6 вариант Контрольная работа и Лабораторные работы 1-3 «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)»

Состав работы

КР Вариант 6.rar [ 650 KB ]

КР Вариант 6.docx [ 738 KB ]

Лабораторные работы 1-3.rar [ 807 KB ]

Лабораторная работа 3.DOC [ 164 KB ]

Лабораторная работа 1.doc [ 330 KB ]

Лабораторная работа 2.doc [ 481 KB ]

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Контрольная работа вариант 6.

Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.

Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.

Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача №4.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Лабораторная работа 1
Схема для исследования диодов в прямом включении.

Снятие вольтамперных характеристик диодов D7B и KD102B при прямом включении

Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора

1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Лабораторная работа 3
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные

Илья272 : 11 июня 2021

500 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12

******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная

Илья272 : 21 мая 2021

350 руб.

Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные

Алексей134 : 4 марта 2021

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7

1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные

IT-STUDHELP : 1 декабря 2021

200 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11

1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные

IT-STUDHELP : 1 декабря 2021

200 руб.

«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18

Вопросы билета. 1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная

boeobq : 21 ноября 2021

135 руб.

Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 2 Вариант 77

Увеличение давления происходит при внезапном расширении трубы от d до D (рис. 2), которому соответствует разность показаний пьезометров Δh, установленных в сечениях трубы 1-1 и 2-2. Учитывая местные потери hм на внезапное расширение трубы, определить скорости υ1, υ2 и расход жидкости Q.

Задачи Гидравлика

Z24 : 8 марта 2026

180 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Техника и технологии первичной обработки сигналов. Вариант №04

Вариант No4 Задание 1. Определить минимально необходимую частоту дискретизации f_Д, если верхняя частота в спектре сигнала f_В равна 10 кГц. Задание 2. Определить мощность шума квантования и мощность шума паузы при равномерном квантовании, если шаг квантования δ равен 1.5мВт. Задание 3. При заданном максимальном числе уровней шкале квантования М=64, определить длину кодового слова n и записать в двоичной системе заданный уровень сигнала А=60. Задание 4. Ответить на теоретический вопрос в со

Техника и технологии первичной обработки сигналов СибГУТИ Работа Контрольная

IT-STUDHELP : 22 апреля 2023

450 руб.

Расчетная работа №3

«Численное дифференцирование»

Математика ВТУЗ (СПБГПУ) Практические занятия и отчеты

Администратор : 27 февраля 2006