Электроника физическая

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному ток

"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов" Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов. Ход работы 1. Статические передаточные характеристики ПТ. Выходные характеристики полевого транзистора. Определение крутизны. Исследовние работы усилителя. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики . Режим обогащения. Режим отсечки. Выводы

Билет № 4 1. Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода. 2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.

Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;

"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА. 2. Обратное вк

"Исследование статических характеристик биполярного транзистора" Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Ход работы Схема с общей базой. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при и В. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при , мА и мА. Схема с общим эмиттером. Снятие входных характеристик биполярного

4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани

Приложены файлы для построения графиков ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗА

ЗАДАЧА 1 Плоская электромагнитная волна с частотой f распространяется в безграничной реальной среде с диэлектрической проницаемостью , магнитной проницаемостью = , проводимостью . Амплитуда напряженности электрического поля в точке с координатой z = 0 Еm. 1. Определить к какому типу относится данная среда на заданной частоте. 2. Рассчитать фазовый набег волны на расстоянии, равном глубине проникновения ∆0. 3. Рассчитать отношение фазовой скорости в реальной среде к фазовой скорости в идеа

Лабораторная работа 2. Разветвляющиеся вычислительные процессы вариант 9 Задание к работе: Реализовать разветвляющийся вычислительный процесс. Самостоятельно решить две задачи в соответствии с индивидуальным вариантом. Постановка задачи 1 Написать программу, которая по введённому значению аргумента вычисляет значение функции, заданной в виде графика ЕСТЬ ЕЩЕ РАБОТЫ 9 Варианта перите на почту tarabrin2011@yandex.ru

Билет № 2 1 Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике. 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение

Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-

Лабораторная работа №6,8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц H К, пс 8 КТ605А 15 250 625 375 20 2,75 220 Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутст