Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.10.2013
-
Размер:
53 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
ser378
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная Работа Устройства Оптоэлектроники.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Похожие материалы
Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
svh
: 1 октября 2016
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
svh
: 1 октября 2016
220 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Антон133
: 3 апреля 2016
Вариант 02
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Ge 0,2 0,6
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
Антон133
: 3 апреля 2016
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. контрольная работа. Вариант №2
Vokut
: 21 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
0,6
1.41
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикато
Vokut
: 21 декабря 2015
350 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
1ked
: 13 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать
1ked
: 13 декабря 2015
250 руб.
Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
marucya
: 14 апреля 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача N
marucya
: 14 апреля 2014
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2
BuKToP89
: 31 марта 2016
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней
Тип ПП материала -
Квантовая эффективной
Ширина запрещённой зоны .
см. скриншот
Задача №3.
Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатор
BuKToP89
: 31 марта 2016
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Другие работы
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 50 Вариант 8
Z24
: 2 ноября 2025
Определить значение силы F, преодолеваемой штоком гидроцилиндра при движении его против нагрузки со скоростью V. Давление на входе в дроссель рн; давление на сливе рс; коэффициент расхода дросселя μ=0,62; диаметр отверстия дросселя d, ρ=900 кг/м³. (рис. 37).
Z24
: 2 ноября 2025
220 руб.
Управляемый термоядерный синтез никогда не будет освоен
evelin
: 2 сентября 2013
С позиции классической физики доказано, что управляемый термоядерный синтез не может дать тех результатов, которые от него ожидает наука.
Фундаментальной основой современной теоретической физики являются постулатные представления об основных проявлениях природы: о фотонах, о квантах энергии, о теплоте, свете, о хаотичном самопроизвольном движении частиц, о строении атома, о поглощении фотонов электронами, о спектрах, спектральных линиях … и т. д. Природа устроена достаточно сложно и придумать по
evelin
: 2 сентября 2013
15 руб.
Химия радиоматериалов. Контрольная работа. 2 семестр. 23 вариант.
skaser
: 9 октября 2011
Задача No 3.1.1 Определить падение напряжения в линии электропередач длиной 500 км при температуре Т1 = -30° , Т2 = +25°, Т3 = +50°, если провод имеет сечение 25 мм2 и по нему течет ток 200 А (материал провода – медь).
Задача No 3.1.2 Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R = 2000 Ом, и допустимой мощностью рассеяния P = 5 Вт (материал проволоки Х15Н60, j = 0,1 А/мм2, ρ0 = 1,1 мкОм•м).
Задача No 3.2.1 Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и
skaser
: 9 октября 2011
70 руб.
Материальная ответственность участников безналичных расчетов за несвоевременность платежей
alfFRED
: 28 октября 2013
Претензии плательщиков и получателей средств друг к другу, связанные с осуществлением расчетных операций, рассматриваются ими без участия банка. В то же время в договоре между хозяйствующими субъектами может быть предусмотрена необходимость уплаты и соответственно размер пени за просрочку платежа. Однако банк начисляет и взыскивает пеню в оговоренных случаях только при условии, что ему предоставлено такое право договором на расчетно-кассовое обслуживание.
Ответственность банков за несвоевременно
alfFRED
: 28 октября 2013
10 руб.
