Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Одной из составных частей данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.
В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС – сверхбольших интегральных схем – интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять. В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.
Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15-0,18 мкм.
Быстрое развитие мироэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:
1) Надежность - комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.
2) Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.
В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС – сверхбольших интегральных схем – интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять. В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.
Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15-0,18 мкм.
Быстрое развитие мироэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:
1) Надежность - комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.
2) Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.
Другие работы
Эмоциональные особенности и эффективность подготовки к школьному обучению
Qiwir
: 15 октября 2013
Ранняя юность является важным и ответственным этапом развития личности. В этот период происходит становления психологических механизмов, которые оказывают влияние на процессы развития и самореализации. Именно в этом возрасте начинается раскрытие всех аспектов личности, развитие личностных возможностей, расширяется совместная деятельность с другими людьми, заканчивается подготовка к включению в самостоятельную жизнь как полноправного члена общества. По мнению Коростылевой Л.А., все это создает не
350 руб.
Методика построения уравнения регрессии и корреляции
Lokard
: 14 ноября 2013
Для изучения связи между активами-нетто и объемом капитала по 30 коммерческим банкам (согласно Вашему варианту):
а) изобразите связь между изучаемыми признаками графически построением поля корреляции;
б) постройте уравнение регрессии. Параметры уравнения определите методом наименьших квадратов. Рассчитайте теоретические значения объема кредитных вложений и нанесите их на построенный график.
15 руб.
Методология бухгалтерского учета затрат на оплату труда
alfFRED
: 7 сентября 2013
Введение
Глава 1. Методология бухгалтерского учета затрат на оплату труда
1.1 Понятие труда и заработной платы. Законодательное и нормативное регулирование затрат на оплату труда
1.2 Принципы организации системы операций по учету труда и расчетам с персоналом
1.3 Базовые принципы современного аудита и его регулирование. Основные методы аудита учета расчетов по оплате труда
Глава 2. Краткая характеристика ООО "Продюсерский центр "ЗВЕЗДЫ 21 ВЕКА"
Глава 3. Анализ организации бухгалтерского уч
77 руб.
Гидростатика. Гидродинамика. ПГТУ 2018 Задача 55 Вариант 3
Z24
: 30 ноября 2025
Определить расход воды, протекающий из верхнего в нижний резервуар по системе труб, показанной на схеме (рис. 50). Разность уровней воды в баках Н. Диаметры труб d1 = 100 мм, d2 = 150 мм, d3 = 200 мм. Длины труб l1, l2, l3. Воспользоваться значениями расходных характеристик для новых водопроводных труб (табл. 1).
180 руб.