Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов
-
Категории:
Рефераты, Радиотехника и радиосвязь
-
Добавлен:
14.09.2013
-
Размер:
455 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Slolka
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
bestref-206138.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
1. Постановка задачи
2. Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей
3. Практическое применение принципа собственной компенсации
4. Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки
5. Структурная оптимизация дифференциальных каскадов
Библиографический список
1. Постановка задачи
Создание систем на кристалле связано с решением целого комплекса научных и технических задач. Единство аналоговых и цифровых модулей этих систем предопределяет разработку экономичных аналоговых и аналого-цифровых принципиальных схем достаточно сложных функциональных блоков. Без решения этой центральной, по мнению автора, проблемы потребляемая мощность аналоговых интерфейсов систем на кристалле значительно превысит этот показатель для центральных процессорных элементов. Именно поэтому многообразие архитектурных решений может оказаться невостребованным.
В [6] на уровне сложных функциональных блоков предложен эффективный способ собственной компенсации влияния частоты единичного усиления (f1) усилителей на базовые характеристики и параметры различных аналоговых устройств. Этот результат позволяет использовать экономичные операционные усилители (ОУ). Однако, как показано в [5], влияние скорости нарастания выходного напряжения ОУ на динамический диапазон устройств не уменьшается, а теоретическая неосуществимость полной собственной компенсации влияния указывает на необходимость поиска принципов построения экономичных усилителей с расширенным диапазоном рабочих частот и более высокой скоростью нарастания выходного напряжения.
Для повышения интегральных качественных показателей основное усиление реализуется во входных каскадах. Именно поэтому скорость нарастания выходного напряжения любой схемы () определяется следующим соотношением [3]:
1. Постановка задачи
2. Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей
3. Практическое применение принципа собственной компенсации
4. Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки
5. Структурная оптимизация дифференциальных каскадов
Библиографический список
1. Постановка задачи
Создание систем на кристалле связано с решением целого комплекса научных и технических задач. Единство аналоговых и цифровых модулей этих систем предопределяет разработку экономичных аналоговых и аналого-цифровых принципиальных схем достаточно сложных функциональных блоков. Без решения этой центральной, по мнению автора, проблемы потребляемая мощность аналоговых интерфейсов систем на кристалле значительно превысит этот показатель для центральных процессорных элементов. Именно поэтому многообразие архитектурных решений может оказаться невостребованным.
В [6] на уровне сложных функциональных блоков предложен эффективный способ собственной компенсации влияния частоты единичного усиления (f1) усилителей на базовые характеристики и параметры различных аналоговых устройств. Этот результат позволяет использовать экономичные операционные усилители (ОУ). Однако, как показано в [5], влияние скорости нарастания выходного напряжения ОУ на динамический диапазон устройств не уменьшается, а теоретическая неосуществимость полной собственной компенсации влияния указывает на необходимость поиска принципов построения экономичных усилителей с расширенным диапазоном рабочих частот и более высокой скоростью нарастания выходного напряжения.
Для повышения интегральных качественных показателей основное усиление реализуется во входных каскадах. Именно поэтому скорость нарастания выходного напряжения любой схемы () определяется следующим соотношением [3]:
Другие работы
Экзамен по дисциплине: Ценообразование. Вариант №10
Roma967
: 3 декабря 2014
Вариант 10
1. Что оказывает сдерживающее воздействие на потребителя в процессе существования товарообменных операций?
а) кредит;
б) акциз;
в) затраты на сырье и материалы.
2. Общие черты, какой рыночной структуры не характерны для монополистической конкуренции:
а) монополии
б) совершенной конкуренции
в) олигополии.
3. В каком из перечисленных условий поставки оплачен фрахт до порта назначения?
а) ФАС;
б) СФР;
в) ФОБ.
4. Под тактикой ценообразования понимается:
а) система конкретных мер по у
Roma967
: 3 декабря 2014
130 руб.
Мировоззрение
Qiwir
: 29 августа 2013
Каждый человек-это загадка и в основном, загадка для самого себя. Наше общество, общество людей - это самая большая тайна, и конечно познать эту тайну, в силах не каждый, но каждый, я уверен, хотя бы в глубине души, пытается эту тайну для себя приоткрыть. Приоткрыть ее, познав себя самого.
Я думаю что в этом вопросе, для меня лично, сможет помочь концепция современного естествознания. Ведь основная цель современного естествознания - познание мира, формирование нашего личного мировоззрения. Сей
Qiwir
: 29 августа 2013
42 руб.
История развития отрасли (Билет №25)
pleze
: 10 декабря 2017
Вариант №25
3. Что собой представляли сторожевые посты как первые системы связи?
4. Объясните принцип действия морской сигнализации
pleze
: 10 декабря 2017
10 руб.
Сети и системы широкополосного доступа (ШПД). Вариант 97. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 13 августа 2017
Вариант 97.
1. Привести краткую характеристику заданного стандарта.
2. Для заданных параметров станций рассчитать радиус зоны обслуживания БС.
Исходные данные:
Тип местности - Небольшой город (1)
Значение холмистости: h = 34 м
Используемый стандарт: GSM 1800
Модель расчета: О
Параметры БС:
Мощность передатчика: Рпрд бс = 10 Вт
Коэффициент усиления антенны: Gбс = 13 дБ
Высота антенны: hбс = 45 м
Чувствительность приемника: Рпрм бс = -117 дБм
Параметры МС:
Мощность передатчика: Рпрд мс = 0,0
TheMrAlexey
: 13 августа 2017
50 руб.
