Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 09

Цена:
1300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon Контр.раб. Физические основы электроники. Вариант 09.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов

Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.

Таблица А1– Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 09
Тип диода VD: Д302
R,Ом: 0,4
U,В: 0,4

Рисунок Б27 – ВАХ диода Д302

Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R (см. рисунок 1). На ВАХ диода (Приложение Б) построить нагрузочную прямую при заданном U. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке при Т = 20 ОС.
Рисунок 1 – Однополупериодный выпрямитель

Задание 2
Для двух точек (одна в середине прямой ветви ВАХ (Приложение Б), другая – в середине обратной) при Т = 20°С определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току. Сравнить сопротивления прямой и обратной ветвей, сделать выводы.

Задание 3
Для тех же значений тока и напряжения определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току диода при повышенной температуре. Сравнить со значениями предыдущей задачи, сделать выводы.


Задание 4
Для простейшего однополупериодного выпрямителя (рисунок 1) с заданными значениями среднего выпрямленного тока IВЫП СР и среднего напряжения UВЫП СР выбрать полупроводниковый диод (диоды, столбы или блоки). Привести параметры выбранного прибора.
Таблица А2 – Исходные данные для задания 4
Вариант: 09
Uвыпр, В: 100
Iвыпр, мА: 200

Задание 5
Составить схему, пользуясь справочником выбрать стабилитрон для простейшего стабилизатора напряжения при известных значениях входного (нестабилизированного) напряжения UВХ, выходного (стабилизированного) напряжения UСТ и тока нагрузки IН.
Рассчитать величину ограничительного (гасящего) сопротивления RГ. Проверить, не выйдет ли стабилитрон за пределы участка стабилизации при изменении входного напряжения от UВХ МИН до UВХ МАКС. Если условие не выполняется – добиться выполнения условий и повторно провести проверку.
Таблица А3 – Исходные данные для задания 5
Вариант: 09
Uст,В: 8,2
Uвх,В: 13,5
Iн,мА: 10
Uвх мин,В: 12
Uвх макс,В: 15,5


Задание 6
Выбрать варикап для настройки колебательного контура и определить для него рабочее напряжение, при котором контур с индуктивностью L (см. рисунок 6) будет настроен на частоту f. Привести характеристику варикапа. UОБР НОМ =4В.
Рисунок 6 – Колебательный контур
Таблица А4 – Исходные данные для задания 6
Вариант: 09
f, МГц: 20
L,мкГн: 2,5
Сном,пФ: 40


Список использованных источников

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2026 г.
Преподаватель: Фадеева Н.Е.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №09
Задача 1. По статистическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле
User FreeForMe : 10 апреля 2015
245 руб.
Физические основы электроники. Вариант 09
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User ShockConsumer : 5 марта 2017
500 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Описание: Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. № вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К, 6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230 Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
User Иннокентий : 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User andreyan : 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
ЗАДАЧА №1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. ЗАДАЧА №2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
User sergeyw78 : 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
СибГути 04 вариант Задача 1: Дан биполярный транзистор КТ605А По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) ра
User RomIN : 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10
Контрольная работа по курсу ФОЭ «Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов» Цель работы a) Научиться рассчитывать параметры диодов. b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам. c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств. Таблица А1 – Исходные данные для заданий 1,2,3 Вариант: 10 Тип диода VD: ГД402А R,Ом: 7,5 U,В: 0,9 Задание 1 Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10 promo
Экзамен по дисциплине «Современные информационные технологии» Билет № 6
Билет № 6 1. В чем суть метода разложения? Несколько менее трудоемким является метод, основанный на разложении структуры сети относительно какого-нибудь ее элемента (метод разложения Шеннона - Мура) [2]. Идея этого метода заключается в том, 2. Приведите форматы ячеек ATM для интерфейсов «пользователь-сеть» и «сеть-сеть». Стандарты Модели ATM. ATM Forum разработал много стандартов, основанных на модели ATM, в том числе следующие: User-to-Network Interface (UNI - интерфейс "пользовател
User gudrich : 23 марта 2012
200 руб.
Системы коммутации Контрольная работа (11 вариант).
Задача 1: «Расчет оборудования узла мультисервисного доступа (УМСД)» Задача 2: «Расчет элементов сети широкополосного доступа (ШПД), построенной по технологии GPON»
User konst1992 : 27 января 2018
250 руб.
Южная Корея
В 20 в. Корея прошла трудный путь. Во многом трагические события на Корейском полуострове были следствием стратегического положения страны, из-за которой соперничали великие державы: Россия, Япония, США, Китай. В 1910 г. Корея стала колонией Японии. В 1945г. после разгрома Японии Северная Корея была освобождена Советским Союзом, в Южной - капитуляцию японских войск приняли США. Линия разграничения прошла по 38-й параллели. Во время войны союзники договорились, что первоначально над Кореей будет
User DocentMark : 26 сентября 2013
Тест по межкультурным коммуникациям
1. Процесс расширения взаимосвязи и взаимовлияния различных стран и народов на основе современных информационных технологий - это a. глобализация b. интернационализация c. мультикультурализм 2. Для понимания иноязычного партнера необходимо a. достаточно хорошо знать соответствующий иностранный язык b. необходимо знание всех правил культурно-специфического употребления высказываний 3. Китайцы используют много жестов при общении a. да b. нет 4. Число "4" считается счастливым в Японии a. да b. нет
User qwerty123432 : 10 декабря 2021
199 руб.
Тест по межкультурным коммуникациям
up Наверх