Разработка устройства "Светодиодный пробник p-n переходов"

Цена:
10 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-183134.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание

Задание на курсовой проект

Замечание руководителя

Введение

1. Описание работы устройства

2. Создание интегрированной библиотеки компонентов

2.1 Создание символов компонентов

2.2 Создание посадочных мест компонентов

2.3 Формирование таблиц выводов компонентов

3. Создание принципиальной электрической схемы

3.1 Настройка редактора P-CAD Schematic

3.2 Ввод принципиальной электрической схемы устройства

3.3 Верификация схемы

3.4 Оформление чертежа схемы по ЕСКД

4. Создание печатной платы

4.1 Настройка редактора P-CAD PCB

4.2 Упаковка принципиальной электрической схемы на печатную плату

4.3 Размещение компонентов на печатной плате

4.4 Трассировка печатной платы

4.5 Верификация печатной платы

4.6 Добавление рамки со штампом

Список литературы

ПРИЛОЖЕНИЯ А

ПРИЛОЖЕНИЯ Б

ПРИЛОЖЕНИЯ В

ПРИЛОЖЕНИЯ Г

ВВЕДЕНИЕ

Система P-CAD предназначена для проектирования многослойных печатных плат (ПП) вычислительных и радиоэлектронных устройств. В состав P-СAD входят четыре основных модуля – P-CAD Schematic, P-CAD PCB, P-CAD Library Executive, P-CAD Autorouters и ряд других вспомогательных программ.

P-CAD Schematic и P-CAD PCB – соответственно графические редакторы принципиальных электрических схем и ПП. Редакторы имеют системы всплывающих меню в стиле Windows, а наиболее часто применяемым командам назначены пиктограммы.

Автотрассировщики вызываются из управляющей оболочки P-CAD РСВ, где и производится настройка стратегии трассировки. Информацию об особенностях трассировки отдельных цепей можно с помощью стандартных атрибутов ввести на этапах создания принципиальной схемы или ПП. Трассировщик QuickRoute относится к трассировщикам лабиринтного типа и предназначен для трассировки простейших ПП. Трассировщик Shape-Based Autorouter - бессеточная программа автотрассировки ПП. Программа предназначена для автоматической разводки многослойных печатных плат с высокой плотностью размещения элементов. Эффективна при поверхностном монтаже корпусов элементов, выполненных в различных системах координат. Имеется возможность размещения проводников под различными углами на разных слоях платы, оптимизации их длины и числа переходных отверстий.
Определение параметров p-n перехода
1. Исходные данные 1) материал полупроводника – GaAs 2) тип p-n переход – резкий и несимметричный 3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА 4) барьерная ёмкость () – 1 пФ 5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2 6) физические свойства полупроводника Ширина запрещенной зоны, эВ Подвижность при 300К, м2/В×с Эффективная масса Время жизни носителей заряда, с Относительная диэлектрическая проницаемость электронов Дырок электрона mn/me дырки mp/me
User elementpio : 30 сентября 2013
5 руб.
Лабораторная работа №1/ ЭФФЕКТ Р-N ПЕРЕХОДА В ДИОДАХ
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ЗАДАНИЕ №1 ЭФФЕКТ Р-N ПЕРЕХОДА В ДИОДАХ Цель работы: Усвоить практические приемы лабораторного исследования диода односторонней проводимости и экспериментально подтвердить теоретические сведения. Приборы и оборудование: Источник питания постоянного тока, реостат, активное сопротивление, диод, вольтметр. Задание: Исследовать влияние р-n перехода выпрямительного диода на ток в нем в зависимости от величины и полярности приложенного напряжения. Построить вольт-амперную ха
User ilya01071980 : 14 июня 2016
500 руб.
Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом
Завдання: 1. Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. 2. Намалювати сім’ю ВАХ і характеристик передачі. 3. Які фізичні фактори відповідають за нелінійність ВАХ. 4. Розрахувати опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd, акцепторів в р області Na, довжині каналу L, ширині-W і товщині-d. 5. Який з параметрів польового транзистора характеризує його підсилювальну властивість в режимі малих сигналів? Визначити його максимал
User evelin : 14 ноября 2012
19 руб.
Физические основы электроники. Зачётная работа. Билет № 14 (Вариант 03). 3 курс 6 семестр. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический
Билет № 14 1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
User virtualman : 9 января 2020
37 руб.
Физические основы электроники. Зачётная работа. Билет № 14 (Вариант 03). 3 курс 6 семестр. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический
Радиатор пластинчатый. Вариант 10
Радиатор пластинчатый. Вариант 10 1. По заданной аксонометрической проекции выполнить трехмерную модель радиатора пластинчатого. 2. По модели создать и оформить трехпроекционный ассоциативный чертеж и дополнить его аксонометрией. 3d модели и чертеж (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмо
User lepris : 10 марта 2022
80 руб.
Радиатор пластинчатый. Вариант 10
Основы теории цепей. Лабораторная работа №1. семестр 1-й. Вариант №09
Изучение, исследование и проверка законов Ома и Кирхгофа в разветвленной электрической цепи, содержащей источник и резистивные элементы. 3.2. Исходные данные: Значение ЭДС источника Е1=10 В. Значения сопротивлений резисторов: R1 =100 + 9 * 10 = 190(Ом), где N – номер варианта (последняя цифра пароля - 9); R2=R3=R4=R5=R6=100 Ом.
User Antvl1993 : 30 октября 2021
50 руб.
Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 3 Вариант 68
Определить поверхность нагрева рекуперативного газовоздушного теплообменника при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей, если объемный расход нагреваемого воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплопередачи от продуктов сгорания к воздуху k, начальные и конечные температуры продуктов сгорания и воздуха соответственно равны t′1, t″1, t′2, t″2. Изобразить для обоих случаев графики изменения температуры теплоносителей от величины поверхности теплообмена. Ук
User Z24 : 20 января 2026
200 руб.
Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 3 Вариант 68
Физика. Лабораторная работа №1. Вариант 1.
ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1) Исследовать электростатическое поле 2) Графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для двух конфигураций поля. 3) Оценить величину напряженности электрического поля в трех точках 4) Определить направление силовых линий
User pipipi : 4 мая 2025
200 руб.
up Наверх