Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: «Физика». Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 82112EEF-19D2-4398-85C4-424222117A92.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Экспериментальные результаты
Вывод

Контрольные вопросы:

Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.

Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?

Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

По данной работе получен зачет!
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Разработка алгоритма обработки сигнальных сообщений ОКС№7 в сетях NGN при использовании технологии SIGTRAN
Содержание Реферат 2 Содержание 3 Введение 4 Глава 1. Архитектура сетей NGN и обоснованность их построения 5 1.1. Принципы построения традиционных телефонных сетей 5 1.2. Недостатки TDM сетей и предпосылки перехода к NGN 6 1.3. Общие принципы построения сетей NGN 8 1.4. Задачи дипломной работы 14 Глава 2. Технология SIGTRAN 14 2.1. Описание технологии 14 2.2. Архитектура SIGTRAN 17 2.2.1. Общее описание протокола SCTP 23 2.2.2. Уровень адаптации M3UA 27 2.2.2.1. Сообщения уровня адаптации M3UA 3
User klistrod : 14 июля 2010
Дополнительные главы математического анализа. Контрольная работа. Вариант №1.
1.Найти интервал сходимости степенного ряда 2.При помощи вычетов вычислить данный интеграл по контуру. 3.Разложить данную функцию f(x) в ряд Фурье 4.Найти общее решение дифференциального уравнения. 5. Найти частное решение дифференциального уравнения , удовлетворяющее начальным условиям
User seymchannet : 15 марта 2016
100 руб.
Основы теории цепей. 3-й семестр. 13-й вариант
Задание на курсовую работу На входе полосового фильтра действуют периодические прямоуголь-ные радиоимпульсы (рис. 1.1) с параметрами: tи – длительность им-пульсов, Tи – период следования; Tн – период несущей частоты; Umн – амплитуда несущего колебания, имеющего форму гармонического uн(t) = Umн × coswнt. Требуется рассчитать двусторонне нагруженный пассивный полосовой LC-фильтр и активный полосовой RC-фильтр для выделения эффективной части спектра радиоимпульсов, лежащей в полосе частот от (fн –
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.
Двухскоростной шнековый питатель
Выбор электродвигателя и кинематический расчёт привода Расчет цепной передачи Расчет тихоходной зубчатой прямозубой передачи Расчет быстроходной зубчатой косозубой передачи Предварительный расчёт валов редуктора Определение конструктивных размеров деталей передач Определение конструктивных размеров корпуса редуктора Первый этап компоновки редуктора Проверочный расчет валов на статическую прочность при совместном действии изгиба и кручения Проверка долговечности подшипников Проверка прочности шпо
User OstVER : 6 июня 2014
40 руб.
Двухскоростной шнековый питатель
up Наверх