Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант№19
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Табл. 2.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
ЗАДАЧА 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
ЗАДАЧА 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Табл. 4.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Табл. 2.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
ЗАДАЧА 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
ЗАДАЧА 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Табл. 4.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.10.2013
Рецензия:Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.10.2013
Рецензия:Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Оптоэлектроника ( устройства оптоэлектроники ) Контрольная работа вариант №19
andreyan
: 2 февраля 2017
Вариант No19
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Варианты и данные фотоприемников
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. ВАРИАНТ 19. семестр 6
настя2014
: 28 апреля 2015
Методические рекомендации к выполнению контрольной работы
Учебным планом для заочного отделения планируется выполнение контрольной работы, предусматривающей решение четырех задач. Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Содержание задач контрольной работ
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Д
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Другие работы
Инженерная графика. ТУСУР. Вариант 7
djon237
: 2 августа 2023
Вариант 7
Содержание контрольной работы
Задание 1- проекционное черчение -лист 1
Задание 2- разъемное соединение - лист 2
Задание 3- деталирование - пневмоаппарат клапанный
лист 3- шпиндель
лист 4- корпус
лист 5- штуцер
Содержание лабораторной работы
3D модель
чертеж
800 руб.
Реферат по дисциплине «Органическая химия» на тему: «Поли-е-капроамид»
wizardikoff
: 24 февраля 2012
Содержание
Введение
Описание и свойства поли-е-капроамида
Структура и конформация поли-е-капроамида. Схема реакций получения
Получение поли-е-капроамида
Применение поли-е-капроамида
Заключение
Список
Жизнь современного человека трудно представить себе без всевозможных искусственных и синтетических материалов. Из них сделаны большинство предметов нашей повседневной жизни. Натуральные же, природные, материалы давно перешли из разряда самых простых и доступных в разряд роскоши, доступной далеко
Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: «Прототипирование телекоммуникационных систем». Вариант общий
teacher-sib
: 3 мая 2025
Лабораторная работа №1
По дисциплине: «Прототипирование телекоммуникационных систем»
«Разработка модуля комбинационной логики»
Цель работы:
Изучение основных этапов проектирования на примере простейшей комбинационной схемы, включая сборку и компиляцию.
Лабораторная работа №2
По дисциплине: «Прототипирование телекоммуникационных систем»
«Разработка и отладка параметризованного
модуля двоичного счетчика с разрешением счета»
Цель работы: Изучение основных этапов проектирования и тестирования
2000 руб.
Механизация и электроснабжение участка горных работ
Рики-Тики-Та
: 18 марта 2012
В первой части дипломного проекта приводятся данные о месторасположении разреза, климатических условиях, условиях залегания пластов угля, промышленные запасы угля состав пород и другая информация. Далее приводится информация о способе вскрытия месторождения и приведена характеристика элементов системы разработки. Приведен расчет буровзрывных работ и произведен расчет затрат на взрывчатые материалы.
Вторая и основная часть дипломного проекта – механизация. Здесь произведен расчет производительнос
1210 руб.