Контрольная работа №1 по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon КР опртоэлектроника.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Вариант и тип фотоприемника

Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице


Вариант 
Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность,  Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6


Задача No 3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей цифре 1. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице


No варианта 

Тип светодиода 
Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510

Дополнительная информация

2007 г
Контрольная работа №1 по предмету: «Устройства оптоэлектроники»
Задача No1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника Задача No2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант - 1 Тип ПП материала - Si
User ннааттаа : 1 сентября 2017
300 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Решение: Структура фотодиода Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
User konst1992 : 31 января 2018
90 руб.
Рефлексология В.М. Бехтерева
Содержание Введение Теория В.М. Бехтерева о рефлексологии Практический вклад школы Бехтерева Заключение Список использованной литературы Введение Бехтерев Владимир Михайлович (1857 – 1927) – русский невропатолог, психиатр, физиолог, психолог. Создатель первой в России лаборатории экспериментальной психологии при клинике Казанского университета (1885), основатель Психоневрологического института в Санкт-Петербурге (1908), который стал центром комплексного (всестороннего) исследования чело
User Slolka : 12 октября 2013
Тенденция отчуждения местной власти от населения
Одна из наиболее актуальных проблем современности, нуждающаяся во всестороннем изучении, — тенденция отчуждения власти от населения. Эта проблема характерна для всех уровней власти, в частности и для местного. Особенностью ее проявления в России стал патернализм, долгое время господствовавший как мировоззренческая основа советского типа власти. Патернализм (от лат. pater — отец) как принцип попечительства, опеки в советском варианте предполагал, что за все происходящее в стране в целом, в каждом
User Aronitue9 : 21 марта 2013
5 руб.
Госэкзамен. Бухгалтерский учет. Теория + задачи. 30 билетов
Билет № 1 1. Система показателей рентабельности и их анализ. 2. Федеральный закон «Об аудиторской деятельности №307 – ФЗ от 30.12.2008г. Краткий комментарий Билет № 2 1. Планирование аудита в соответствии с федеральным стандартом аудиторской деятельности. План и программа аудиторской проверки. 2. Задача По приведенным данным определите степень влияния факторов на изменение выручки в отчетном году по сравнению с предыдущим годом: Вид продукции Количество проданной продукции, шт. Цена едини
User studypro : 3 июля 2015
250 руб.
Ниппель чертеж СибГУ
Чертеж ниппеля Сделано в компас 16+сохранено в джпг. Открывается всеми версиями компаса начиная с 16. Все что есть на приложенных изображениях, есть в приложенном архиве. Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
User Laguz : 30 июля 2025
60 руб.
Ниппель чертеж СибГУ
up Наверх