Гидравлика ТОГУ 2014 Задача З1
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Определить скорость перемещения поршня гидротормоза диаметром D=200 мм, нагруженного силой F=50 кН, если перетекание жидкости из нижней полости цилиндра в верхнюю происходит через два отверстия в поршне, диаметр которых d=10 мм (рис. 26). Коэффициент расхода отверстий μ=0,6, плотность жидкости ρ=865 кг/м³. Трением поршня о стенки цилиндра пренебречь.
Другие работы
Механика жидкости и газа ВлГУ Контрольное задание 1 Задача 3 Вариант 6
Z24
: 22 декабря 2025
Цилиндрический закрытый сосуд (рис. 13, табл. 3) с вертикальной осью, имеющий высоту H и диаметр 2R, наполнен жидкостью на глубину H0. Определить скорость его вращения (число оборотов в минуту) в двух случаях: а) когда воронка расположена на высоте h над дном сосуда; б) когда диаметр воронки равен 2r.
160 руб.
Корпус электромагнита
coolns
: 13 марта 2020
Корпус электромагнита сборочный чертеж
Корпус электромагнита спецификация
Корпус электромагнита 3d модель
Корпус электромагнита чертежи
Корпус электромагнита является основой для создания различных вариантов исполнительных электромеханических устройств, используемых в системах автоматики и телемеханики.
На сердечник 2 корпуса надевается катушка 3 с многослойной электрической обмоткой. Затем катушка закрывается кожухом 6 с наклеенной на его торцевую стенку резиновой прокладкой 5 и фиксируется на
550 руб.
Контрольная работа по электропитанию устройств и систем ТК. Вариант 06. Семестр 9. ЗО.
grigorev1976
: 5 сентября 2018
1 Задание и оформление контрольной работы
В контрольной работе необходимо выполнить следующее:
- рассчитать количество и емкость элементов аккумуляторных батарей и выбрать их тип; найти ток выпрямителя и мощность, потребляемую ЭПУ от внешней сети; выбрать типовое выпрямительное устройство; выбрать вводный шкаф; рассчитать заземляющее устройство и выбрать автомат защиты.
- рассчитать магистральную проводку от источника электропитания до рядов аппаратуры, проводку в рядах с учетом требований по о
170 руб.
Сверхбольшие интегральные схемы
Elfa254
: 27 сентября 2013
8. СПИСОК ИСПЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ……………………………37
1. ВВЕДЕНИЕ
С момента появления первых полупроводниковых микросхем (начало 60-х годов) микроэлектроника прошла путь от простейших логических элементов до сложных цифровых устройств, изготавливаемых на одном полупроводниковом монокристалле площадью около 1 см2. Для обозначения микросхем со степенью интеграции выше 104 элементов на кристалле в конце 70-х годов появился термин "сверхбольшие интегральные схемы" (СБИС). Уже через несколько
5 руб.