Теплотехника СибАДИ 2009 Задача 3 Вариант 12
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задан состав твердого топлива на рабочую массу в %. Определить теоретически необходимое количество воздуха для горения, а также по формуле Д.И. Менделеева — низшую и высшую теплоту сгорания топлива, объемы и состав продуктов сгорания при αв, а также энтальпию продуктов сгорания при температуре θ.
Другие работы
Технология разработки телекоммуникационных сервисов. Лабораторная работа № 5 на тему: «Разработка графического интерфейса пользователя и обработчиков событий элементов управления»
Gaika13
: 7 января 2015
Цель работы: Изучение средств разработки графических интерфейсов. Знакомство с основными элементами управления (виджетами) в XML формате и разработка программного Java-кода обработчиков событий к ним.
Задание:
4. Перевод десятичного числа в двоичное и наоборот
170 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Микропроцессорные системы (часть 2). Вариант №02
IT-STUDHELP
: 17 июля 2020
Задание на курсовую работу
Разработать микропроцессорное устройство на основе микроконтроллера AduC842.
Вариант № 2
Разработать цифровой вольтметр. В качестве АЦП использовать встроенный АЦП микропроцессора ADuC842.
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ ПО КУРСУ
«МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ СИСТЕМЫ»
Разработать микропроцессорное устройство на основе микроконтроллера AduC842.
Введение
1 Аналитический обзор микропроцессоров
2 Разработка структурной схемы устройства
3 Описание принципиальной схемы
4 Программное обе
440 руб.
Основы физической оптики (ДВ 1.1). Экзамен. Билет 10. (2019)
rmn77
: 16 августа 2019
Контрольная работа по дисциплине «Основы физической оптики» . Экзаменационный билет No 10
1. Что произойдет с разрешающей способностью дифракционной решетки, если ее период увеличится, а рабочая длина останется неизменной? Докажите свой ответ. Как увеличение периода скажется на расстоянии между соседними максимумами?
2. Определить материалы, которые пригодны для изготовления источника излучения в диапазоне длин волн инфракрасного спектра: 2,3...3,5 мкм. (Ge – Eg=0.66 эВ; Si– Eg=1.11 эВ; GaSb–
800 руб.