Электроника. Экзаменационная работа
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
20.01.2013
-
Размер:
301 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
aleks797
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
экзамен.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Сдача - 2011г.
Похожие материалы
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
Entimos
: 16 ноября 2018
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
Багдат
: 18 июня 2016
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
Багдат
: 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
rambox360
: 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные х
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
Teuserer
: 18 декабря 2015
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
Teuserer
: 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
pepol
: 16 декабря 2014
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
Jurgen
: 12 января 2012
170 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
naviS
: 7 ноября 2011
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные хара
naviS
: 7 ноября 2011
115 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа по дисциплине "Культурологии". Понятие символа и его роль в культуре. 1 курс 1 семестр.
Shallow
: 21 ноября 2013
Понятие символа и его роль в культуре.
Введение.
Современный человек, появившись на свет, мгновенно погружается в бездну символов...
1. Понятие символа в культуре.
Культура по своей природе функциональна. Она всегда для чего-то, должна «работать»...
2. Роль символов в культуре.
Существует значительное число классификаций знаков, основанных на различиях формы...
3. Эволюция символов и логика их взаимосвязи.
Символы могут менять свои значения от поколения к поколению...
Заключение.
Каждая культура
Shallow
: 21 ноября 2013
100 руб.
Методы получения тонких пленок
Aronitue9
: 31 декабря 2011
Рассмотрены основные методы получения тонких пленок:
физические методы осаждения:
термическое испарение за счет резистивного нагрева; электронно-лучевое испарение; лазерное испарение; ионно-лучевое распыление; катодное распыление; магнетронное распыление и
химические методы осаждения:
осаждение из газовой фазы; метод распылительного пиролиза; жидкофазная эпитаксия; электролиз; золь – гель метод.
18с.
Aronitue9
: 31 декабря 2011
20 руб.
Система трех линейных уравнений
evybwf
: 8 октября 2015
Контрольная работа №1
Задача 1. Дана система трех линейных уравнений. Найти решение ее двумя способами: методом Крамера и методом Гаусса.
Задача 2. Даны координаты вершин пирамиды А1А2А3А4. Найти:
длину ребра А1А2;
угол между ребрами А1А2 и А1А4;
площадь грани А1А2А3;
уравнение плоскости А1А2А3.
объём пирамиды А1А2А3А4.
2.2. А1 ( 1; 8; 2), А2 ( 5; 2; 6), А3 ( 0; -1; -2), А4 (-2; 3; -1).
Контрольная работа №2
Задача 3. Найти пределы функций:
Задача 4. Найти значение произв
evybwf
: 8 октября 2015
150 руб.
1750 руб.
