Экзамен по дисциплине электроника. Билет № 12

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 88DE590D-3F0D-43A0-B9FE-A26DF83D001C.rar [ 439 KB ]
material.view.file_icon Экзамен билет 12.doc [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка:Отлично
Дата оценки: 11.2012
Рецензия:Уважаемая, Вы правильно ответили на все вопросы.
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №12
1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисто
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DreaMaster : 14 сентября 2014
35 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №1
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточ
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 6 ноября 2019
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №17
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Пр
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 9 февраля 2019
85 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: «Электроника». Билет №15
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Колька : 1 октября 2016
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.

Другие работы

Лабораторная работа №3 по дисциплине: Объектно-ориентированное программирование
Тема: Принцип наследования. Создание иерархии классов. Классы и модули. Задание: Создать иерархию графических классов в соответствии с рисунком. Описания классов оформить в отдельном модуле.
Объектно-ориентированное программирование ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная
User vohmin : 3 июня 2018
50 руб.
Зачёт. 5 семестр Билет 2
Экзаменационное задание по курсу: Решение должно содержать: 1) титульный лист, в котором должны быть отражены: федеральный орган, образовательное учреждение (ОУ), подразделение ОУ, название курса, фамилия и инициалы автора, название группы; 2) номер задачи; 3) условие задачи; 4) вывод необходимых расчетных формул с пояснением всех условных обозначений; 5) при выполнении численных расчетов надо записать расчетную формулу определяемой величины, сделать соответствующую численную подстановку и
ДО СИБГУТИ Метрология и стандартизация Работа Зачетная
User Madam : 27 сентября 2018
Антикризисное управление и диагностика финансового состояния предприятия
В условиях рыночных отношений центр экономической деятельности перемещается к основному звену всей экономики - предприятию. Именно на этом уровне решаются проблемы, связанные с конкурентоспособностью предприятия, его финансовым состоянием, риском хозяйственной деятельности, применением высокопроизводительной техники и технологий, снижением издержек производства и реализации продукции. В условиях перехода к рыночной экономике устойчивое развитие предприятия во многом зависит от того, кто наиболее
Менеджмент Работа
User Lokard : 19 марта 2014
10 руб.
Гидравлика и теплотехника ТОГУ Термодинамика Задача 11 Вариант 2
Определить параметры состояния 1 кг воздуха в конце адиабатного расширения от давления р1 до р2 = 0,1 МПа. Определить также работу процесса и изменение внутренней энергии воздуха. Начальная температура газа t1 = 27 ºС.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 19 января 2026
150 руб.
Гидравлика и теплотехника ТОГУ Термодинамика Задача 11 Вариант 2
up Наверх