Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: «Физика». Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 82112EEF-19D2-4398-85C4-424222117A92.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Экспериментальные результаты
Вывод

Контрольные вопросы:

Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.

Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?

Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

По данной работе получен зачет!
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Психологические особенности проявления ответственности в младшем школьном возрасте
Введение ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТВЕТСТВЕННОСТИ В ПСИХОЛОГИЧЕСКОЙ НАУКЕ 1.1 Понятие ответственность в психологической науке 1.2 Особенности развития морально-нравственной и эмоционально-волевой сфер личности в младшем школьном возрасте. Особенности проявления ответственности младшего школьника ГЛАВА 2. ЭМПИРИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ ОТВЕТСТВЕННОСТИ В МЛАДШЕМ ШКОЛЬНОМВОЗРАСТЕ 2.1 Организация и методы исследования 2.2 Описание результатов эмпирическо
User evelin : 19 октября 2013
Цифровая обработка сигналов. Зачет. Билет №9
1. Известен амплитудный спектр аналогового сигнала. Построить амплитудный спектр дискретного сигнала, полученного при дискретизации данного сигнала с периодом дискретизации 2. Дана передаточная функция дискретной цепи. Изобразить каноническую схему дискретной цепи. Записать разностное уравнение. Определить первые 5 отсчетов выходного сигнала , если задан входной сигнал 3. Дана передаточная функция дискретной цепи Найти нули и полюсы передаточной функции. Определить величину чувствите
User Vokut : 21 декабря 2015
300 руб.
Тяговый и динамический расчёт
Содержание 1 Исходные данные 3 2 Конструктивные и технические характеристики автомобиля 4 2.1 Внешняя скоростная характеристика двигателя 4 2.2 Коэффициент полезного действия трансмиссии 5 2.3 Характеристики ведущих колес 5 2.4 Теоретические скорости автомобиля 6 3 Силы, действующие на автомобиль 7 3.1 Сила тяги на ведущих колесах 7 3.2 Сила сопротивления качению 8 3.3 Сила сопротивления подъему 8 3.4 Сила сопротивления дороги 8 3.5 Сила тя
User proekt-sto : 30 января 2013
25 руб.
Правительство Российской Федерации – высший орган исполнительной власти
Введение Выпускная квалификационная работа посвящена сложной и, несомненно, значимой проблеме о значении Правительства РФ в системе исполнительной власти. На сегодняшний день состав и структура Правительства еще не полностью сформирована и продолжает совершенствоваться и обновляться. Правительство РФ является главным звеном в системе исполнительной власти. Вопрос об исполнительной власти является одним из труднейших вопросов правовой науки. Реальные характеристики этой ветви власти отражают сост
User alfFRED : 8 августа 2013
25 руб.
up Наверх