Курсовая работа по электронике. Вариант №3. 4-й семестр. "Электронный расчет цифровой ИМС"
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Содержание:
Введение
Задание
Часть 1: Электронный расчет цифровой ИМС
1.1 Расчет режимов работы
1.2 Расчет мощностей, потребляемой микросхемой
1.3 Составление таблицы истинности и определение логической функции
Часть 2 Разработка топологии ИМС
2.1 Выбор материала для пленочных элементов и их расчет
2.2 Выбор размера подложки
2.3 Выбор подложки
2.4 Разработка топологии и составление топологического чертежа
Список используемой литературы
Введение:
Основной задачей современной микроэлектроники является создание высоконадёжной малогабаритной радиоэлектронной аппаратуры на базе интегральных микросхем.
Применение интегральных микросхем позволяет уменьшить габариты и массу аппаратуры в десятки раз, а микропроцессоров – в сотни, тысячи раз. Это объясняется тем, что размеры элементов интегральных микросхем составляют единицы и десятки доли микрометра.
Малые габариты интегральных микросхем и малое потребление электроэнергии позволяют осуществить комплексную микроминиатюрную реализацию всех компонентов электронной аппаратуры. Также повышается надёжность аппаратуры.
Целью данной курсовой работы является разработка цифрового интегрального устройства, и закрепления основных положений курса Т.Э.
Задание
Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса ЭТП и МЭ и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Содержание курсовой работы
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения.
Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:
- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме (А, В, С и т. д.);
- рассчитать все токи схемы и указать их направления;
- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемой всей схемой.
Результаты расчетов свести в таблицы. Примеры расчетов и таблиц будут даны ниже.
Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы. Разработка топологии включает в себя следующие операции:
-выбор материала для пленочных резисторов согласно варианта;
-расчет размеров всех резисторов;
-выбор материала для проводников и контактных площадок;
-расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;
-определение и выбор размеров подложки;
-составление топологического чертежа.
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
В заключении привести краткие выводы о проделанной работе.
Значения входных сигналов: 1010
0111
0101
Введение
Задание
Часть 1: Электронный расчет цифровой ИМС
1.1 Расчет режимов работы
1.2 Расчет мощностей, потребляемой микросхемой
1.3 Составление таблицы истинности и определение логической функции
Часть 2 Разработка топологии ИМС
2.1 Выбор материала для пленочных элементов и их расчет
2.2 Выбор размера подложки
2.3 Выбор подложки
2.4 Разработка топологии и составление топологического чертежа
Список используемой литературы
Введение:
Основной задачей современной микроэлектроники является создание высоконадёжной малогабаритной радиоэлектронной аппаратуры на базе интегральных микросхем.
Применение интегральных микросхем позволяет уменьшить габариты и массу аппаратуры в десятки раз, а микропроцессоров – в сотни, тысячи раз. Это объясняется тем, что размеры элементов интегральных микросхем составляют единицы и десятки доли микрометра.
Малые габариты интегральных микросхем и малое потребление электроэнергии позволяют осуществить комплексную микроминиатюрную реализацию всех компонентов электронной аппаратуры. Также повышается надёжность аппаратуры.
Целью данной курсовой работы является разработка цифрового интегрального устройства, и закрепления основных положений курса Т.Э.
Задание
Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса ЭТП и МЭ и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Содержание курсовой работы
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения.
Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:
- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме (А, В, С и т. д.);
- рассчитать все токи схемы и указать их направления;
- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемой всей схемой.
Результаты расчетов свести в таблицы. Примеры расчетов и таблиц будут даны ниже.
Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы. Разработка топологии включает в себя следующие операции:
-выбор материала для пленочных резисторов согласно варианта;
-расчет размеров всех резисторов;
-выбор материала для проводников и контактных площадок;
-расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;
-определение и выбор размеров подложки;
-составление топологического чертежа.
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
В заключении привести краткие выводы о проделанной работе.
Значения входных сигналов: 1010
0111
0101
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 09.2013
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 09.2013
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Курсовая работа. Электроника. Вариант: № 6. 3-й семестр.
CDT-1
: 17 марта 2015
Задание
Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса «Электроника» и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и вывода. Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояни
200 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант №16. (3-й семестр)
daffi49
: 19 января 2014
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА
СОДЕРЖАНИЕ
Техническое задание. 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы. 5
2. Разработка принципиальной схемы.
110 руб.
Курсовая работа по электронике. 13 вариант. 3 семестр.
Walk_ns
: 28 октября 2011
Введение 5
1.Электрический расчет цифровой схемы 5
1.1.Расчет токов для комбинации входных сигналов 210102 6
1.2. Расчет токов для комбинации входных сигналов 201112 9
1.3 Расчет токов для комбинации входных сигналов 201012 12
1.4. Расчет мощности 13
1.5.Таблица истинности 15
2.Выполнение топологии ГИМС 16
2.1. Описание методики расчета резистора 16
2.2. Определение площади, занимаемой элементами схемы 18
2.3. Топологический чертеж ГИМС 19
Цель работы: Закрепление теоретического материала по в
200 руб.
