Контрольная работа. Электротехника и электроника. Вариант №19
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дан полевой транзистор типа КП 307Ж, напряжение сток-исток
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Определим h-параметры для транзистора КТ608А при напряжении на коллекторе UКЭ=4 В. Например, найдем параметр h11Э в точке А при токе базы IБ0=4,5 мкА. На входных характеристиках (рисунок 2.1) при напряжении на коллекторе UКЭ=4 В задаемся приращением тока базы IБ= ± 0,5=1 мА относительно рабочей точки IБ0=4,5 мА. Соответствующее приращение напряжения база-эмиттер составит UБЭ=0,03 В. Тогда входное сопротивление
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Дана принципиальная схема устройства на основе идеального операционного усилителя и приведены исходные данные в соответствии с таблицей 2.
Таблица 2. Исходные данные
Напряжение питания операционного усилителя
UП , В. Номиналы резисторов, кОм. Амплитуда входного напряжения
VВХ, мВ
R1 R2 R3
±12 4,7 470 4,3 20
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дан полевой транзистор типа КП 307Ж, напряжение сток-исток
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Определим h-параметры для транзистора КТ608А при напряжении на коллекторе UКЭ=4 В. Например, найдем параметр h11Э в точке А при токе базы IБ0=4,5 мкА. На входных характеристиках (рисунок 2.1) при напряжении на коллекторе UКЭ=4 В задаемся приращением тока базы IБ= ± 0,5=1 мА относительно рабочей точки IБ0=4,5 мА. Соответствующее приращение напряжения база-эмиттер составит UБЭ=0,03 В. Тогда входное сопротивление
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Дана принципиальная схема устройства на основе идеального операционного усилителя и приведены исходные данные в соответствии с таблицей 2.
Таблица 2. Исходные данные
Напряжение питания операционного усилителя
UП , В. Номиналы резисторов, кОм. Амплитуда входного напряжения
VВХ, мВ
R1 R2 R3
±12 4,7 470 4,3 20
Дополнительная информация
оценка отлично
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Электротехника и электроника" (часть 2-я ). Вариант №19
tusur
: 22 мая 2014
в работе 4 задачи.
задача 1: транзистор КП 307Ж, UСИ0= 7В, UЗИ0= -4В
задача 2: Тип КТ902А, UКЭ=20 В
задача 3: Принципиальная схема элемента Рис. 1б, Напряжение питания=9 В, Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 = 1В Уровень входного напряжения = 1В.
задача 4: Схема устройства Рис. 2б, Напряжение питания операционного усилителя=±9В, Номиналы резисторов, R1=3,3кОм, R2=47кОм, R3=10кОм,Амплитуда входного напряжения=40мВ
180 руб.
Контрольная работа. Электротехника и электроника
lihaja
: 6 ноября 2015
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
Дано:
Задача посвящена временному и частотному (спектральному) методам расчета реакции цепей на сигналы произвольной формы. В качестве такого сигнала используется импульс прямоугольной формы (видеоимпульс).
Электрические схемы цепей (рис. 3.6) содержат емкости С или индуктивности L,
130 руб.
Контрольная работа по "Электротехнике и электронике"
hunter911
: 1 апреля 2010
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника и электроника
vohmin
: 3 июня 2018
Задача 3.1.
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t: , , ¥.
4. Рассчитайте классическим метод
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Электротехника и электроника».
anderwerty
: 5 февраля 2016
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дан полевой транзистор типа КП303Б, напряжение сток-исток
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от
20 руб.
Электротехника и электроника. Контрольная работа. n15
mamontynok
: 22 января 2014
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы. Сделать выводы о зависимости параметров транзисто
59 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Электротехника и электроника»
1231233
: 22 марта 2010
Дистанционное обучение
Контрольная работа
по дисциплине
«Электротехника и электроника».
Вариант No3.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора
построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора
определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих пар
23 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №19
IT-STUDHELP
: 29 апреля 2023
Вариант №19
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Полевой транзистор КП307Ж,
UСИ0, В = 7,
UЗИ0, В = - 4
---------
400 руб.
Другие работы
Роль і господарське значення газової галузі в економіці України
Qiwir
: 9 ноября 2013
ЗМІСТ
ВСТУП
РОЗДІЛ 1. Роль і господарське значення газової галузі в економіці України
РОЗДІЛ 2. Паливно енергетичний баланс України
РОЗДІЛ 3. Умови і фактори розвитку і розміщення газової промисловості
3.1 Сировинний фактор
3.2 Екологічний фактор
3.3 Історичний фактор
3.4 Споживчий фактор
РОЗДІЛ 4. Сучасний рівень розвитку і характеристика розміщення газової промисловості
РОЗДІЛ 5. Основні проблеми і перспективи розвитку газової промисловості
ВИСНОВОК
ЛІТЕРАТУРА
ДОДАТКИ
ВСТУП
Акту
10 руб.
Расчет канала. Вариант № 19
Schluschatel
: 5 марта 2015
Задание на курсовую работу
Разработать структурную схему системы связи, предназначенной для передачи данных и передачи аналоговых сигналов методом ИКМ для заданного вида модуляции и способа приема сигналов. Рассчитать основные параметры системы связи. Указать и обосновать пути совершенствования разработанной системы связи.
Вариант №19
Способ модуляции – ДФМ (дискретно–фазовая модуляция)
Способ приема – когерентный
Мощность сигнала на входе демодулятора приемника Pc – 2,2 мВт
Длительность э
200 руб.
Контрольная работа. Химия радиоматериалов. Вариант 02
astebor
: 1 марта 2010
1. Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1, То2, То3, если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
2. Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
3. Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.
4. Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить
100 руб.
Принцип Дирихле
Qiwir
: 9 августа 2013
Введение
При решении многих задач используется логический метод рассуждения — "от противного". В данной брошюре рассмотрена одна из его форм — принцип Дирихле. Этот принцип утверждает, что если множество из N элементов разбито на пнепересекающихся частей, не имеющих общих элементов, где N>n то, по крайней мере, в одной части будет более одного элемента. Принцип назван в честь немецкого математика Дирихле (1805-1859), который успешно применял его к доказательству арифметических утверждений.
По тр