Модулі оперативної пам’яті SD-RAM, DDR, DDR2, DIMM
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Мікросхеми динамічної пам'яті є згрупованим масивом конденсаторів - матрицею, що складається з рядків (rows) і стовпців (columns). Для перетворення аналогової величини заряду, накопиченої в конденсаторах, використовуються спеціальні підсилювачі. Крім цього, передбачені спеціальні ланцюги для заряджання конденсаторів і для запису даних.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Похожие материалы
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
DiKey
: 4 июля 2022
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ НА ЛАБОРАТОРНУЮ РАБОТУ
Тема работы : ПАМЯТЬ ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
Исходные данные:
Проектировать схему регистра памяти в среде САПР - Active HDL (Aldec), разработать VHDL код схемы.
Содержание пояснительной записки:
Теоритическая часть, описание схемы, схема требуемого модуля, структурная схема, функциональная схема, таблица истинности, практическая часть, разработка VHDL кода схемы, описание процесса проектирован
150 руб.
Другие работы
Направляющие системы электросвязи. Лабораторная работа № 2. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
"исследование дисперсионных искажений импульсов в оптическом волокне"
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию влияния составляющих дисперсии на временные параметры передаваемых оптических импульсов:
- модовой дисперсии ступенчатых оптических волокон;
- модовой дисперсии градиентных оптических волокон;
- материальной составляющей хроматической дисперсии;
- волноводной составляющей хроматической дисперсии;
- профильной составляющей хроматической дисп
210 руб.
Лабораторные работы №№ 1-3 по дисциплине "Теория электрических цепей (часть 1)" Вариант 01
igoreksmelov
: 5 января 2019
Лабораторная работа № 1
Законы Ома и Кирхгофа в резистивных цепях
Лабораторная работа № 2
Электрические цепи при гармоническом воздействии
Лабораторная работа № 3
Резонансы напряжений и токов в электрических цепях
Вариант - 01
120 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Вычислительная математика. Вариант №2
Jack
: 25 августа 2014
1. Задание
Известно, что функция f(x) удовлетворяет условию |f''(x)|<=c при любом x. Измерительный прибор позволяет находить значения f(x) с точностью 0.0001. Найти наименьшую погрешность, с которой f'(x) можно найти по приближенной формуле: f'(xi)=(f(xi+1)-f(xi-1))/2h. Рассчитать шаг для построения таблицы значений функции, которая позволит вычислить значения f(x) с наименьшей погрешностью.
Составить программу, которая
1. Выводит таблицу значений функции с рассчитанным шагом h на интервале [c
100 руб.
Замена изоляционного покрытия магистрального нефтепровода диаметром с коррозионным разрушением более 50% от толщины стенки диаметром 1020 мм с рабочим давлением 6,0 МПа.
lkjh
: 28 мая 2015
Хороший курсач на 63 страницы с кучей черчежей!
Содержание
Содержание. 3
Введение. 5
Глава 1. Технологическая часть. 7
1.1. Общие сведения. 7
1.2. Подготовительные работы. 8
1.2.1. Сооружение временных дорог. 9
1.3. Основные работы. 9
1.3.1. Земляные работы. 9
1.3.2. Очистка наружной поверхности нефтепровода. Противокоррози онная изоляция. 15
1.3.3. Вырезка и демонтаж «катушки». 21
1.3.4. Стыковка трубопровода методом установки «катушки». 24
1.3.5. Размагничивание стыкуемых труб.
150 руб.