Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: «Физика». Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Экспериментальные результаты
Вывод
Контрольные вопросы:
Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Экспериментальные результаты
Вывод
Контрольные вопросы:
Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
По данной работе получен зачет!
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Соединение сварное. Вариант 29 - Стойка
.Инженер.
: 27 января 2026
Т.А. Унсович, А.В. Савицкая. Сборник заданий по инженерной графике. Соединения неразъемные. Соединение сварное. Вариант 29 - Стойка.
Выполнить чертеж сварного узла, состоящего из нескольких деталей, в соответствии с индивидуальным заданием. Места соединения деталей отмечены в задании тонкими линиями.
Считать, что все детали изготовлены из стали марки Ст5. Сварка ручная электродуговая.
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модели.
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
200 руб.
Психокорекція дітей молодшого шкільного віку з проблемами в поведінці
Qiwir
: 11 октября 2013
План
Вступ
1. Теоретична частина :
1.1 Молодший шкільний вік: адаптаційні, навчальні, поведінкові труднощі
1.2 Загальна характеристика корекційної роботи психолога з молодшими школярами
1.3. Висновок
2. Практична частина.
2.1 Психокорекція молодших школярів з проблемами в поведінці
2.2 Соціально-психологічний тренінг для корекційної роботи з молодшими школярами (розробка С. Л. Коробко)
2.3 Аналіз проведених методик
2.4 Висновок
Загальні висновки
Список літератури
Додатки
Вступ
Жит
Организация производства на предприятиях почтовой связи
mahaha
: 11 марта 2017
Задача 1.
Рассчитать рабочий и инвентарный парк почтовых вагонов на магистрали А – Б аналитическим методом. Рассчитать количество бригад почтовых вагонов для обслуживания данного маршрута.
• поезд ежедневно отправляется из пункта А
Исходные данные в таблице 1
Отправка
Поезда 4
Из пункта А 22 ч. 40 мин.
В пункт Б 21 ч. 15 минут
Из пункта Б 7 ч. 45 мин.
В пункт А 6 ч. 15 мин.
Время на погрузку, ч. 3,5
Время на разгрузку, ч. 4
Прибывает в пункт Б на 3 день
Коэффициент, учитывающий резерв на р
55 руб.
Проект цифровой радиорелейной линии. Вариант №9
amisha
: 30 июня 2014
Исходные данные
Тип аппаратуры – Радиус-18;
Число рабочих стволов – 1;
Скорость передачи информации в одном стволе – 2028 кбит/с;
Конфигурация системы – 1+1;
Общая длина ЦРРЛ, км – 90;
Длина пролета R0, км – 25;
Значение вертикального градиента диэлектрической проницаемости
тропосферы: - 10∙10-8 1/м;
Стандартное отклонение градиента: 9 ∙10-8 1/м;
Номер климатического района – 2;
Число выделяемых каналов (потоков) – 16Е1;
350 руб.