Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы схемотехники. 3-й семестр, 01 вариант

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 570B55DA-270C-4D64-829C-5E655BDF043E.zip [ 423 KB ]
material.view.file_icon Лабораторная работа №1 по дисциплине Основы Схемотехники.doc [ 645 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
Цель работы:
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).

Описание схемы исследуемого усилителя:
Принципиальная схема резисторного каскада приведена на рисунке 1.
Транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером.

Дополнительная информация

2012год,оценка:зачет,препод:Архипов С.Н.

Похожие материалы

Основы схемотехники. Контрольная работа №1.6-й семестр.01 вариант
Задача № 1. Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала. Таблица 1 Исходные данные Технические данные Номер варианта 0 Марка транзистора КТ352А Амплитуда сигнала на нагрузке, UmН, В 1,3 Относительный
Схемотехника СибГУТИ Работа Контрольная
User zealotdub : 2 июня 2014
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы схемотехники, 3-й семестр; 01 вариант
Задание на контрольную работу: Выполнить расчет сопротивлений схемы на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией. Расчет цепей питания по постоянному току Расчет величины коллекторного резистора Выбираем 1,1 кОм МЛТ-0,125 Вт ±10% Расчет величины резистора в эмиттерной цепи
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Контрольная
User Azeke3005 : 16 февраля 2013
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы схемотехники
. Принципиальная схема исследуемого каскада. 2. Результаты расчета. 3. Графики амплитудно-частотных характеристик. 4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений. 5. Выводы по результатам измерений, сравнение с результатами расчетов.
Основы схемотехники Работа Лабораторная
User aleksei84 : 4 ноября 2014
29 руб.
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Основы схемотехники
Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе Содержание отчета 1. Принципиальная схема исследуемого каскада. 2. Результаты расчета. 3. Графики амплитудно-частотных характеристик. 4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений. 5. Выводы по результатам измерений, сравнение с результатами расчетов.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User shpion1987 : 11 мая 2012
30 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №6
Тема: "Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе" Цель работы: Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Описание схемы исследуемого усилителя Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ.дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rб.б=50Ом, Eп=15В, iк0=18,6мА Варианты значений емкостей № варианта
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 20 августа 2017
400 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №2
Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА. Варианты значений разделительных емкостей (С1, С2), емкости нагрузки (С3) и емкости в цепи эмиттера
ДО СИБГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User freelancer : 23 апреля 2016
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №2
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №2
Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА. Варианты значений разделительных емкостей (С1, С2), емкости нагрузки (С3) и емкости в цепи эмиттера
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 20 ноября 2014
200 руб.
Лабораторная работа № 1 по дисциплине «Основы схемотехники». семестр 3-й. вариант 21-й
1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя: • Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада. • Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Опреде
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User Serebro09 : 15 ноября 2015
60 руб.

Другие работы

Схемотехника телекоммуникационных устройств. Контрольная работа.
Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала. Исходные данные для расчетов приведены в таблицах 1 и 2. Таблица 1 – Исходные данные Технические данные Вариант 0 Марка транзистора КТ352А Амплитуда сигна
******* Не известно Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Контрольная
User 1973830311asd : 8 мая 2021
700 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 2 Вариант 40
Воздух течет внутри трубы, имея среднюю температуру tв, давление р1=1 МПа и скорость ω. Определить коэффициент теплоотдачи от трубы к воздуху (α1), а также удельный тепловой поток, отнесенный к 1 м длины трубы, если внутренний диаметр трубы d1, толщина ее δ и теплопроводность λ1=20 Вт/(м·К). Снаружи труба омывается горячими газами. Температура и коэффициент теплоотдачи горячих газов, омывающих трубу, соответственно равны tг­, α2. Данные, необходимые для решения задачи выбрать из табл. 6. Физиче
Задачи Теплотехника
User Z24 : 11 января 2026
180 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 2 Вариант 40
Сетевые базы данных. Лабораторная работа №7. Вариант 8
Задание: 1. Создать триггер PL/SQL, который запрещает удаление продавцов, если количество выполненных им заказов больше трех. 2. Создать триггер PL/SQL, который регистрирует в журнальной таблице операции вставки, изменения и удаление заказов. Регистрация выполняется только в нерабочее время и включает имя пользователя, вид операции и стоимость заказа. 3. Создайте триггер, предназначенный для формирования первичного ключа при вставке строки в таблицу, созданную в задании 1 лабораторной работы 3.
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User Shamrock : 5 марта 2015
220 руб.
Зачет. Химия радиоматериалов. 1 семестр. Чем вызвана поверхностная электропроводность твердых диэлектриков?
Поверхностная электропроводность диэлектриков создается благодаря неизбежному увлажнению, окислению, загрязнению поверхностных слоев электрической изоляции. Поэтому диэлектрик характеризуется значением удельного поверхностного сопротивления . где - поверхностное сопротивление, h- расстояние между параллельными друг другу кромками электродов, b -длина электродов. У проводниковых материалов поверхностные токи исчезающе малы по сравнению с объемными, поэтому у этих материалов поверхностное сопро
СибГУТИ Химия радиоматериалов Работа Зачетная
User Zenkoff : 2 ноября 2013
60 руб.
up Наверх