Контрольная работа №1 по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1

Цена:
60 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4D871C04-F2B6-4910-84B4-6E95EEEC49EC.rar [105 KB]
material.view.file_icon КР опртоэлектроника.doc [Office 2010, 11 стр., 168 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Вариант и тип фотоприемника

Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице


Вариант 
Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность,  Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6


Задача No 3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей цифре 1. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице


No варианта 

Тип светодиода 
Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510

Дополнительная информация

2007 г

Похожие материалы

Контрольная работа №1 по предмету: «Устройства оптоэлектроники»
Задача No1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника Задача No2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант - 1 Тип ПП материала - Si
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User ннааттаа : 1 сентября 2017
300 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Решение: Структура фотодиода Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User konst1992 : 31 января 2018
90 руб.

Другие работы

Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 7 Вариант 7
Определить количество теплоты, отдаваемое каждым килограммом отработавших газов дизеля в утилизационном котле, где газы при постоянном давлении охлаждаются от температуры t1 до температуры t2. Объемный состав отработавших газов: rCO2=0,08; rH2O=0,06; rO2=0,10; rN2=0,76.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 7 ноября 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 7 Вариант 7
Лабораторная работа №3 Изучение мультиплексора Alcatel 1641SM. 2-й варинат
Методические указания к лабораторной работе «ИЗУЧЕНИЕ МУЛЬТИПЛЕКСОРА ALCATEL 1641SM» 1. Цель работы Целью работы является изучение мультиплексора Alcatel 1641SM как сетевого элемента 2. Задание 1. Прописать соединения заданных блоков в Alcatel 1641SM. 2. Произвести измерения оптической мощности в оптических интерфейсах агрегатных блоков. 3. Литература 1. Попов Г.Н. Телекоммуникационные системы передачи. Ч.2. Новосибирск, 2006. 2. Конспект лекций по курсу 4.Краткие сведения о лабораторном маке
Многоканальные системы электросвязи СибГУТИ Работа Лабораторная
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 1 января 2015
350 руб.
Психология. кейс СИБИТ
Кейс №1. Решение: 1. В данном клиническом случае представлен параноический аффект, который возник как из-за акцентуации застревающих черт характера, так и вследствие «маятникового» воспитания. 2. Акцентуации характера - это крайние варианты нормы, при которых отдельные черты характера чрезмерно усилены. Например, упрямиться в молчании по 3 - 4 дня, лежании в постели в течение недели и истерики во многих спорах с матерью, настаивая на своем, пока мать не уступит. Так же опасные реакции ревности,
Психология Работа Контрольная СИБИТ
User Максим336 : 29 мая 2019
150 руб.
Вопросы к гос. экзамену 2019. Радиоприемные устройства
Ответы на экзаменационные вопросы по Радиоприемным устройствам (теоритические вопросы). Предназначен для студентов Дистанционной формы обучения СибГУТИ по предмету Радиоприемные устройства. Преподаватель - Шушнов М.Г. Перечень вопросов ГОС экзамена для студентов заочной формы обучения направление: 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи» квалификация (степень) бакалавр, профиль: «Системы радиосвязи и радиодоступа»
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Радиоприемные устройства
User l337krew : 5 февраля 2019
100 руб.
up Наверх