Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант№19
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника промышленная, Работа Контрольная
-
Добавлен:
06.10.2013
-
Размер:
96 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
58197
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Табл. 2.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
ЗАДАЧА 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
ЗАДАЧА 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Табл. 4.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Табл. 2.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
ЗАДАЧА 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
ЗАДАЧА 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Табл. 4.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.10.2013
Рецензия:Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.10.2013
Рецензия:Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Оптоэлектроника ( устройства оптоэлектроники ) Контрольная работа вариант №19
andreyan
: 2 февраля 2017
Вариант No19
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Варианты и данные фотоприемников
andreyan
: 2 февраля 2017
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. ВАРИАНТ 19. семестр 6
настя2014
: 28 апреля 2015
Методические рекомендации к выполнению контрольной работы
Учебным планом для заочного отделения планируется выполнение контрольной работы, предусматривающей решение четырех задач. Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Содержание задач контрольной работ
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Д
настя2014
: 28 апреля 2015
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Другие работы
Оценка рисков инновационных проектов
Qiwir
: 26 марта 2013
Введение
Понятие и виды инновационного проекта и программы
Оценка и эффективность инвестиционных проектов
Риски внедрения инновационных проектов
Заключение
Qiwir
: 26 марта 2013
10 руб.
Зачет по дисциплине: Прикладная механика (часть 1). Билет №6
xtrail
: 8 августа 2024
Прикладная механика (часть1)
Билет 6
1. Аксиома связей
2. Центр параллельных сил. Центр тяжести
xtrail
: 8 августа 2024
400 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-4 Вариант 76
Z24
: 16 января 2026
Водяной пар при давлении р1 и температуре t1, дросселируется до давления p2. Определить неизвестные параметры пара h, υ, s в начале и в конце дросселирования и потерю работоспособности Dh=T0·Δs.
Принять температуру окружающей среды равной t0. Изобразить процессы на hs — диаграмме.
Z24
: 16 января 2026
150 руб.
Разработка технологии и организация контроля качества ремонта деталей и узлов пассажирских вагонов на Новороссийском вагоноремонтном заводе
alfFRED
: 9 февраля 2013
В дипломном проекте необходимо разработать организацию работ по неразрушающему контролю, технологический процесс ремонта тележек. В экономической части описать два метода контроля : вихретоковый и магнитопорошковый. В графической части изобразить структурную схему и основные посты неразрушающего контроля.
Дипломный проект выполнен в соответствии с заданием и требованием на выполнение дипломного проекта.
Также разработан технологический процесс ремонта надрессорной балки КВЗ-ЦНИИ.
В экономической
alfFRED
: 9 февраля 2013
10 руб.
