Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10

Лабораторная работа №1
ИЗУЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Цель работы:
Получить навыки определения дифференциальных параметров полевого транзистора (ПТ) и исследовать их зависимость от режима работы ПТ.

2. При подготовке к работе необходимо:
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур. 2.1.2 Статические характеристики и эксплуатационные параметры ПТ. 2.1.3 Дифференциальные параметры ПТ, их определение по характеристикам и измерение на переменном токе.
2.2 Ответить на контрольные вопросы:
2.2.1Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом.
2.2.2 Объяснить устройство МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
2.2.3 Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.4 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ с p-n переходом.
2.2.5 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
2.2.6 Объяснить физический смысл и определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.7 Привести схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов и измерения дифференциальных параметров на переменном токе для различных ПТ с каналами типа «p» и «n».

Задание на работу:
По выходным характеристикам полевого транзистора (Приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении сток-исток UСИ. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи приведены в таблице П.1.1 Приложения1
Вольт-амперные характеристики транзисторов приведены в Приложении 2.

Таблица 1 – Вариант задания
№ варианта: 10
Тип ПТ: КП 903 А
UСИ0, В: 10
UЗИ0, В: -8

Ответы на контрольные вопросы
1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом.
2. Объяснить устройство МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
3. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ с p-n переходом.
5. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
6. Объяснить физический смысл и определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
7. Привести схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов и измерения дифференциальных параметров на переменном токе для различных ПТ с каналами типа «p» и «n».

Список использованных источников


Лабораторная работа №2
ИЗУЧЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Цель работы:
Научится определять дифференциальные параметры биполярных транзисторов по вольт-амперным характеристикам и выяснить влияние на них режима работы транзистора.

2. При подготовке к работе необходимо:
2.1 Изучить следующие разделы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Принцип действия БТ, основные физические процессы.
2.1.3 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.4 Дифференциальные параметров биполярных транзисторов в схеме ОБ и ОЭ: физический смысл, условия измерения на переменном токе и определение по статическим характеристикам.
2.1.5 Влияние режима работы на параметры БТ.

2.2 Ответить на контрольные вопросы:
2.2.1 Устройство плоскостного биполярного транзистора.
2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
2.2.3 Схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
2.2.4 Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.
2.2.5 Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.
2.2.6 Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения.
2.2.7 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?
2.2.8 Дайте определение дифференциальным параметрам БТ.
2.2.9 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h11.
2.2.10 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h21.
2.2.11 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h12.
2.2.12 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h22.
2.2.13 Покажите определение дифференциальных параметров БТ по соответствующим характеристикам.

3. Задание на работу:
Рассчитать по характеристикам биполярного транзистора VT дифференциальные h-параметры при заданном напряжении на коллекторе UКЭ и построить их зависимости для различных токов базы IБ0.
В таблице П1.1 приведены исходные данные для выполнения ЛПР Биполярные транзисторы.

Таблица 1 – Вариант задания
№ варианта: 10
Тип БТ: КТ903А
UКЭ, В: 20

Ответы на контрольные вопросы
1. Устройство плоскостного биполярного транзистора.
2. Принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
3. Схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
4. Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.
5. Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.
6. Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения.
7. Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?
8. Дайте определение дифференциальным параметрам БТ.
9. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h11.
10. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h21.
11. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h12.
12. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h22.
13. Покажите определение дифференциальных параметров БТ по соответствующим характеристикам.

Список использованных источников

Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2026 г.
Преподаватель: Фадеева Н.Е.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru