Модулі оперативної пам’яті SD-RAM, DDR, DDR2, DIMM
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Мікросхеми динамічної пам'яті є згрупованим масивом конденсаторів - матрицею, що складається з рядків (rows) і стовпців (columns). Для перетворення аналогової величини заряду, накопиченої в конденсаторах, використовуються спеціальні підсилювачі. Крім цього, передбачені спеціальні ланцюги для заряджання конденсаторів і для запису даних.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Похожие материалы
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
DiKey
: 4 июля 2022
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ НА ЛАБОРАТОРНУЮ РАБОТУ
Тема работы : ПАМЯТЬ ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
Исходные данные:
Проектировать схему регистра памяти в среде САПР - Active HDL (Aldec), разработать VHDL код схемы.
Содержание пояснительной записки:
Теоритическая часть, описание схемы, схема требуемого модуля, структурная схема, функциональная схема, таблица истинности, практическая часть, разработка VHDL кода схемы, описание процесса проектирован
150 руб.
Другие работы
СИНЕРГИЯ Венчурное и проектное финансирование - Тест 100 баллов 2023 год
Synergy2098
: 1 января 2024
СИНЕРГИЯ Венчурное и проектное финансирование
МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тест оценка ОТЛИЧНО (100 баллов)
2023 год
Ответы на 20 вопроса
Результат – 100 баллов
С вопросами вы можете ознакомиться до покупки
ВОПРОСЫ:
1. Установите соответствие между показателями и их значениями для условного примера неэффективного инвестиционного проекта:
2. Привлечение банковского кредита увеличивает …
3. Функциями оператора программы "фабрики" проектного финансирования наделена государственную корпорац
228 руб.
Причины сокращения ресурса шин
gordenis
: 10 июня 2012
1. Конструкция автомобильных шин ………………………………………... 2
2. Виды износа и разрушения шин …………………………………………... 3
3. Несоблюдение норм внутреннего давления воздуха
в шинах и их перегрузка ……………………………...……………………. 6
4. Неисправности ходовой части и рулевого управления автомобиля ……. 7
5. Нерегулярное техническое обслуживание и ремонт шин ……………….. 9
6. Нарушение правил демонтажа и монтажа шин …………………………. 11
7. Неумелое вождение автомобиля …………………………………………. 12
Литература ……………………………
12 руб.
Теория автоматов. Вариант №19
IT-STUDHELP
: 18 ноября 2021
Вариант 19
1. Покажите на примере программную реализацию автомата Мили.
2. Могут ли быть эквивалентными два конечных автомата, имеющие различное количество финальных состояний? Почему?
3. Функциональная схема машины Тьюринга.
4. При каких условиях могут возникать гонки?
700 руб.
Контрольные работы по гидростатике и гидродинамике ИжГТУ К.р. 1 Задача 3 Вариант 2
Z24
: 11 декабря 2025
Определить давление в гидросистеме и вес груза G, лежащего на поршне 2, если для его подъема к поршню 1 приложена сила F. Диметры поршней: D, d. Разностью высот пренебречь.
150 руб.