Экзамен по дисциплине электроника. Билет № 12

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 88DE590D-3F0D-43A0-B9FE-A26DF83D001C.rar [ 439 KB ]
material.view.file_icon Экзамен билет 12.doc [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка:Отлично
Дата оценки: 11.2012
Рецензия:Уважаемая, Вы правильно ответили на все вопросы.
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №12
1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисто
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DreaMaster : 14 сентября 2014
35 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №1
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточ
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 6 ноября 2019
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №17
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Пр
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 9 февраля 2019
85 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: «Электроника». Билет №15
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Колька : 1 октября 2016
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.

Другие работы

Ангіоархітектоніка плаценти людини і структура плацентарного бар’єра в нормі
Робота виконана у Вищому державному навчальному закладі України «Українська медична стоматологічна академія» МОЗ України. Науковий керівник: доктор медичних наук, професор Шерстюк Олег Олексійович, Вищий державний навчальний заклад України «Українська медична стоматологічна академія» МОЗ України, завідувач кафедри анатомії людини. Офіційні опоненти: доктор медичних наук, професор Лупир Віктор Михайлович, Харківський національний медичний університет МОЗ України, професор кафедри анатомії людини;
Рефераты Медицина и медицинская техника
User alfFRED : 23 января 2013
Источники семейного права2
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. Понятие семейного права. 1.1. Понятие семейного права 1.2. Понятие источника права 2. Источники семейного права. 2.1 Роль Конституции как источника семейного права; 2.2 СК РФ как стержень источников семейного права. 2.3 Федеральные законы и законы субъектов Федерации, включающие в себя нормы семейного права 2.4 Нормативно-правовые акты как источники семейного права 2.5 Международные нормы в семейном праве 2.6 Вспомогательные источники семейного права ЗАКЛЮЧЕНИЕ ИС
Право гражданское и хозяйственное
User nkvdshnik78 : 31 августа 2014
800 руб.
Лабораторные работы №№ 1,2,3,4,5 по теории информации. Вариант 0
1. Вычисление энтропии Шеннона: Реализовать процедуру вычисления энтропии для текстового файла на английском языке. В процедуре необходимо подсчитывать частоты появления символов (прописные и заглавные буквы не отличаются, знаки препинания рассматриваются как один символ, пробел является самостоятельным символом), которые можно использовать как оценки вероятностей появления символов. Затем вычислить величину энтропии Шеннона. Точность вычисления -- 4 знака после запятой. Обязательно предусмотре
СибГУТИ Информатика Работа Лабораторная
User Despite : 17 апреля 2013
250 руб.
ИГ.02.21.01 - Эпюр 2. Задача 1
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16 Вариант 21 ИГ.02.21.01 - Эпюр 2. Задача 1. Способ плоскопараллельного перемещения На прямой а найти точки, удаленные от точки С на 55 мм. Решать способом плоско параллельного перемещения. А(110;20;25) В(20;60;75) С(80;80;85) В состав работы входят два файла: - чертеж формата А3 в двух видах с сохранением всех линий построения, для большей понятности знаком поворота указан повернутый вид на данном шаге, его перечерчивать не нужно, разрешение файла *.cdw
СибГАУ Чертежи Инженерная графика
User Чертежи СибГАУ им. Решетнева : 10 марта 2023
100 руб.
ИГ.02.21.01 - Эпюр 2. Задача 1
up Наверх