Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
10 Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентовID: 110420Дата закачки: 14 Сентября 2013 Продавец: Slolka (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Рефераты Форматы файлов: Microsoft Office Описание: Содержание 1. Постановка задачи 2. Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей 3. Практическое применение принципа собственной компенсации 4. Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки 5. Структурная оптимизация дифференциальных каскадов Библиографический список 1. Постановка задачи Создание систем на кристалле связано с решением целого комплекса научных и технических задач. Единство аналоговых и цифровых модулей этих систем предопределяет разработку экономичных аналоговых и аналого-цифровых принципиальных схем достаточно сложных функциональных блоков. Без решения этой центральной, по мнению автора, проблемы потребляемая мощность аналоговых интерфейсов систем на кристалле значительно превысит этот показатель для центральных процессорных элементов. Именно поэтому многообразие архитектурных решений может оказаться невостребованным. В [6] на уровне сложных функциональных блоков предложен эффективный способ собственной компенсации влияния частоты единичного усиления (f1) усилителей на базовые характеристики и параметры различных аналоговых устройств. Этот результат позволяет использовать экономичные операционные усилители (ОУ). Однако, как показано в [5], влияние скорости нарастания выходного напряжения ОУ на динамический диапазон устройств не уменьшается, а теоретическая неосуществимость полной собственной компенсации влияния указывает на необходимость поиска принципов построения экономичных усилителей с расширенным диапазоном рабочих частот и более высокой скоростью нарастания выходного напряжения. Для повышения интегральных качественных показателей основное усиление реализуется во входных каскадах. Именно поэтому скорость нарастания выходного напряжения любой схемы () определяется следующим соотношением [3]: Размер файла: 455,4 Кбайт Фаил: (.zip)
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:К сожалению, точных предложений нет. Рекомендуем воспользоваться поиском по базе. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Радиотехника и радиосвязь / Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов
Вход в аккаунт: