Элементная база телекоммуникационных систем

Лабораторная работа №2 «ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ» Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом Задание на выполнение лабораторной работы Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и характеристику полевого транзистора. Выполнение исследований Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом 1. Выбрать тип (марку) полевого транзистора

Лабораторная работа №1 «ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ» Цель работы: 1. Изучить характеристики выпрямительного диода. 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. 1. ВАХ диода Таблица 1.1 ‒ Характеристики диода (вариант 6) Тип диода: Zelex BAS21 Предельно допустимый постоянный прямой ток Iпр.max, мА: 200 Предельно допустимое обратное напряжение Uобр.max, В: 200 2. ВАХ стабилитрона

Лабораторная работа №2 Изучение интегральных операционных усилителей Цель работы: Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ). Задание 1.1. Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную индивидуальным заданием. 1.2. Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудной и амплитудно-частотной характеристик. 1.3. Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать: - схему устройства; - виды характеристик (амплитудной и АЧХ); - спи

Лабораторная работа №1 Разработка интегрального цифрового устройства ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). ЗАДАНИЕ 1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации. 1.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых элеме

АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1). Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы Цифра пароля: 12 Тип наноизделия: Intel Core 2 Extreme X 6800 Тип транзистора: KT306AM Тип ЭВП: 6С65Н Тип БИС: ATF2500BQL Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов,

Лабораторная работа №1 Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характеристики выпрямительного диода. 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. Выполнение лабораторной работы 1. Выбрать выпрямительный диод в соответствии с вариантом. Для варианта 1 выпрямительный диод типа Zelex BAS20 Записать значения следующих параметров диода BAS20: 2. Построить прямую ветвь ВАХ выпрямительного диода. Для

Лабораторная работа №2 Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом Задание на выполнение лабораторной работы Рассчитать основные параметры и построить сток-затворную и характеристику полевого транзистора. Выполнение исследований Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом 1. Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуцированным каналом в соответствии с вариантом. Вариант 1 - транзистор типа Phili

АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ 1. Задание. 1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегр

АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1). Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы Цифра пароля: 17 Тип наноизделия: AMD Turion 64 Тип транзистора: КТ371А Тип ЭВП: 6С63Н Тип БИС: ATF1500AL Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые исполь

ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем. ЗАДАНИЕ В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми). Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом Задание на выполнение лабораторной работы: Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и характеристику полевого транзистора. Выполнение исследований: Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом 1. Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуцир