Зачет. Устройства оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
1. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
1. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
1. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
1. Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
1. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
1. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
1. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Основы оптоэлектроники
Оценка: Зачет
Дата оценки: 01.09.2012
Рецензия: Уважаемый !,
Работа изготовлена в формате Microsoft Word 97 – 2003.
Формулы набраны при помощи редактора формул Microsoft Equation.
Рисунки изготовлены в программе Microsoft Visio 2007.
Оценена Ваша работа по предмету: Основы оптоэлектроники
Оценка: Зачет
Дата оценки: 01.09.2012
Рецензия: Уважаемый !,
Работа изготовлена в формате Microsoft Word 97 – 2003.
Формулы набраны при помощи редактора формул Microsoft Equation.
Рисунки изготовлены в программе Microsoft Visio 2007.
Похожие материалы
500 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Gila
: 17 января 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
210 руб.
Зачет. «Устройства оптоэлектроники»
svh
: 1 октября 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе моноперехода.
Раздел: Излучатели.
2.Ввод излучения в световоды.
Раздел: «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия сканистора.
Раздел: «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
220 руб.
Зачет. Устройства оптоэлектроники
MK
: 16 сентября 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фоторезистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет
flash089
: 17 июня 2016
Устройства оптоэлектроники. Зачет
1.Механизм генерации излучения в полупроводниках
2.Формирователь с активным низким уровнем.
3.Фотоприёмник со структурой МДП.
4.Электрическая модель оптрона
200 руб.
Устройство Оптоэлектроники. Зачет.
Rufus
: 26 мая 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.
Раздел Излучатели.
2.Конструкция и схема включения светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет
sanmix10077
: 30 января 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.
Раздел Излучатели.
2.Конструкция и схема включения светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
200 руб.
Зачет. Устройства оптоэлектроники
Teuserer
: 4 января 2016
Вопросы к зачету
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
100 руб.
Другие работы
Особенности ипотечного жилищного кредитования
evelin
: 7 ноября 2012
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Теоретические основы ипотечного жилищного кредитования
1.1 Понятие и экономическое значение ипотеки и Ипотечного жилищного кредита
1.2 История возникновения и становления жилищной ипотеки в России
1.3 Современные схемы ипотечного жилищного кредитования
ГЛАВА 2. Анализ действующих схем ипотечного жилищного кредитования в ОАО «УРСАБанк»
2.1 Анализ схем ипотечного жилищного кредитования по программам «Улучшение жилищных условий» и «Решение квартирного вопроса»
2.2 Анали
5 руб.
СИНЕРГИЯ Управление социально-экономическим развитием города Тест 100 баллов 2023 год
Synergy2098
: 21 января 2024
СИНЕРГИЯ Управление социально-экономическим развитием города (Темы 1-6 Итог)
МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тест оценка ОТЛИЧНО (100 баллов)
2023 год
Ответы на 131 вопрос
Результат – 100 баллов
С вопросами вы можете ознакомиться до покупки
ВОПРОСЫ:
Управление социально-экономическим развитием города
Тема 1. Понятие и сущность базисных элементов в рамках управления развитием города
Тема 2. Структура и функции управления социально-экономическим развитием города
Тема 3. Основы государственно
228 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
sasha92
: 9 июня 2014
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где и - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, и - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, и - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуетс
50 руб.
Контрольная работа, Алгоритмы и Алгоритмические языки, вариант №3
Светлана59
: 28 марта 2023
Контрольная работа, Алгоритмы и Алгоритмические языки,вариант №3
Контекстно-свободная грамматика. Основные понятия и определения.
Нормальные алгоритмы Маркова
380 руб.