Модулі оперативної пам’яті SD-RAM, DDR, DDR2, DIMM
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Мікросхеми динамічної пам'яті є згрупованим масивом конденсаторів - матрицею, що складається з рядків (rows) і стовпців (columns). Для перетворення аналогової величини заряду, накопиченої в конденсаторах, використовуються спеціальні підсилювачі. Крім цього, передбачені спеціальні ланцюги для заряджання конденсаторів і для запису даних.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Щоб прочитати інформацію, записану в комірці, спочатку подається сигнал Row Access Strobe (RAS), виконуючи який ми потрапляємо на потрібний рядок. При цьому заряди всього рядка поступають на підсилювачі і через деякий час можуть бути зчитані. Така операція називається активацією рядка.
Далі, отримуючи команду Column Access Strobe (CAS), ми виходимо на шукану комірку рядка. Після цього при отриманні команди Read відбувається зчитування інформації, а при директиві Write - її запис. Поки рядок залишається активним, можливі зчитування або запис і інших елементів пам'яті. При читанні інформації з комірок у конденсаторів втрачається заряд, тому їх необхідно періодично підзаряджати. Ця операція відбувається після того, як закінчується час активності рядка. Після її закриття подальше зчитування даних неможливе без повторної активації.
Елемент пам'яті через свої фізичні можливості здатний зберігати тільки один біт інформації. Для зберігання 1 байта використовується 8 елементарних елементів пам'яті. При цьому вони адресуються однаково і організовані з використанням шини даних шириною в 8 ліній. Такі об'єднані комірки утворюють слово.
Для прискорення процесу зчитування даних з різних ділянок пам'яті використовується технологія з декількома масивами, або банками пам'яті. Їх можна уявити собі як книгу, що складається з деякого числа сторінок-матриць. Банки працюють абсолютно незалежно один від одного. Наприклад, дані можна прочитувати з пам'яті одного, обробляти і закладати в пам'ять іншого. При цьому будуть відсутні затримки на активацію і закриття рядків даних в масиві пам'яті, що спостерігалося б у разі одного банку. Подібна архітектура значно прискорює процес доступу до даних. Контролер пам'яті при зверненні використовує номер банку, номер рядка і номер колонки масиву пам'яті. Тобто, маючи номер банку, RAS і CAS, цей чіп знає точні координати потрібного йому елементу пам'яті.
Похожие материалы
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
DiKey
: 4 июля 2022
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Память ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ НА ЛАБОРАТОРНУЮ РАБОТУ
Тема работы : ПАМЯТЬ ОЗУ/ПЗУ (RAM/ROM)
Исходные данные:
Проектировать схему регистра памяти в среде САПР - Active HDL (Aldec), разработать VHDL код схемы.
Содержание пояснительной записки:
Теоритическая часть, описание схемы, схема требуемого модуля, структурная схема, функциональная схема, таблица истинности, практическая часть, разработка VHDL кода схемы, описание процесса проектирован
150 руб.
Другие работы
Проектирование зоны ТР на АТП города Оренбурга
belyaev27
: 18 декабря 2016
Содержание
1.Общая часть
1.1.Введение
1.2.Характеристика АТП и объекта проектирования
1.3.Условные обозначения
1.4.Исходные данные для проектирования
1.5.Нормативные данные для проектирования
1.6.Значение коэффициентов проектирования
2.Расчетно-технологический раздел
2.1.Выбор и корректировка периодичности ТО-1 и ТО-2
2.2.Корректирование периодичности ТО-1 и ТО-2 на кратность среднесуточному пробегу
2.3.Корректирование пробега до капитального ремонта
2.4.Определение коэффициента технической гото
200 руб.
Раздел дипломной работы - Технологическая часть восстановления детали распредвал
Рики-Тики-Та
: 19 июля 2018
3.Технологическая часть восстановления детали распредвал
3.1 Ремонтный чертеж детали, подлежащей восстановлению
3.2 Особенности конструкции детали
Вал распределительный
Вал распределительный, № детали 13-1006015, материал: Сталь 40, Селект С=0,4-0,45%, ГОСТ 1050-60. Твердость: Вала-Нв 187-228. Кулачков шестерни и опорных шеек НRС 52-60.
3.3 Определение класса детали
Данная деталь относится к классу комплектующих деталей, как и различные виды подшипников, шкивов, зубчатых колес. Наиболее
28 руб.
Правовой нигилизм и правовой идеализм: характер, соотношения и пути преодоления
Иринка
: 20 августа 2019
ВВЕДЕНИЕ
1. ПОНЯТИЕ И ИСТОЧНИКИ ПРАВОВОГО НИГИЛИЗМА И ИДЕАЛИЗМА
1.1. Понятие и формы правового нигилизма
1.2. Источники и причины правового нигилизма
1.3. Правовой идеализм и его причины
2. ВЛИЯНИЕ ПРАВОВОГО ИДЕАЛИЗМА И НИГИЛИЗМА НА ОБЩЕСТВО
2.1.Формы и соотношение правового нигилизма и правового идеализма
2.2.Влияние правового нигилизма и правового идеализма на правовой мир личности и систему общественных отношенй
2.3.Проблема распространения правового нигилизма и идеализма в Росссийской Феде
1000 руб.
ИГ.03.11.02 - Пирамида с вырезом
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 30 июля 2023
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Вариант 11
ИГ.03.11.02 - Пирамида с вырезом
Построить три проекции геометрического тела. Показать линии невидимого контура.
В состав работы входят пять файлов:
- 3D модель геометрического тела, расширение файла *.m3d (для открытия требуется программа компас не ниже 16 версии);
- чертеж формата А3 в трёх видах с сохранением всех линий построения, все проекции вершин пирамиды обозначены буквами, вершин выреза - цифрами, расширение файла *.cdw (для открыти
100 руб.