Экзамен по электронике.

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8C77002E-474C-428D-A8F1-AAB62E356F22.doc [ 161 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Структурные схемы и поколения ОУ.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 2013
Рецензия:Уважаемый Вы неверно ответили на второй
вопрос(рассмотренные схемы не соответствуют заданию)

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике
Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Deamon : 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User svh : 26 сентября 2016
220 руб.

Другие работы

Контрольная работа по дисциплине: Культурология
семестр 3 вариант 1 Художественный образ в разных видах искусства. Красота как сущность искусства. Нормы и ценности в современной культуре. Традиции и пассионарность. Наука и религия: два взгляда на мир. Техника как явление культуры. Влияние новых технологий на искусство. “Американизация” как явление современной культуры. Истоки культуры постмодернизма. Элитарная культура: миф или реальность. Культура как средство приспособления человека к окружающей среде. Творчество как одна из потребностей ч
СибГУТИ Рефераты Культура, искусство, спорт и туризм
User glec : 26 января 2013
70 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 1 Вариант 84
Плоская стальная стенка толщиной δ1 (λ1=40 Вт/(м·К)) с одной стороны омывается газами; при этом коэффициент теплоотдачи равен α1. С другой стороны стенка изолирована от окружающего воздуха плотно прилегающей к ней пластиной толщиной δ2 (λ2=0,40 Вт/(м·К). Коэффициент теплоотдачи от пластины к воздуху равен α2. Определить тепловой поток ql, Вт/м² и температуры t1, t2 и t3 поверхностей стенок, если температура продуктов сгорания tг, а воздуха — tв.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 11 января 2026
120 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 1 Вариант 84
Управление конфликтами в малом бизнесе
Введение Управление конфликтами в организации 1.1 Природа конфликта в организации, типы и причины возникновения конфликтов Методы управления конфликтной ситуацией в малых организациях Управление конфликтами в ООО «МолПродукт» 2.1 Характеристика ООО «МолПродукт» 2.2 Анализ управления конфликтов в ООО «МолПродукт» 2.3 Предложения по совершенствованию управления конфликтами в ООО «МолПродукт» Заключение Список использованных источников Приложение Введение Работающие в организации люди различны ме
Менеджмент Работа
User Elfa254 : 6 апреля 2014
5 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Электромагнитные поля и волны. Вариант №4
Задача 1. Плоская электромагнитная волна с частотой f распространяется в безграничной реальной среде с диэлектрической проницаемостью ε, магнитной проницаемостью μa=μ0, проводимостью σ. Амплитуда напряженности электрического поля в точке с координатой z=0, Em. 1. Определить к какому типу относится данная среда на заданной частоте. 2. Рассчитать фазовый набег волны на расстоянии, равном глубине проникновения ∆0. 3. Рассчитать отношение фазовой скорости в реальной среде к фазовой скорости в идеал
СибГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа
User DreaMaster : 14 сентября 2014
35 руб.
up Наверх