Задачи по полупроводникам

ID: 108185
Дата закачки: 07 Сентября 2013
Продавец: СибирскийГУТИ (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Задачи
Форматы файлов: Microsoft Word

Описание:
1. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в кремнии при T=300K, если ширина его запрещенной зоны Eg=1,12еВ, а эффективные массы носителей заряда mn=1,05m0, mp=0,56m0, где m0 – масса свободного электрона.
2. Уровень Ферми в кремнии при 300 К расположен на 0,2 еВ ниже дна зоны проводимости. Рассчитайте равновесную концентрацию электронов и дырок в этом полупроводнике, если ширина его запрещенной зоны = 1,12 еВ, а эффективные массы носителей заряда mn=1,05m0, mp=0,56m0, где m0 – масса свободного электрона.
3. При исследовании температурной зависимости концентрации носителей заряда для чистого кремния в области собственной электропроводности получены следующие результаты: T1=463 К собственная концентрация ni1=1020 м-3, а при T2=781 К ni2=1023 м-3. Н основании этих данных рассчитать ширину запрещенной зоны при T=300 К, если коэффициент ее температурного изменения b=-2.84•10-4 эВ/К.
4. На сколько процентов изменится коэффициент диффузии электронов в невырожденном полупроводнике при повышении температуры на 10%, если подвижность электронов изменяется пропорционально Т-1,5.
5. Образец собственного кремния имеет удельное сопротивление 2000 Омм при комнатной температуре и концентрацию электронов проводимости ni=1,4•1016 м-3. Определить удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью с концентрацией 1021 и 1023 м-3. Предположите, что подвижность дырок остается одинаковой как для собственного, так и для примесного кремния и равной μp= 0,25μn.
6. Определить при какой концентрации примесей удельная проводимость при температуре 300 К имеет наименьшее значение. Найти отношение собственной удельной проводимости к минимальной при той же температуре. Собственная концентрация носителей при этой температуре ni= 2,1•1019 м-3, подвижность электронов μn= 0,39 м2/(В•с), подвижность дырок μp=0,19 м2/(В•с).
7. Вычислить время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике, если их установившаяся концентрация при воздействии источника возбуждения составляет 1020 м-3, а начальная скорость уменьшения избыточной концентрации при отключении источника 7,1•1023 м-3 с-1. Найти избыточную концентрацию Δn через время t=2мс после выключения источника возбуждения.
8. В толстом образце германия равномерно по объему генерируются электронно-дырочные пары. Найти скорость поверхностной рекомбинации, если концентрация неравновесных дырок на поверхности образца в 4 раза меньше, чем в объеме; Lp=0,2 см, τp=10-3 с.

Комментарии: если интерисуют задачи по отдельности пишите коментах

Размер файла: 101 Кбайт
Фаил: