Экзамен по электронике.

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8C77002E-474C-428D-A8F1-AAB62E356F22.doc [Office 2010, 13 стр., 161 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Структурные схемы и поколения ОУ.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 2013
Рецензия:Уважаемый Вы неверно ответили на второй
вопрос(рассмотренные схемы не соответствуют заданию)

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике
Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Deamon : 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User svh : 26 сентября 2016
220 руб.

Другие работы

Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 1 Вариант 24
В идеальный поршневой компрессор поступает М, кг/c воздуха с начальными параметрами р1=0,1 МПа и t1=27 ºC. Воздух сжимается до давления р2. Определить начальный υ1 и конечный υ2 удельные объемы, м³/кг, конечную температуру t2, ºC, изменение энтропии Δs, кДж/(кг·К), l — удельную работу сжатия, кДж/кг, мощность компрессии, N, кВт, а также количество теплоты, участвующее в процессе сжатия Q, кВт и при изобарном охлаждении воздуха в промежуточных охладителях Q0, кВт. Расчет произвести последов
Задачи Теплотехника
User Z24 : 20 января 2026
400 руб.
Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 1 Вариант 24
Теплотехника Задача 11.11 Вариант 35
Газ массой М имеет начальные параметры — давление р1 и температуру t1. После политропного изменения состояния объем газа стал V2, а давление р2пол. Определите характер процесса (расширение или сжатие газа), показатель политропы n, конечную температуру t2, теплоемкость политропного процесса c, работу и теплоту в процессе, а также изменение внутренней энергии и энтропии газа. Определите эти же величины и конечное давление p2, если изменение состояния газа до того же объема V2 происходит: а) по изо
Задачи Теплотехника
User Z24 : 8 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника Задача 11.11 Вариант 35
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 1 Вариант 10
Определить тепловой поток Q, проходящий через плоскую двухслойную стенку, имеющую поверхность F, а также найти температуру на границе слоев, если известно, что стенка состоит из слоя шамота толщиной S1 и слоя тепловой изоляции толщиной S2; коэффициенты теплопроводности слоев соответственно λ1 и λ2; температура внутренней поверхности стенки t1, температура наружной поверхности t3=80°С. Как изменится величина теплового потока, если слой тепловой изоляции будет убран, а температура на наружной пове
Задачи
User Z24 : 3 января 2026
200 руб.
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 1 Вариант 10
Вариант №30. Соединения резьбовые по методичке Липовки
Всё выполнено в программе Компас 3D v16 В состав работы входят два файла: ИГ01.30.000 СБ - Соединения резьбовые Сборочный чертеж ИГ01.30.000 СП - Соединения резьбовые Спецификация Работа выполнена по методичке Липовки Е.Р. "Инженерная графика. Соединения разъемные", ред. 2012г. Сборочный чертеж выполнен на формате А3 с двумя выносными элементами, крепежные изделия на основных видах выполнены в упрощенном виде, все размеры расчитаны по формулам, предоставленных в методичке, из справочника взят
СФУ Чертежи Инженерная графика
User Чертежи : 8 мая 2019
100 руб.
Вариант №30. Соединения резьбовые по методичке Липовки
up Наверх