Архитектура современных процессоров

Цена:
10 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7F1AFA5E-9752-493F-B24F-32D55B5EB719.zip [177 KB]
material.view.file_icon bestref-206404.doc [299 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание

Введение

1. 8086: первый процессор для ПК

2. Одноядерные процессоры

3. Переход к двуядерным процессорам

4. Виртуализация

5. Кратко о некоторых других технологиях

6. Будущие технологии

Библиографический список

Введение

Процессор (или центральный процессор, ЦП) — это транзисторная микросхема, которая является главным вычислительным и управляющим элементом компьютера.

Английское название процессора - CPU (Central Processing Unit).

Процессор представляет собой специально выращенный полупроводниковый кристалл, на котором располагаются транзисторы, соединенные напыленными алюминиевыми проводниками. Кристалл помещается в керамический корпус с контактами.

В первом процессоре компании Intel - i4004, выпущенном в 1971 году, на одном кристалле было 2300 транзисторов, а в процессоре Intel Pentium 4, выпущенном 14 апреля 2003 года, их уже 55 миллионов.Современные процессоры изготавливаются по 0,13-микронной технологии, т.е. толщина кристалла процессора, составляет 0,13 микрон. Для сравнения - толщина кристалла первого процессора Intel была 10 микрон.

Другие работы

Материалы и компоненты электронной техники, 2021 год
Задача No 3.1.3 Сопротивление вольфрамовой нити электрической лампочки при 20°С составляет 35 Ом. Определить температуру нити лампочки, если известно, что при ее включении в сеть напряжением 220 в установившемся режиме по нити проходит ток 0.6 А. температурный коэффициент удельного сопротивления вольфрама при 20°С можно принять равным 0,005 К-1 Задача No 3.1.4 Определить дину нихромовой проволоки диаметром 0,5 мм, используемой для изготовления нагревательного устройства с сопротивлением 20 Ом
СибГУТИ Материалы и компоненты электронной техники Работа Контрольная
User Марина16 : 19 декабря 2021
350 руб.
Проект реконструкции участка ТО и диагностики в ЦРМ Васильевского Совхоза Липецкой области Воловского р-на с разработкой установки для балансировки колес
СОДЕРЖАНИЕ 1 ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ 2 ПРОЕКТ РЕКОНСТРУКЦИИ ЦРМ ВАСИЛЬЕВСКОГО СОВХОЗА С РАЗРАБОТКОЙ УЧАСТКА ДИАГНОСТИКИ И ТО МТП ХОЗЯЙСТВА 3 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ВОССТАНОВЛЕНИЯ ОСИ КОЛЕСА КОМБАЙНА ЕНИСЕЙ -1200Н 4 РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ БАЛАНСИРОВОЧНОГО СТЕНДА 5 ОХРАНА ТРУДА 6 ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРОЕКТА АННОТАЦИЯ Пояснительная записка состоит из введения, шести разделов, выводов, рисунков, таблиц. В первом разделе дан анализ хозяйственной деятельности. Второй р
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Рики-Тики-Та : 23 марта 2018
825 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Электроника. Иследование h-параметров и режима усиления биполярного транзистора (БТ).
Лабораторная работа №4 тема: "Иследование h-параметров и режима усиления биполярного транзистора (БТ)". 1. Цель работы. 1. Определение h-параметров в различных схемах включения. 2. Исследование зависимости h-параметров от различных факторов. 3. Определение коэффициентов усиления в различных схемах включения. Измерение в режиме КЗ на выходе (для переменой составляющей). Измерение в режиме обрыва на входе (для переменой составляющей). Обработка полученных результатов Измерения в схеме с ОЭ. Задани
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User Amor : 11 января 2014
20 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 11 Вариант 14
Канал (земляной) трапецеидального сечения имеет коэффициент заложения откосов m = 1,5; уклон дна i = (0,0006 + 0,0001·y); ширину дна русла b = (2,5 + 0,05·z) м и пропускает при глубине h0 = (1,5 + 0,05·y) м расход Q1 = (6,5 + 0,1·z) м³/с. На сколько метров нужно уширить канал при сохранении заданных m и i, чтобы он пропускал при том же наполнении расход Q2 = (9 + 0,1·z) м³/с (рис. 11)?
Задачи
User Z24 : 2 января 2026
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 11 Вариант 14
up Наверх