Теплотехника 5 задач Задача 3 Вариант 85

Категории: Задачи
Добавлен: 04.01.2026
Размер: 72 KB
Покупок: 0
Добавил:
Z24

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

250 руб.

Скачать

Задача 3 Вариант 85.docx [Office 2013, 5 стр., 72 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Воздух с начальной температурой t1 = 27ºС сжимается в одноступенчатом поршневом компрессоре от давления р1 = 0,1 МПа до давления р2. Сжатие может происходить по изотерме, по адиабате и по политропе (с показателем политропы n).

Определить:

Для каждого из трех процессов сжатия конечную температуру газа t2, отведенную от газа теплоту Q, кВт; изменение внутренней энергии и теоретическую мощность компрессор, если его производительность G. Дать сводную таблицу и изображение процессов в рv — диаграмме.
Указание. Расчет провести без учета зависимости теплоемкости от температуры (c = const).

Ответить на вопрос:

В каком из процессов сжатия мощность, затрачиваемая на привод компрессора, будет больше?

Проблемы социологии старости

Вряд ли кто-то возьмется утверждать и доказывать, что социологическая наука уделяла достаточно много внимания старости как особому социальному феномену. Во всяком случае, это внимание ни в какое сравнение не идет с заинтересованностью социологов самыми разнообразными аспектами юности: здесь можно уверенно констатировать, что социология молодежи конституировалась как весьма обширная и разветвленная теория среднего уровня. Правда, можно было бы сослаться на развитие такой научной дисциплины, как с

Рефераты Социология

Elfa254 : 9 сентября 2013

Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая

gerold66 : 22 октября 2009

49 руб.

Экзамен по дисциплине: Современные технологии в программировании (часть 2). Билет №44

Билет №44 Экзаменационный тест 1.Критичность определяется последствиями, вызываемыми дефектами в ПО, и может иметь один из четырех уровней. Установите соответствие между уровнем критичности и последствиями дефектов ПО. C 1. Дефекты создают угрозу человеческой жизни D 2. Дефекты вызывают потерю возместимых средств (материальных или финансовых) E 3. Дефекты вызывают потерю удобства L 4. Дефекты вызывают потерю невозместимых средств 3.В основе программной инженерии лежит одна фундаментальн

СибГУТИ Современные технологии в программировании Работа Экзаменационная

IT-STUDHELP : 7 декабря 2020

350 руб.