Физические основы электроники

Лабораторная работа №1 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы: Получить навыки определения дифференциальных параметров полевого транзистора (ПТ) и исследовать их зависимость от режима работы ПТ. 2. При подготовке к работе необходимо: 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур. 2.1.2 Статические характеристики и эксплуатационные параметры ПТ. 2.1.3 Дифференциальные параметры ПТ, их определение по характеристикам и измерен

Дисциплина «Физические основы электроники» Билет 5 1. Что происходит с основными и неосновными носителями зарядов в p-n переходе при включении его в прямом направлении? 2. Какой полевой транзистор и почему называют транзистором обедненного типа? 3. Напряжение какой полярности и зачем подается на коллекторный переход n-p-n БТ в режиме отсечки?

Дисциплина «Физические основы электроники» Билет 9 1. Какие носители и за счет чего создают диффузию в p-n переходе? 2. Каким образом происходит управление током стока в МДП ПТ? 3. Напряжение какой полярности и зачем подается на эмиттерный переход БТ p-n-p в НАР?

Лабораторная работа №1 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы: Получить навыки определения дифференциальных параметров полевого транзистора (ПТ) и исследовать их зависимость от режима работы ПТ. 2. При подготовке к работе необходимо: 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур. 2.1.2 Статические характеристики и эксплуатационные параметры ПТ. 2.1.3 Дифференциальные параметры ПТ, их определение по характеристикам и измерен

Лабораторные работы: Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с о

Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п

Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п

Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 5 Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов дл

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора

Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по

Билет №17 1. Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ). 2. Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.

Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п

Билет №13 1. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения. 2. Методы улучшения частотных свойств БТ. Дрейфовый транзистор.

Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п