Контрольная работа №1 по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант и тип фотоприемника
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице
Вариант
Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача No 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей цифре 1. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице
No варианта
Тип светодиода
Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант и тип фотоприемника
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице
Вариант
Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача No 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей цифре 1. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице
No варианта
Тип светодиода
Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
2007 г
Похожие материалы
Контрольная работа №1 по предмету: «Устройства оптоэлектроники»
ннааттаа
: 1 сентября 2017
Задача No1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Задача No2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 2
Вариант - 1
Тип ПП материала - Si
300 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
nat2744
: 13 ноября 2009
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
90 руб.
Другие работы
Рефлексология В.М. Бехтерева
Slolka
: 12 октября 2013
Содержание
Введение
Теория В.М. Бехтерева о рефлексологии
Практический вклад школы Бехтерева
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Бехтерев Владимир Михайлович (1857 – 1927) – русский невропатолог, психиатр, физиолог, психолог. Создатель первой в России лаборатории экспериментальной психологии при клинике Казанского университета (1885), основатель Психоневрологического института в Санкт-Петербурге (1908), который стал центром комплексного (всестороннего) исследования чело
Тенденция отчуждения местной власти от населения
Aronitue9
: 21 марта 2013
Одна из наиболее актуальных проблем современности, нуждающаяся во всестороннем изучении, — тенденция отчуждения власти от населения. Эта проблема характерна для всех уровней власти, в частности и для местного. Особенностью ее проявления в России стал патернализм, долгое время господствовавший как мировоззренческая основа советского типа власти.
Патернализм (от лат. pater — отец) как принцип попечительства, опеки в советском варианте предполагал, что за все происходящее в стране в целом, в каждом
5 руб.
Госэкзамен. Бухгалтерский учет. Теория + задачи. 30 билетов
studypro
: 3 июля 2015
Билет № 1
1. Система показателей рентабельности и их анализ.
2. Федеральный закон «Об аудиторской деятельности №307 – ФЗ от 30.12.2008г. Краткий комментарий
Билет № 2
1. Планирование аудита в соответствии с федеральным стандартом аудиторской деятельности. План и программа аудиторской проверки.
2. Задача
По приведенным данным определите степень влияния факторов на изменение выручки в отчетном году по сравнению с предыдущим годом:
Вид продукции Количество проданной продукции, шт. Цена едини
250 руб.
Ниппель чертеж СибГУ
Laguz
: 30 июля 2025
Чертеж ниппеля
Сделано в компас 16+сохранено в джпг.
Открывается всеми версиями компаса начиная с 16.
Все что есть на приложенных изображениях, есть в приложенном архиве.
Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
60 руб.