные числа (КЧ), формы записи, действия над комплексными числами в алгебраической форме.
Задание 2. Геометрический и физический смысл производной. Уравнение касательной к линии.
Задание 3. Вычислить предел
Задание 4. Найти точки экстремума функции
Задание 5. Найти интеграл .
Задание 6. Вычислить интеграл
Задание 7. Исследовать сходимость интеграла
Задание 8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями
и .
60 руб.