Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
1. Постановка задачи
2. Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей
3. Практическое применение принципа собственной компенсации
4. Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки
5. Структурная оптимизация дифференциальных каскадов
Библиографический список
1. Постановка задачи
Создание систем на кристалле связано с решением целого комплекса научных и технических задач. Единство аналоговых и цифровых модулей этих систем предопределяет разработку экономичных аналоговых и аналого-цифровых принципиальных схем достаточно сложных функциональных блоков. Без решения этой центральной, по мнению автора, проблемы потребляемая мощность аналоговых интерфейсов систем на кристалле значительно превысит этот показатель для центральных процессорных элементов. Именно поэтому многообразие архитектурных решений может оказаться невостребованным.
В [6] на уровне сложных функциональных блоков предложен эффективный способ собственной компенсации влияния частоты единичного усиления (f1) усилителей на базовые характеристики и параметры различных аналоговых устройств. Этот результат позволяет использовать экономичные операционные усилители (ОУ). Однако, как показано в [5], влияние скорости нарастания выходного напряжения ОУ на динамический диапазон устройств не уменьшается, а теоретическая неосуществимость полной собственной компенсации влияния указывает на необходимость поиска принципов построения экономичных усилителей с расширенным диапазоном рабочих частот и более высокой скоростью нарастания выходного напряжения.
Для повышения интегральных качественных показателей основное усиление реализуется во входных каскадах. Именно поэтому скорость нарастания выходного напряжения любой схемы () определяется следующим соотношением [3]:
1. Постановка задачи
2. Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей
3. Практическое применение принципа собственной компенсации
4. Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки
5. Структурная оптимизация дифференциальных каскадов
Библиографический список
1. Постановка задачи
Создание систем на кристалле связано с решением целого комплекса научных и технических задач. Единство аналоговых и цифровых модулей этих систем предопределяет разработку экономичных аналоговых и аналого-цифровых принципиальных схем достаточно сложных функциональных блоков. Без решения этой центральной, по мнению автора, проблемы потребляемая мощность аналоговых интерфейсов систем на кристалле значительно превысит этот показатель для центральных процессорных элементов. Именно поэтому многообразие архитектурных решений может оказаться невостребованным.
В [6] на уровне сложных функциональных блоков предложен эффективный способ собственной компенсации влияния частоты единичного усиления (f1) усилителей на базовые характеристики и параметры различных аналоговых устройств. Этот результат позволяет использовать экономичные операционные усилители (ОУ). Однако, как показано в [5], влияние скорости нарастания выходного напряжения ОУ на динамический диапазон устройств не уменьшается, а теоретическая неосуществимость полной собственной компенсации влияния указывает на необходимость поиска принципов построения экономичных усилителей с расширенным диапазоном рабочих частот и более высокой скоростью нарастания выходного напряжения.
Для повышения интегральных качественных показателей основное усиление реализуется во входных каскадах. Именно поэтому скорость нарастания выходного напряжения любой схемы () определяется следующим соотношением [3]:
Другие работы
Роль телефона доверия в эффективном разрешении личностных проблем
alfFRED
: 12 октября 2013
Введение
1906 год. Нью-Йорк. Глубокая ночь. В доме протестантского священника Гарри Уоррена раздался телефонный звонок: «Умоляю о встрече! У меня безвыходная ситуация!». «Завтра, - ответил священник - Церковь будет открыта утром». Наутро святой отец узнал, что звонивший покончил жизнь самоубийством - он повесился. Тогда потрясенный священник дал срочное объявление в газете: «Перед тем, как уйти из жизни, позвоните мне в любое время суток». Так 102 года назад появился первый в мире телефон довер
АТЛАС конструкций механического оборудования заводов черной металлургии
HJ47efg26hh
: 21 апреля 2013
В силу многообразия машин и механизмов, применяемых на металлургических заводах, понятно, что охватить их все просто невозможно. Поэтому автором в настоящем атласе представлены наиболее характерные, по его мнению, машины, выполняющие основные технологические операции.
Чертежи машин взяты из различных литературных источников и из них умышленно исключены все поясняющие сведения. Оставлены лишь номера позиций тех или иных составляющих узлов и деталей. Кроме того, каждый чертёж содержит точ
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 5 Вариант 60
Z24
: 16 декабря 2025
Водяной пар, имея начальные параметры р1=2 МПа и степень сухости х1=0,9, нагревается при постоянном давлении до температуры t2 (процесс 1-2), затем дросселируется до давления p2 (процесс 2-3).
При давлении p2 пар попадает в сопло Лаваля, где расширяется до давления р3=0,05 МПа (процесс 3-4). Определить, используя h-s — диаграмму водяного пара (приложение Д, рисунок Д1):
— количество теплоты, подведенной к пару в процессе 1-2;
— изменение внутренней энергии и конечную температуру дроссел
200 руб.
Механика Задача 2.75 Вариант 3
Z24
: 20 ноября 2025
Для заданной схемы нагружения стержневой системы, консоли и балки вычислить реакции связей.
250 руб.