Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Зміст
Вступ
Розділ 1. Теоретичний аналіз існуючих технологій ГІМС
1.1 Особливості конструювання інтегральних мікросхем
1.2 Позначення параметрів інтегральних мікросхем
1.3 Вибір матеріалу підкладки
1.4 Вибір корпуса інтегральної мікросхеми
1.5 Переваги і недоліки гібридних інтегральних мікросхем
1.6 Технології виробництва ГІМС
Розділ 2. Розробка КД ГІМС
2.1 Розробка комутаційної схеми
2.2 Розрахунок плівкових та навісних елементів
2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру
2.4 Розробка топології плати ГІМС
2.5 Топологічне креслення окремих шарів
2.6 Розробка складального креслення плати ГІМС
2.7 Розробка складального креслення ГІМС в корпусі
Висновки
Список використаних джерел
Додатки
Вступ
Інтегральні мікросхеми перетворюють і обробляють сигнал, а також мають високу щільність розміщення електрично з’єднаних елементів і компонентів. У напівпровідникових мікросхемах всі елементи і міжелементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника [1].
Гібридними називаються ті мікросхеми, які складаються з елементів, компонентів і кристалів. Зараз гібридні інтегральні мікросхеми набули широкого застосування в електроніці і мікроелектроніці.
Особливістю конструювання ІМС є тісний зв’язок конструктивних рішень з технологією виготовлення елементів мікросхем. Для розробки ГІМС використовують метод плівкової технології, тобто радіоелементи одержують на підкладці у вигляді плівок напівпровідників, діелектриків, різних металів та їх оксидів, які послідовно наносять одна на одну. При розробці ГІМС враховується також геометрична форма плівкових елементів, бо чим простіша форма елемента, тим легше їх виробництво, більша точність виготовлення і надійність. Використання плівкових елементів у мікросхемі підвищує якість та зменшує економічні витрати на неї, а велика щільність розташування елементів і компонентів робить її економічно вигідною в виробництві і простою в застосуванні до приладу, а також сприяє збільшенню попит на неї [1].
Вступ
Розділ 1. Теоретичний аналіз існуючих технологій ГІМС
1.1 Особливості конструювання інтегральних мікросхем
1.2 Позначення параметрів інтегральних мікросхем
1.3 Вибір матеріалу підкладки
1.4 Вибір корпуса інтегральної мікросхеми
1.5 Переваги і недоліки гібридних інтегральних мікросхем
1.6 Технології виробництва ГІМС
Розділ 2. Розробка КД ГІМС
2.1 Розробка комутаційної схеми
2.2 Розрахунок плівкових та навісних елементів
2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру
2.4 Розробка топології плати ГІМС
2.5 Топологічне креслення окремих шарів
2.6 Розробка складального креслення плати ГІМС
2.7 Розробка складального креслення ГІМС в корпусі
Висновки
Список використаних джерел
Додатки
Вступ
Інтегральні мікросхеми перетворюють і обробляють сигнал, а також мають високу щільність розміщення електрично з’єднаних елементів і компонентів. У напівпровідникових мікросхемах всі елементи і міжелементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника [1].
Гібридними називаються ті мікросхеми, які складаються з елементів, компонентів і кристалів. Зараз гібридні інтегральні мікросхеми набули широкого застосування в електроніці і мікроелектроніці.
Особливістю конструювання ІМС є тісний зв’язок конструктивних рішень з технологією виготовлення елементів мікросхем. Для розробки ГІМС використовують метод плівкової технології, тобто радіоелементи одержують на підкладці у вигляді плівок напівпровідників, діелектриків, різних металів та їх оксидів, які послідовно наносять одна на одну. При розробці ГІМС враховується також геометрична форма плівкових елементів, бо чим простіша форма елемента, тим легше їх виробництво, більша точність виготовлення і надійність. Використання плівкових елементів у мікросхемі підвищує якість та зменшує економічні витрати на неї, а велика щільність розташування елементів і компонентів робить її економічно вигідною в виробництві і простою в застосуванні до приладу, а також сприяє збільшенню попит на неї [1].
Другие работы
Курсовая работа по ТЭСК
katy269
: 5 января 2015
СПб ГУТ Бонч-Бруевича
курсовая работа (четыре варианта) по предмету техническая эксплуатация систем коммутации (ТЭСК, ТМПСК и т.п. - предметы почти каждый год меняют название)
преподаватели - Мамонтова, Зарубин, Рябошапка и др.
Все курсовые защищены на отлично.
Для бакалавров эту курсовую могут дать в виде лабораторной, или такой же курсовой.
50 руб.
Вклад российских психологов и физиологов в развитие психологии XIX века (И.И. Мечников, И.М. Сеченов, В.М. Бехтерев)
alfFRED
: 15 октября 2013
Содержание
Введение
1. Развитие психологии в России в XIX в
2. Иван Михайлович Сеченов
3. Концепция психических процессов И.М. Сеченова
4. Влади́мир Миха́йлович Бе́хтерев
5. Илья Ильич Мечников
Библиография
Введение
Русская психологическая мысль в XIX в. развивалась в связи с общественной мыслью и успехами в естествознании, в творческом усвоении достижений мировой философии и психологии. XIX век в России был временем разложения феодальной формации, завершившимся глубоким криз
10 руб.
Лабораторная работа №5 по дисциплине "Программирование на языках высокого уровня. Язык программирования Паскаль" (вариант 3)
Greenberg
: 17 февраля 2013
Тема 1: Строковый тип данных
(в лекциях см. п. 6 )
Тема 2: Записи
(в лекциях см. п. 8.1-8.4 )
Задание:
Разработать программу, в которой необходимо выполнить следующие действия:
- Описать новый тип – запись, состоящую из двух полей:
- Ввести с клавиатуры заданную последовательность символов и записать ее в переменную строкового типа;
- Преобразовать строку в соответствии со своим вариантом;
- В поле записи Stroka переписать преобразованную строку, а в поле Dlina – длину этой строки;
- Вывести со
49 руб.
Проектування та розрахунок шестерні ведучої до гідронасосу
ostah
: 20 августа 2011
Зміст
Анотація………………………………………………………………………
Annotation…………………………………………………………………….
Вступ………………………………………………………………………….
1 Техніко-економічне обґрунтування теми дипломного проекту………...
1.1 Сутність технічної проблеми……………………………………………
1.2 Характеристика об’єкту виробництва, його службове
призначення, технічні умови на виготовлення…………………………….
1.3 Вибір та критичний аналіз базового технологічного
процесу виготовлення деталі………………………………………………..
1.4 Характеристика модернізованих технологічних процесів…
450 руб.