Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Похожие материалы
Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
svh
: 1 октября 2016
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
220 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Антон133
: 3 апреля 2016
Вариант 02
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Ge 0,2 0,6
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. контрольная работа. Вариант №2
Vokut
: 21 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
0,6
1.41
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикато
350 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
1ked
: 13 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать
250 руб.
Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
marucya
: 14 апреля 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача N
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2
BuKToP89
: 31 марта 2016
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней
Тип ПП материала -
Квантовая эффективной
Ширина запрещённой зоны .
см. скриншот
Задача №3.
Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатор
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Другие работы
Защита информации. Лабораторная работа №1,2,3.
LowCost
: 1 февраля 2022
Лабораторная работа №1.
Тема: Шифры с открытым ключом (Глава 2)
Постановка задачи:
1. Написать и отладить набор подпрограмм (функций), реализующих алгоритмы возведения в степень по модулю, вычисление наибольшего общего делителя, вычисление инверсии по модулю.
2. Используя написанные подпрограммы, реализовать систему Диффи-Хеллмана, шифры Шамира, Эль-Гамаля и RSA, в частности:
2.1. Для системы Диффи-Хеллмана с параметрами p = 30803, g = 2, XA = 1000, XB = 2000 вычислить открытые ключи и общий се
69 руб.
: Влияние атомного комплекса на послевоенное развитие СССР
OstVER
: 16 ноября 2012
Введение
Мне приходилось заниматься многими проблемами Отечественной войны, а также послевоенного развития Советского Союза, в частности, индустриальными и демографическими. Я считал их важнейшими, но когда несколько лет назад в составе Правительственной комиссии по рассекречиванию документов советского атомного проекта познакомился в Архиве Президента Российской Федерации с материалами Спецкомитета по созданию атомной бомбы, то понял, что все виденные мной ранее исторические источники меркнут п
5 руб.
Правила оформления компьютерных презентаций
alfFRED
: 26 февраля 2014
Многие дизайнеры утверждают, что законов и правил в дизайне нет. Есть советы, рекомендации, приемы. Дизайн, как всякий вид творчества, искусства, как всякий способ одних людей общаться с другими, как язык, как мысль — обойдет любые правила и законы.
Однако, можно привести определенные рекомендации, которые следует соблюдать, во всяком случае, начинающим дизайнерам, до тех пор, пока они не почувствуют в себе силу и уверенность сочинять собственные правила и рекомендации.
Правила шрифтового оформл
10 руб.
Лабораторные работы №№1,3 по дисциплине: Антенны и распространение радиоволн
IT-STUDHELP
: 23 ноября 2021
Лабораторная работа No1
Линейная антенная решетка
Задача No 1
Исходные данные
1. Решетка излучателей эквидистантная, равноамплитудная, синфазная.
2. Количество излучателей n=2, 5, 10, 20, 40.
3. Шаг решетки d / = 0,5.
Задание
Исследовать зависимость ширины главного лепестка диаграммы направленности 0, уровней первых двух боковых лепестков E1б, Е2б, и КНД от n. Результаты вычислений занести в таблицу 1.
Таблица 1
n
2
5
10 20 40
00
Е1б
Е2,б
КНД
По результ
300 руб.