Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: «Физика». Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 82112EEF-19D2-4398-85C4-424222117A92.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Экспериментальные результаты
Вывод

Контрольные вопросы:

Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.

Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?

Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

По данной работе получен зачет!
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Чертежи-Графическая часть-Дипломная работа-Технологическая схема установки М-20 для КРС, Анализ известных технических решений, Хвостовик, Обратный клапан, Размывочная насадка, Геолого-технический наряд, Деталировка
ОПИСАНИЕ КОНСТРУКЦИИ РАЗМЫВОЧНОЙ НАСАДКИ Размывочная насадка состоит из двух основных узлов; предохранительного клапана и хвостовика. Предохранительный клапан и хвостовик соединены между собой при помощи резьбы. Предохранительный клапан состоит из следующих элементов : седла клапана, штока, и пружины. Шток в клапане прижимает пружина, которая не дает возможности попаданию жидкости обратно в колонну гибких труб. Хвостовик состоит из следующих элементов; корпуса хвостовика, и пять сопел. Сопла п
696 руб.
Чертежи-Графическая часть-Дипломная работа-Технологическая схема установки М-20 для КРС, Анализ известных технических решений, Хвостовик, Обратный клапан, Размывочная насадка, Геолого-технический наряд, Деталировка
Основы радиосвязи и телевидения. Контрольная работа. Вариант 02.
Задача №1. Начертить осциллограмму полного видеосигнала, соответствующего развертке заданной строки изображения, показанного на рис. 1. На осциллограмме указать длительность строки, длительности прямого хода развертки, гасящего импульса строк, синхронизирующего импульса строк, а также численные значения уровней белого, серого, черного, гашения и синхронизирующих импульсов. Осциллограмма должна быть построена под изображением . Определить частоту первой гармоники импульсного сигнала, форм
User viccing : 23 июля 2015
100 руб.
Исследование термодинамических процессов с идеальными углеводородными смесями и расчет теплообменного аппарата
Введение Термодинамические процессы с идеальными углеводородными смесями Исходные данные для термодинамических расчетов Определение параметров газовой смеси одинаковых для всех термодинамических процессов Политропный процесс с показателем политропы Политропный процесс с показателем политропы Политропный процесс с показателем политропы Политропный процесс с показателем политропы Политропный процесс с показателем политропы Политропный процесс с показателем политропы Выводы Расчет тепл
User Aronitue9 : 17 января 2015
Уровень представления, его специфика
Оглавление 1. Анализ уровня представления, его специфика, отличие от других уровней. 3 1.1. Познавательные уровни человека. 3 1.1.1.Восприятие. 3 1.1.2.Мышление. 4 1.1.3.Внимание. 6 1.1.4. Память. 9 1.1.5.Речь. 10 1.1.7.Ощущение. 11 1.2. Представление (Воображение). 13 Определение. 13 Сущность процесса. 13 Классификация. 13 Развитие процесса. 14 1.3. Отличие представления от других уровней. 15 2. Школа Гештальт в психологии. 17 2.1. Система живет всегда и только в виде уникально
User Elfa254 : 14 октября 2013
up Наверх