Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: «Физика». Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Экспериментальные результаты
Вывод
Контрольные вопросы:
Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Экспериментальные результаты
Вывод
Контрольные вопросы:
Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
По данной работе получен зачет!
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Психологические особенности проявления ответственности в младшем школьном возрасте
evelin
: 19 октября 2013
Введение
ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТВЕТСТВЕННОСТИ В ПСИХОЛОГИЧЕСКОЙ НАУКЕ
1.1 Понятие ответственность в психологической науке
1.2 Особенности развития морально-нравственной и эмоционально-волевой сфер личности в младшем школьном возрасте. Особенности проявления ответственности младшего школьника
ГЛАВА 2. ЭМПИРИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ ОТВЕТСТВЕННОСТИ В МЛАДШЕМ ШКОЛЬНОМВОЗРАСТЕ
2.1 Организация и методы исследования
2.2 Описание результатов эмпирическо
Цифровая обработка сигналов. Зачет. Билет №9
Vokut
: 21 декабря 2015
1. Известен амплитудный спектр аналогового сигнала.
Построить амплитудный спектр дискретного сигнала, полученного при дискретизации данного сигнала с периодом дискретизации
2. Дана передаточная функция дискретной цепи.
Изобразить каноническую схему дискретной цепи.
Записать разностное уравнение.
Определить первые 5 отсчетов выходного сигнала , если задан входной сигнал
3. Дана передаточная функция дискретной цепи
Найти нули и полюсы передаточной функции.
Определить величину чувствите
300 руб.
Тяговый и динамический расчёт
proekt-sto
: 30 января 2013
Содержание
1 Исходные данные 3
2 Конструктивные и технические характеристики автомобиля 4
2.1 Внешняя скоростная характеристика двигателя 4
2.2 Коэффициент полезного действия трансмиссии 5
2.3 Характеристики ведущих колес 5
2.4 Теоретические скорости автомобиля 6
3 Силы, действующие на автомобиль 7
3.1 Сила тяги на ведущих колесах 7
3.2 Сила сопротивления качению 8
3.3 Сила сопротивления подъему 8
3.4 Сила сопротивления дороги 8
3.5 Сила тя
25 руб.
Правительство Российской Федерации – высший орган исполнительной власти
alfFRED
: 8 августа 2013
Введение
Выпускная квалификационная работа посвящена сложной и, несомненно, значимой проблеме о значении Правительства РФ в системе исполнительной власти. На сегодняшний день состав и структура Правительства еще не полностью сформирована и продолжает совершенствоваться и обновляться. Правительство РФ является главным звеном в системе исполнительной власти.
Вопрос об исполнительной власти является одним из труднейших вопросов правовой науки. Реальные характеристики этой ветви власти отражают сост
25 руб.