Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.10.2013
-
Размер:
53 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
ser378
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная Работа Устройства Оптоэлектроники.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Похожие материалы
Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
svh
: 1 октября 2016
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
svh
: 1 октября 2016
220 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Антон133
: 3 апреля 2016
Вариант 02
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Ge 0,2 0,6
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
Антон133
: 3 апреля 2016
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. контрольная работа. Вариант №2
Vokut
: 21 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
0,6
1.41
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикато
Vokut
: 21 декабря 2015
350 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
1ked
: 13 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать
1ked
: 13 декабря 2015
250 руб.
Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
marucya
: 14 апреля 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача N
marucya
: 14 апреля 2014
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2
BuKToP89
: 31 марта 2016
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней
Тип ПП материала -
Квантовая эффективной
Ширина запрещённой зоны .
см. скриншот
Задача №3.
Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатор
BuKToP89
: 31 марта 2016
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Другие работы
Расчет основных параметров роторного екскаватора
SerFACE
: 1 февраля 2013
СОДЕРЖАНИЕ:
1.ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………….3
2.Назначение и область применения роторных
траншейных экскаваторов……………………………………………………….4
3.Специальная часть……………………………………………………………...6
3.1. Особенности функционирования
режущего инструмента роторных траншейных экскаваторов……………………………...............................................................6
3.2. Основные конструкции режущего инструмента роторных траншейных экскаваторов …………………………………………………………………….15
4.Расчетная часть………………………………………………
SerFACE
: 1 февраля 2013
40 руб.
Роль деятельности в психическом развитии ребенка в теории А.Н. Леонтьева
alfFRED
: 12 октября 2013
Содержание
Введение……………………………………………………………………..…….3
Развитие психики ребенка………………………………………………………..5
Учение А.Н. Леонтьева…………………………………………………………...6
Заключение……………………………………………………………………….16
Литература……………………………………………………………………….18
Введение
Введение в психологическую науку категории деятельность явилось результатом усилий многих советских исследователей-марксистов. Одним из этих замечательных ученых был А.Н. Леонтьев, именно его учение будет рассматриваться в данной работе. Но, в начале пр
alfFRED
: 12 октября 2013
Бизнес-план: Создание цеха по производству сыра и творога
GnobYTEL
: 24 августа 2012
Содержание
Список таблиц 3
Список рисунков 4
Резюме 5
Введение 7
1. Концепция проекта 8
2. Описание продукта (услуги) 9
3. Программа производств 11
4. Маркетинговый план 12
4.1 Описание рынка продукции (услуг) 12
4.2 Основные и потенциальные конкуренты 15
4.3 Прогнозные оценки развития рынка, ожидаемые изменения 15
4.4 Стратегия маркетинга 16
5. Техническое планирование 17
5.1 Технологический процесс 17
5.2 Здания и сооружения 18
5.3 Оборудование и инвентарь (техника) 18
5.4 Коммуникационная инф
GnobYTEL
: 24 августа 2012
20 руб.
