Зачёт по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1

Цена:
60 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DE492332-A2D9-4000-97B7-46A1136F08E3.rar [35 KB]
material.view.file_icon Зачёт оптоэлектроника.doc [Office 2010, 8 стр., 82 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Особенности оптической электроники.

Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.

Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототиристора.

Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора

Дополнительная информация

2007 г

Похожие материалы

Зачет по предмету устройство оптоэлектроники
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Фотометрические характеристики оптического излучения. Раздел Излучатели. 2.Устройство и принцип действия гетеро-лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия приборов на основе составного фототранзистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия электролюминесцентного индикатора.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Зачет по предмету устройство оптоэлектроники
Зачет по предмету "Устройство оптоэлектроники", билет № 7.
Вопросы к зачету: Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1. Световые параметры. Раздел Излучатели. 2. Принцип действия и условия работы лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства». 3. ПЗС фотоприемник. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4. Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User PiterBlood : 28 декабря 2014
200 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.

Другие работы

Курсовая работа на тему "Принципы обмена управляющей информацией по протоколу SNMP" 17 вариант
1 Расшифровка SNMP сообщений Задание: Расшифровать сообщения управляющего протокола, в соответствии с поставленными ниже в пп. 1...18 вопросами. Определить из приведенных сообщений: 1. Фирму-поставщика оборудования сетевых интерфейсов 2. MAC-адреса источника и назначения 3. Тип протокола, обслуживаемого данным Ethernet-кадром 4. Версию протокола сетевого уровня 5. Приоритет сетевого уровня для данной дейтаграммы 6. Длину пакета сетевого уровня (в байтах) 7. Время жизни данной дейтаграммы 8. Пр
СибГУТИ Управление сетями связи
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 26 февраля 2014
350 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 60
Определение плотности лучистого теплового потока между двумя параллельным плоскими стенками Определить плотность лучистого теплового потока между двумя, параллельно расположенными, плоскими стенками, имеющими температуры t1, ºС и t2, ºС, а степени черноты поверхностей соответственно равны ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при наличии между стенками экрана, со степенями черноты с обеих сторон εэк = 0,025. Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвектив
Задачи Теплотехника
User Z24 : 4 февраля 2026
250 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 60
Лабораторная работа №2
Исследование основных характеристик типовых динамических звеньев
Работа Расчетно-графическая Теория автоматического управления ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 апреля 2006
Лабораторная работа №2
Формування резервів на покриття кредитних ризиків
Зміст Вступ 1. Сутність кредитного ризику та способи його мінімізації в банку 1.1 Сутність, особливості прояву кредитного ризику, критерії та методи його оцінювання 1.2 Характеристика сучасних способів мінімізації кредитного ризику в банку 1.3 Формування резервів під кредитні ризики, як один із способів мінімізації кредитного ризику 2. Аналіз практики формування банками резервів на покриття кредитних ризиків в ВАТ КБ "Приватбанк" 2.1 Аналіз кредитного ризику в діяльності досліджуваного банку 2.2
Банковское дело и кредитование Работа
User GnobYTEL : 7 ноября 2012
10 руб.
up Наверх