Курсовая работа по электронике. Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант 7. (4-й семестр)
Jack
: 27 марта 2013
Содержание
Техническое задание 2 Введение 2
1. Разработка структурной схемы 3
2. Разработка принципиальной схемы 3
3. Разработка интегральной микросхемы 8
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов 8
3.2. Разработка топологии 9
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы 11
Заключение 11
Список литературы 11
Uпит, В Ku Rвх, МОм Rн, кОм Uном, В fн, Гц fв, кГц Мн, дБ Мв, дБ Ти
250 руб.
Курсовая работа по Электронике
thezver12
: 2 марта 2018
Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1, а комбинации входных сигналов, для которых необходимо провести анализ, даны в таблице 2
Для успешного решения задачи необходимо сначала изучить принципы работы транзисторных ключей [4, с. 244-262] и логических элементов на биполярных транзисторах [1, с. 260-273], [2, с. 74-106], и [3, с. 264-268, 284-286] и [4, с. 348-363] . При решении задачи нужно учесть, что интегральные схемы ТТЛ изготавливаются из кремния . Транзисторы работают в режиме к
300 руб.
Курсовая работа по Электронике
evanarty
: 8 сентября 2015
1 Введение.
2 Задание на курсовую работу
3 Электрический расчет цифровой схемы
4 Разработка топологии ИМС
5 Вывод
Список используемой литературы.
150 руб.
«Электроника». Вариант №3. 4-й семестр
Mental
: 1 апреля 2018
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ
КУРСОВОЙ РАБОТЫ
Целью контрольной работы является закрепление теоретического материала курса Электроника и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Содержание курсовой работы
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения.
Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрически
150 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. «Разработка интегрального аналогового устройства» 3-й семестр.
odja
: 17 марта 2012
«Разработка интегрального аналогового устройства»
Содержание
Техническое задание 4
Введение 4
1 Разработка структурной схемы 4
2 Разработка принципиальной схемы 5
3 Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
3.2 Разработка топологии 11
3.3 Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы 13
Список литературы 14
Техническое задание
1.Напряжение источника питания Е=-15 В.
2.Коэффициент усиления по напряжению
200 руб.
Другие работы
Расчетно-графическое задание №2. Транзисторы. Вариант № 9
xtrail
: 17 марта 2013
Задача №1.
Тип транзистора: КП312А
Uси = 6 В
Uзи = -3,6 В
Цель работы: По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Задача №2
Тип транзистора: КТ902А
Uкэ = 15 В
Цель работы: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить
h – параметры биполярного транзистора и построить зависимости
200 руб.
Информационная система сравнительного анализа работы компьютера
Lokard
: 10 октября 2013
Содержание
Реферат
Введение
1. Разработка системных программ анализа и управления вычислительной системы
1.1 Разработка алгоритмов анализа работы компьютера
2. Использование программы Sysinfo для анализа работы компьютера
Выводы
Список используемых источников
Приложение текст программы
Введение
Ни для кого не новость, что в мире существует великое множество языков так не похожих друг на друга. Но вот почему-то инженерам-программистам не пришелся по душе не один из существующих и
10 руб.
ГОСТ Р 52065-2007 Головные светильники для применения в шахтах, опасных по газу. Часть 1. Общие требования и методы испытаний, относящиеся к взрывозащищенности
alfFRED
: 27 июня 2013
Настоящий стандарт устанавливает требования к конструкции и методы испытания головных светильников, в том числе совмещенных с устройствами другого функционального назначения, предназначенных для применения в шахтах (рудниках), опасных по рудничному газу (электрооборудование группы 1 для применения во взрывоопасных средах согласно ГОСТ Р 52350.0). В настоящем стандарте рассматриваются только взрывозащитные свойства головных светильников, как возможных источников воспламенения, а также их маркиров
Вал шарнирный - МЧ00.45.00.00 Деталирование
HelpStud
: 26 сентября 2025
Шарнирный вал предназначен для соединения двух валов, оси которых не совпадают.
Правая полумуфта поз. 2 шпонкой поз. 9 соединена с валиком поз. 3 и закреплена на нем винтом поз. 7. Другой конец валика соединен шпонкой поз. 10 с полумуфтой поз. 4, которая винтом не закреплена, так как расстояние между осями шарниров поз. 5 во время работы может несколько изменяться. Полумуфты поз. 2 соединены шарнирами с полумуфтами поз. 1 и 4. В свою очередь, полумуфта поз. 1 и левая полумуфта поз. 2 крепятся н
250 руб.