Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Предварительные сведения
В данном реферате рассматриваются технологии, связанные с особенностями проектирования СБИС на базовых матричных кристаллах. Рассказывается о самом понятии базового матричного кристалла. Анализируются основные этапы автоматизированного процесса пректирования
ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС
СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС
БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Характерной тенденцией развития элементной базы современной электронно-вычислительной аппаратуры является быстрый рост степени интеграции. В этих условиях актуальной становится проблема ускорения темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС и СБИС. При решении данной проблемы важно учитывать существование двух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупносерийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производства которых достигает миллионов штук в год. Поэтому относительно большие затраты на их проектирование и конструирование оправдываются. Этот класс схем включает микропроцессоры, различного вида полупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.), серии стандартных микросхем и др. Схемы, принадлежащие ко второму классу, при объеме производства до нескольких десятков тысяч в год, выпускаются для удовлетворения нужд отдельных отраслей промышленности. Значительная часть стоимости таких схем определяется затратами на их проектирование
В данном реферате рассматриваются технологии, связанные с особенностями проектирования СБИС на базовых матричных кристаллах. Рассказывается о самом понятии базового матричного кристалла. Анализируются основные этапы автоматизированного процесса пректирования
ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС
СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС
БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Характерной тенденцией развития элементной базы современной электронно-вычислительной аппаратуры является быстрый рост степени интеграции. В этих условиях актуальной становится проблема ускорения темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС и СБИС. При решении данной проблемы важно учитывать существование двух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупносерийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производства которых достигает миллионов штук в год. Поэтому относительно большие затраты на их проектирование и конструирование оправдываются. Этот класс схем включает микропроцессоры, различного вида полупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.), серии стандартных микросхем и др. Схемы, принадлежащие ко второму классу, при объеме производства до нескольких десятков тысяч в год, выпускаются для удовлетворения нужд отдельных отраслей промышленности. Значительная часть стоимости таких схем определяется затратами на их проектирование
Другие работы
Задачи по физике
anderwerty
: 24 января 2016
Вариант 103
1. Тангенциальное ускорение антипараллельно скорости, нормальное ускорение остается постоянным. Это означает, что тело движется
1) по окружности
2) по криволинейной траектории с уменьшающимся радиусом кривизны
3) по криволинейной траектории с увеличивающимся радиусом кривизны
2. Если при ускоренном движении тангенциальное ускорение остается постоянным, а нормальное увеличивается, то угол между полным ускорением и скоростью
1) увеличивается
2) уменьшается
3) остается постоянным
3.
20 руб.
Зачет. Сети радиодоступа (часть 1-я). Билет №46
glebova95
: 22 января 2021
Билет №46 к зачету по дисциплине Сети радиодоступа (часть 1-я)
13. Избыточное кодирование для обнаружения ошибок
17. Сверточный код, схема и правило работы декодера
100 руб.
Радиоприемные устройства. Лабораторная работа №2. Вариант 04
MN
: 11 марта 2015
Исследование диапазонного усилителя радиочастоты на полевом транзисторе
1. Цель работы
Изучение физических основ и основ теории построения усилителей радиочастоты (УРЧ). Экспериментальное исследование и изучение основных особенностей работы транзисторного усилителя радиочастоты в диапазоне частот.
2. Расчетная часть
Исходные данные для расчета:
Транзистор КП303. Режим транзистора Ес = 5 В. Ic0 = 2 мА.
Параметры транзистора в указанном режиме:
G22 = 0,05 мСм; С12 = 1,5 пФ; |Y21| = S = 4 мА/В.
Инд
200 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.37 Вариант 1б
Z24
: 23 октября 2025
В нагревательной печи, где температура газов tж1, стенка сделана из трех слоев: динасового кирпича толщиной 60 мм, красного кирпича толщиной 250 мм и снаружи слоя изоляции толщиной δиз. Воздух в цехе имеет температуру tж2. Коэффициент теплоотдачи в печи от газов к стенке α1, снаружи от изоляции к воздуху α2. Найти коэффициент теплопередачи от газов к воздуху, потери теплоты через стенку, температуры на поверхностях всех слоев. Построить график температур в стенке.
180 руб.