Устройства оптоэлектроники.Контрольная работа.Вариант № 2.

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E2121CD5-A912-4A08-99FA-42B292A4DF5B.rar [ 101 KB ]
material.view.file_icon Устройства оптоэлектроники .doc [ 150 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4

Дополнительная информация

Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки:2012
Рецензия:Уважаемый ****,при решении задачи No3 неверно изображение УГО индикатора.

Похожие материалы

Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные Тип материала – Ge; Квантовая эффективность = 0,2; Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User svh : 1 октября 2016
220 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Вариант 02 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Ge 0,2 0,6 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Антон133 : 3 апреля 2016
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. контрольная работа. Вариант №2
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. 0,6 1.41 Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикато
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Vokut : 21 декабря 2015
350 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User 1ked : 13 декабря 2015
250 руб.
Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Дано: Для варианта 02 Тип ПП материала – Ge Квантовая эффективность = 0,2 Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ Задача N
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User marucya : 14 апреля 2014
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника. Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки. Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ser378 : 19 октября 2013
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника. Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней Тип ПП материала - Квантовая эффективной Ширина запрещённой зоны . см. скриншот Задача №3. Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатор
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User BuKToP89 : 31 марта 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.

Другие работы

Магазин світлотехніки Сяйво
ВСТУП РЕЗЮМЕ 1. ГАЛУЗЬ, ПІДПРИЄМСТВО ТА ЙОГО ПРОДУКЦІЯ 1.1. Підприємство та галузь 1.2. Продукція 2. ДОСЛІДЖЕННЯ РИНКУ 3. МАРКЕТИНГОВИЙ АНАЛІЗ І СТРАТЕГІЇ 4. ВИРОБНИЧИЙ ПЛАН 5. ОРГАНІЗАЦІЙНИЙ ПЛАН 6. ОЦІНКА РИЗИКІВ 7. ФІНАНСОВІЙ ПЛАН 7.1 Складання прогнозів з обсягів доходів з продажу продукції 7.2 Розрахунок витрат підприємства 7.3 Розрахунок операційного прибутку 7.4 Розрахунок суми сплати процентів 7.5 Розрахунок прибутку підприємства до сплати податку підприємства на прибуток
Работа Экономика
User evelin : 20 ноября 2013
15 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы информационный безопасности. Тема 36
Тема: «Инновации в криптографии» Содержание Введение 2 1. Основные понятия криптографии 4 2. Проблемы современной криптографии 7 3. Тенденции развития криптографии в XXI веке: инновации и перспективы развития 9 3.1. Квантовая криптография 9 3.2. Криптография на решетках 14 3.3. Будущее криптографии: гомоморфное, медовое, функциональное и ДНК-шифрование 16 3.4. Применение криптографии в интернете вещей 17 Заключение 22 Список использованных источников 24
Основы информационной безопасности ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User SibGOODy : 10 июля 2023
450 руб.
promo
Ответственность за вред причиненный незаконными действиями органами дознания, прокуратуры, суда
Целью настоящего исследования является изучение проблемных вопросов гражданско-правовой ответственности за вред, причиненный незаконными действиями органов дознания, прокуратуры, суда, анализ законодательных актов, регламентирующих отношения, связанные с возмещением вреда в современных условиях правовой реформы в России, изучение исторического опыта гражданско-правовой ответственности. Исходя из намеченных целей, в настоящей работе поставлены следующие основные задачи: исследовать становление и
Диплом и связанное с ним Право уголовное
User Pazon : 2 октября 2009
Схемотехника телекоммуникационных устройств (Контрольная работа). 5-й вариант
Контрольная работа 5 вариант С целью наиболее полного ознакомления с принципами расчетов усилительных каскадов в контрольную работу включены расчеты резисторного каскада на биполярном транзисторе, который широко применяются в качестве предварительного каскада усиления гармонических сигналов. Выполнить расчет сопротивлений схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией (рисунок 2 или 4 методических указаний) с исходными данными, указанными в таблице
Схемотехника СибГУТИ Работа Контрольная
User merzavec : 10 февраля 2013
110 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств (Контрольная работа). 5-й вариант
up Наверх