Экзамен по электронике.

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8C77002E-474C-428D-A8F1-AAB62E356F22.doc [ 161 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Структурные схемы и поколения ОУ.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 2013
Рецензия:Уважаемый Вы неверно ответили на второй
вопрос(рассмотренные схемы не соответствуют заданию)

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике
Экзамен по электронике. Билет 3.
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем. 2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ. При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 1 февраля 2012
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Deamon : 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User svh : 26 сентября 2016
220 руб.

Другие работы

Беспроводные технологии передачи данных. Лабораторная работа «АУТЕНТИФИКАЦИЯ И ШИФРОВАНИЕ В GSM». Вариант 08. 2020 год
Лабораторная работа «АУТЕНТИФИКАЦИЯ И ШИФРОВАНИЕ В GSM» Вариант определяется последними двумя цифрами Вашего пароля XY (XY=08) Подготовка к выполнению работы: Скачать и установить демо-версию программы RuimTool «2G + 3G/4G Authentication». Скачать можно с официального сайта http://www.ruimtools.com/products.php Найти в Интернете и скачать таблицу ASCII. Задание: Произвести расчет SRES и Kc с помощью программы 2G + 3G/4G Authentication, после чего закодировать текстовое сообщение ключом Kc п
Беспроводные технологии передачи данных ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная
User SibGUTI2 : 29 октября 2020
50 руб.
Беспроводные технологии передачи данных. Лабораторная работа «АУТЕНТИФИКАЦИЯ И ШИФРОВАНИЕ В GSM». Вариант 08. 2020 год
Курсовой проект по водоснабжению и водоотведению
ЗАДАНИЕ Запроектировать внутреннюю систему холодного водоснабжения, внутреннюю и дворовую канализацию. Исходные данные 1 Число этажей 8 2 Высота этажа 2,9 м 3 Толщина межэтажного перекрытия 0,3 м 4 Высота техподполья (от пола до пола) 2 м 5 Абсолютная отметка пола первого этажа 77 м 6 Средняя заселенность квартир 3,8 чел. 7 Норма водопотребления 275 л/чел-сут Характеристики наружного водопровода в месте подключения ввода 1 Гарантийный напор в городском водопроводе 40 м 2 Диаметр трубы городского
Водоснабжение и водоотведение Работа Курсовая
User SerFACE : 12 сентября 2014
140 руб.
Курсовой проект по водоснабжению и водоотведению
Кластерный анализ в портфельном инвестировании
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………..3 1. Понятие кластерного анализа………………………………………………….5 2. Кластерный анализ в портфельном инвестировании………………………...8 3. Алгоритм оптимизации портфеля с применением кластерного анализа….15 4. Кластеризация «голубых фишек» российского фондового рынка………...22 ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………………….25 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ……………………………………………………….27
Работа Экономика
User evelin : 31 октября 2012
15 руб.
Экономическо-математические методы и модели.
ЗАДАЧА 1. На территории города имеется три телефонных станции А, Б и В. Незадействованные емкости станций составляют на станции А - QА = 600, Б - QБ = 400, В - QВ = 700. Потребности новых районов застройки города в телефонах составляют: 1 - q1 =350, 2 - q2 =400, 3 - q3 =500, 4 - q4 =450 номеров. Необходимо составить экономико-математическую модель задачи и с помощью распределительного или модифицированного метода линейного программирования найти вариант распределения емкостей телефонных станций
СибГУТИ Статистика Работа Контрольная
User xtrail : 17 марта 2013
130 руб.
up Наверх