Блок возбуждения для ВТП
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вихретоковые методы контроля основаны на анализе взаимодействия внешнего электромагнитного поля с электромагнитным полем вихревых токов, наводимых возбуждающей катушкой в электропроводящем объекте контроля. В качестве преобразователя используют обычно индуктивные катушки. Синусоидальный ток, действующий в катушках ВТП, создает электромагнитное поле, которое возбуждает вихревые токи в электропроводящем объекте. Электромагнитное поле вихревых токов воздействует на измерительную катушку преобразователя, наводя в ней ЭДС или изменяя ее полное электрическое сопротивление. Регистрируя напряжение на зажимах катушки, получают информацию о свойствах объекта и о положении преобразователя относительно него. Особенность вихретокового преобразователя в том, что его можно проводить без контакта преобразователя и объекта. Получение первичной информации в виде электрических сигналов, бесконтактность и высокая производительность определяют широкие возможности автоматизации вихретокового контроля. Одна из особенностей ВТМ состоит в том, что на сигналы преобразователя практически не влияют влажность, давление и загрязненность газовой среды, радиоактивные излучения, загрязнение поверхности объекта контроля непроводящими веществами. Однако им свойственна малая глубина зоны контроля, определяемая глубиной проникновения электромагнитного поля в контролируемую среду. Сильное влияние на полученные результаты оказывают нелинейные искажения сигнала, подаваемого на задающую катушку. Для обеспечения универсальности, установка начальных условий, а также обработка полученной информации современных преобразователей должна осуществляться при помощи компьютеров, тогда каждый режим работы преобразователя будет обрабатываться отдельной программой. В данной работе разрабатывался генератор синусоидального сигнала для накладного вихретокового преобразователя, амплитуда тока в котором порядка 10 мА, а нелинейные искажения порядка 1%. Частота сигнала должна задаваться программным путем, с использованием микропроцессорной техники.
Ниже приводятся типы уже существующих преобразователей:
Ниже приводятся типы уже существующих преобразователей:
Другие работы
Системы сигнализации телефонной сети общего пользования. Лабораторная работа №4. Вариант №4
mortis
: 11 ноября 2013
1. Цель работы
Изучить параллельный метод для нахождения плана распределения каналов (ПРК), который является приближенным. Такой метод зачастую используется при большом числе узлов.
2. Задание на работу
Требования задаются числом каналов между различными парами узлов, при этом необходимо, чтобы для удовлетворения требований было использовано минимальное число каналов первичной сети и образован план распределения каналов вторичной некоммутируемой сети.
Ф14=24
Ф13=20
Ф25=10
Ф26=15
50 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 279
Z24
: 4 октября 2025
Найти термический к.п.д. цикла, изображенного на рис. 58. Рабочее тело – воздух. Теплоемкость принять постоянной.
Ответ: ηt=1-(λδ1-k+δ(k-1)-k)/(λ-1).
180 руб.
Теории электрических цепей. Лабораторная работа №23. Моделирование на ЭВМ переходных процессов в цепях второго порядка. МТУСИ.
DiKey
: 14 февраля 2023
Теории электрических цепей. Лабораторная работа №23. Моделирование на ЭВМ переходных процессов в цепях второго порядка. МТУСИ.
Оглавление
1 Цель работы 3
2 Схема 3
3 Предварительный расчет 3
4 Экспериментальная часть 7
5 Вывод 9
Контрольные вопросы 9
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2.
С
100 руб.