Экзамен по электронике.

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8C77002E-474C-428D-A8F1-AAB62E356F22.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Структурные схемы и поколения ОУ.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 2013
Рецензия:Уважаемый Вы неверно ответили на второй
вопрос(рассмотренные схемы не соответствуют заданию)

Игнатов Александр Николаевич
Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике
Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
User Deamon : 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p
User svh : 26 сентября 2016
220 руб.
Курсовая работа «Проект ГТС на базе SDH»
Введение…………………………………………………………………………………. 3 1. Разработка схемы построения ГТС…………………………………………………. .3 1.1. Анализ способов построения местных телефонных сетей общего пользования………………………………………………………………………… 3 1.2. Обоснование выбора способа построения проектируемой сети.......….…… 5 1.3. Разработка нумерации абонентских линий…………………..….…………... 6 2. Расчет интенсивности нагрузки……………………………………………………... 8 2.1. Составление диаграмм распределения нагрузки……….…………………… 8 2.2. Расчет исходящей нагрузк
User lebed-e-va : 20 марта 2016
300 руб.
Теория массового обслуживания. Зачет. Билет №12.
Теория массового обслуживания. Зачет Билет №12 1. Случайный процесс. Математическое ожидание и дисперсия. 2. Среднее число требований в системе M/G/1. Формула Полячека-Хинчина.
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
200 руб.
Страна озер - Финляндия
Введение Глава 1. Общая географическая характеристика страны. 1.1. Официальное название страны, географическое положение, климат. Глава 2. Вехи истории. Глава 3. Экономика. Глава 4. Виза. Глава 5. Таможенный контроль. Глава 6. Транспорт. 6.1. Авиатранспорт. 6.2. Автомобильный транспорт. 6.3. Железнодорожный транспорт. 6.4. Морской транспорт. 6.5. Другие виды транспорта. Глава 7. Этнографическая характеристика страны. 7.1. Язык. 7.2. Население и религия. 7.3. Национальные традиции
User evelin : 25 сентября 2013
15 руб.
Грошовий ринок та Міжнародний валютний фонд
1. Суть грошового ринку. Гроші як об’єкт купівлі-продажу. Структура грошового ринку Оборот грошей у процесі виробництва, розподілу й обміну суспільного продукту й перерозподілу національного доходу органічно включає сукупність операцій грошового ринку. Особливо важлива роль грошового ринку у підтриманні стабільності суспільного відтворення, тому що забезпечення сталого відтворення потребує оволодіння грошовим ринком, його суттю, структурою та механізмом функціонування, вимагає оволодіння особлив
User Elfa254 : 24 октября 2013
10 руб.
up Наверх