Модулі оперативної пам’яті SD-RAM, DDR, DDR2, DIMM
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Мікросхеми динамічної пам'яті є згрупованим масивом конденсаторів - матрицею, що складається з рядків (rows) і стовпців (columns). Для перетворення аналогової величини заряду, накопиченої в конденсаторах, використовуються спеціальні підсилювачі. Крім цього, передбачені спеціальні ланцюги для заряджання конденсаторів і для запису даних.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Похожие материалы
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
DiKey
: 4 июля 2022
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ НА ЛАБОРАТОРНУЮ РАБОТУ
Тема работы : ПАМЯТЬ ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
Исходные данные:
Проектировать схему регистра памяти в среде САПР - Active HDL (Aldec), разработать VHDL код схемы.
Содержание пояснительной записки:
Теоритическая часть, описание схемы, схема требуемого модуля, структурная схема, функциональная схема, таблица истинности, практическая часть, разработка VHDL кода схемы, описание процесса проектирован
150 руб.
Другие работы
Экология. Вариант 34
KarpKarp
: 15 декабря 2018
Вариант 34
Вопросы – 35, 117
Задачи – 4, 5
Тест – 8
Вопрос – 35
Оценка и нормирования качества почв. Химические и бактериологические показатели почв.
100 руб.
Лабораторная работа № 5 по дисциплине Компьютерные технологии в науке и производстве.
KHM
: 23 июня 2015
Изучение команд включения иллюстративного графического материала в Latex документ.
1. Изучить команды включения иллюстративного графического материала в Latex документ.
2. Изучить процесс подготовки иллюстративного графического материала для включения в Latex документ.
3. Закрепить навыки работы в текстовом редакторе WinEdt
80 руб.
Управление внешнеэкономической деятельностью. Контрольная работа. Вариант №2
igoreniaomsk
: 13 января 2014
Оценка конкурентной позиции Кемеровского филиала
ОАО «Ростелеком» с помощью метода анализа иерархии
Конкурентоспособность фирмы - уровень потенциала фирмы, обеспечивающего возможность удержать или расширить занимаемую долю рынка в условиях конкурентной борьбы. Определяется как совокупная конкурентоспособность товаров компании и ее управленческого, кадрового, технического и др. потенциалов. Основные усилия компании всегда направлены на создание и удержание конкурентных преимуществ (т. е. повыш
300 руб.
Теоретическое задание. Тема: «Сбалансированность федерального бюджета: дефицит/профицит». Вариант 4.
ДО Сибгути
: 16 февраля 2016
Содержание
Введение 3
1 Теоретические аспекты федерального бюджета 4
1.1 Сущность федерального бюджета и бюджетной системы 4
1.2 Доходы и расходы федерального бюджета 8
2 Анализ федерального бюджета России 15
2.1 Оценка федерального бюджета по доходам 15
2.2. Оценка федерального бюджета по расходам 16
2.3. Проблема сбалансированности федерального бюджета 18
Заключение 21
Список использованных источников 22
160 руб.