Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники . 4-й семестр. Вариант №14.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
08.10.2013
-
Размер:
75 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
58197
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
конрУОЭ.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: сентябрь .2013
Рецензия:Уважаемый Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: сентябрь .2013
Рецензия:Уважаемый Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 7. (4-й семестр)
Jack
: 9 декабря 2013
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 - Фототранзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, n - 0,2;
Ширина запрещенной зоны dW , эВ - 0,6;
Найти: Лгр -? Sгр -?
Задача №3: Изобразить принципиал
Jack
: 9 декабря 2013
250 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
ramzes14
: 15 февраля 2013
Вопросы к зачету:
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
ramzes14
: 15 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Dimark
: 21 января 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
Dimark
: 21 января 2013
2-й семестр ДО. «Устройства оптоэлектроники». Зачет. В3.
Мария60
: 1 февраля 2019
2 семестр ДО.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
Мария60
: 1 февраля 2019
100 руб.
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники 5-й семестр
agentorange
: 9 апреля 2017
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
agentorange
: 9 апреля 2017
120 руб.
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. 3-й семестр.
vindemia
: 3 июня 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
vindemia
: 3 июня 2015
75 руб.
Зачёт по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе моноперехода.
Раздел Излучатели.
2.Ввод излучения в световоды.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия сканистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
ua9zct
: 17 марта 2015
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа. 5-й семестр
yana1988
: 17 ноября 2014
Вопросы к зачету «Устройства оптоэлектроники».
1.Спектры потерь в световоде.Раздел Физические основы оптоэлектроники
2.Назначение и типы линз используемых в излучателях. Раздел Излучатели.
3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
yana1988
: 17 ноября 2014
30 руб.
Другие работы
Разработка топологии интегральной схемы ua78xx (обновленный вариант)
Orlandovich
: 11 декабря 2017
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знаний, полученных на предыдущих этапах обучения в ВУЗе.
Задание:
1. Провести схемотехническое моделирование интегральной схемы трехвыводной стабилизатор положительного напряжения ua78xx, взятого из в программе MicroCap. В результате моделирования получить значения токов, напряжений и выделяемую мо
Orlandovich
: 11 декабря 2017
400 руб.
Организация оплаты труда работников в ОАО "Полиграфкомбинат "Красная Звезда" и направления ее совершенствования
Elfa254
: 1 ноября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1 СУЩНОСТЬ И ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ОПЛАТЫ ТРУДА 9
1.1 Основные принципы организации заработной платы 9
1.2 Функции заработной платы в условиях перехода к рыночным отношениям 17
1.3 Формы и системы оплаты труда в Республике Беларусь 23
1.4 Тарифная и бестарифная система оплаты труда 44
1.5 Зарубежный опыт оплаты труда на предприятии 51
2 АНАЛИЗ ОРГАНИЗАЦИИ ЗАРАБОТНОЙ ПЛАТЫ РАБОТНИКОВ ОАО «ПОЛИГРАФКОМБИНАТ «КРАСНАЯ ЗВЕЗДА»» И НАПРАВЛЕНИЕ ЕЕ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ 59
Elfa254
: 1 ноября 2013
10 руб.
Теория электрических цепей. 21-й вариант
marmeladex
: 4 ноября 2016
Курсовая работа по дисциплине: Теория электрических цепей.
Вариант: 21
Содержание
1. Техническое задание – 3
2. Расчет полосового LC-фильтра – 3
2.1. Расчет амплитудного спектра радиоимпульсов – 4
2.2. Формирование требований к полосовому фильтру – 6
2.3. Формирование передаточной функции НЧ-прототипа – 7
2.4. Реализация LC-прототипа – 8
2.5. Реализация пассивного полосового фильтра – 10
3. Расчет активного полосового RC-фильтра – 11
3.1. Расчет полюсов ARC-фильтра – 11
3.2. Формирование
marmeladex
: 4 ноября 2016
220 руб.
Разработка станка-качалки с заданной длиной хода и модернизацией плунжера-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 15 марта 2016
Данный дипломный проект включает:
пояснительная записка - 163 страниц, 14 таблиц, 24 рисунка,
Ключевые слова: РАМА, СТОЙКА, БАЛАНСИР, ГОЛОВКА БАЛАНСИРА, ТРАВЕРСА, ШАТУН, КРИВОШИП, РЕДУКТОР, КАНАТНАЯ ПОДВЕСКА, ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ, ПРОТИВОГРУЗЫ, КЛИНОРЕМЕННАЯ ПЕРЕДАЧА, ПЛУНЖЕР, ЦИЛИНДР, УПЛОТНИТЕЛЬНЫЕ КОЛЬЦА.
Выпускная квалификационная работа относится к технике и технологии добычи нефти и может быть использовано при добыче обводненной нефти с высоким содержанием газа. Отличительной особенностью
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 15 марта 2016
3485 руб.
