Зачет. Устройства оптоэлектроники

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 34EC9CD6-CEB2-4EC7-9F83-8B73F6B14C08.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Зачетная работа по УЭ.doc [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Определение числовой апертуры.

Раздел Излучатели.
1. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.

Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
1. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.

Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
1. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Основы оптоэлектроники
Оценка: Зачет
Дата оценки: 01.09.2012
Рецензия: Уважаемый !,
Работа изготовлена в формате Microsoft Word 97 – 2003.
Формулы набраны при помощи редактора формул Microsoft Equation.
Рисунки изготовлены в программе Microsoft Visio 2007.

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники зачет
Устройства оптоэлектроники зачет
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Gila : 17 января 2019
210 руб.
Зачет. «Устройства оптоэлектроники»
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Излучатели на основе моноперехода. Раздел: Излучатели. 2.Ввод излучения в световоды. Раздел: «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия сканистора. Раздел: «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User svh : 1 октября 2016
220 руб.
Зачет. Устройства оптоэлектроники
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств. Раздел Излучатели. 2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фоторезистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User MK : 16 сентября 2016
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет
Устройства оптоэлектроники. Зачет 1.Механизм генерации излучения в полупроводниках 2.Формирователь с активным низким уровнем. 3.Фотоприёмник со структурой МДП. 4.Электрическая модель оптрона
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User flash089 : 17 июня 2016
200 руб.
Устройство Оптоэлектроники. Зачет.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Типы электронных переходов. Раздел Излучатели. 2.Конструкция и схема включения светоизлучающего диода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Rufus : 26 мая 2016
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Типы электронных переходов. Раздел Излучатели. 2.Конструкция и схема включения светоизлучающего диода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User sanmix10077 : 30 января 2016
200 руб.
Зачет. Устройства оптоэлектроники
Вопросы к зачету Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Teuserer : 4 января 2016
100 руб.

Другие работы

Особенности ипотечного жилищного кредитования
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ГЛАВА 1. Теоретические основы ипотечного жилищного кредитования 1.1 Понятие и экономическое значение ипотеки и Ипотечного жилищного кредита 1.2 История возникновения и становления жилищной ипотеки в России 1.3 Современные схемы ипотечного жилищного кредитования ГЛАВА 2. Анализ действующих схем ипотечного жилищного кредитования в ОАО «УРСАБанк» 2.1 Анализ схем ипотечного жилищного кредитования по программам «Улучшение жилищных условий» и «Решение квартирного вопроса» 2.2 Анали
Программа Банковское дело и кредитование
User evelin : 7 ноября 2012
5 руб.
СИНЕРГИЯ Управление социально-экономическим развитием города Тест 100 баллов 2023 год
СИНЕРГИЯ Управление социально-экономическим развитием города (Темы 1-6 Итог) МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тест оценка ОТЛИЧНО (100 баллов) 2023 год Ответы на 131 вопрос Результат – 100 баллов С вопросами вы можете ознакомиться до покупки ВОПРОСЫ: Управление социально-экономическим развитием города Тема 1. Понятие и сущность базисных элементов в рамках управления развитием города Тема 2. Структура и функции управления социально-экономическим развитием города Тема 3. Основы государственно
Управление социально-экономическим развитием города МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тесты
User Synergy2098 : 21 января 2024
228 руб.
promo
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: (1) где и - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, и - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, и - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда. В нашей задаче исследуетс
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User sasha92 : 9 июня 2014
50 руб.
Контрольная работа, Алгоритмы и Алгоритмические языки, вариант №3
Контрольная работа, Алгоритмы и Алгоритмические языки,вариант №3 Контекстно-свободная грамматика. Основные понятия и определения. Нормальные алгоритмы Маркова
ДО СИБГУТИ Работа Контрольная Алгоритмы и алгоритмические языки
User Светлана59 : 28 марта 2023
380 руб.
up Наверх