6 вариант Контрольная работа и Лабораторные работы 1-3 «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)»
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
01.11.2025
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
MehVV
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР Вариант 6.docx
|
|
|
Лабораторная работа 3.DOC
|
|
Лабораторная работа 1.doc
|
|
Лабораторная работа 2.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа вариант 6.
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача №4.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Лабораторная работа 1
Схема для исследования диодов в прямом включении.
Снятие вольтамперных характеристик диодов D7B и KD102B при прямом включении
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача №4.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Лабораторная работа 1
Схема для исследования диодов в прямом включении.
Снятие вольтамперных характеристик диодов D7B и KD102B при прямом включении
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
boeobq
: 21 ноября 2021
Вопросы билета.
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
boeobq
: 21 ноября 2021
135 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: «Ценообразование». Вариант №1
Albinashiet
: 10 декабря 2014
Теоретический вопрос
Государственное регулирование цен. Регулирование цен на продукцию вашего предприятия (фирмы)
План:
Введение……….…………………………………………….…………….................…..3
1. Определение и виды цены……………………………………………….…...............3
2. Государственное регулирование цен. Цели и методы воздействия…….................4
Заключение:…………………………………………………………………….............6
Задача №1
1. Определите:
а) розничную цену изделия при условии, что товар поступает в розничную сеть через оптовую базу;
б)
Albinashiet
: 10 декабря 2014
75 руб.
Основные категории и понятия административного права в Республике Казахстан
alfFRED
: 14 сентября 2013
Введение …………………………………………………………………………3
Общественные (некоммерческие) организации и религиозные объединения.6
Молодежные и детские объединения……………………………………..……10
Центральные исполнительные органы (министерства, агентства)……….......12
Местные исполнительные органы……………………………………………16
Организации как субъекты административного права…………………….….…18
Административные взыскания…………….…………………………………....20
Виды административных взысканий…………………………………..……...23
Список использованной литературы:………………………….…………
alfFRED
: 14 сентября 2013
5 руб.
Программное обеспечение цифровых систем коммутации. Лабораторная работа 3. 6 вариант.
dsimav
: 11 мая 2017
Лабораторная работа № 3
"Программная реализация процессов формирования и выдачи
периферийных команд"
1. Цель работы
1.1. Изучение принципов формирования и выдачи периферийных команд (ПК) в автоматических системах коммутации (АСК) с программным управлением.
1.2. Изучение состава данных, используемых программами формирования и выдачи ПК.
1.3. Изучение принципов взаимодействия программ подключения комплектов, приема знаков номера (КПН), формирования ПК, выдачи ПК, проверки выполнения ПК.
1.4.
dsimav
: 11 мая 2017
100 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Оптимизация программного обеспечения. Вариант №7
IT-STUDHELP
: 29 апреля 2021
Вариант № 7
1. Задание
1. Написать подпрограмму вычисления свёртки двух сигналов. Тип элемента, хранящего значение отсчёта сигнала, - long.
2. Реализовать возможность вызова подпрограммы из п.1 в цикле для заданного диапазона размеров матрицы с заданным шагом приращения размера.
3. Встроить измерение времени выполнения главной вычислительной операции с помощью монотонного таймера.
4. Собрать статистику времени выполнения вычислительной подпрограммы для нескольких уровней оптимизации в выбранном
IT-STUDHELP
: 29 апреля 2021
950 руб.
