Билет №4 по предмету: "Электротехника, электроника и схемотехника"
-
Категории:
СибГУТИ, Билеты экзаменационные, Физика
-
Добавлен:
08.02.2014
-
Размер:
48 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
migsvet
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
электротехника билет 4.doc
|
|
|
._электротехника билет 4.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Билет 4
1. Идеальный колебательный контур. Уравнение колебаний для заряда. Частота колебаний. Энергия электрического и магнитного полей
2. Соотношения между характеристиками теплового излучения. Закон Кирхгофа. Абсолютно черное тело
1. Идеальный колебательный контур. Уравнение колебаний для заряда. Частота колебаний. Энергия электрического и магнитного полей
2. Соотношения между характеристиками теплового излучения. Закон Кирхгофа. Абсолютно черное тело
Дополнительная информация
2013 год оценка-отлично
Похожие материалы
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
svladislav987
: 10 ноября 2021
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерис
svladislav987
: 10 ноября 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
Павел161
: 16 июня 2020
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
L=100 мГн
R=1 кОм
Павел161
: 16 июня 2020
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Павел161
: 9 июня 2020
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo.
4. Рассчитайте классическим мет
Павел161
: 9 июня 2020
450 руб.
Другие работы
Зачетная работа по дисциплине: Компьютерная графика. Билет №6
SibGOODy
: 17 мая 2019
Зачетная работа по курсу «Компьютерная графика»
Билет № 6
ТЗ№1 Местный вид на чертеже ограничивается…
А) штриховой линией
Б) осевой линией
В) сплошной волнистой линией
ТЗ № 2 Изображение на рисунке называется…
А) местный вид
Б) фронтальный разрез
В) местный разрез
ТЗ № 3 Заданному разрезу соответствует вид сверху
ТЗ №4 Вид детали слева, если даны два вида: спереди и сверху
ТЗ № 5. Код документа «Схема электрическая структурная»
А) 1Э
Б) Э2
В) Э1
Г) Э3
ТЗ № 6. Документ, на котором показа
SibGOODy
: 17 мая 2019
200 руб.
Сравнительный анализ развития высших психических функций, обусловленных работой правого и левого полушария мозга у детей 6–7 лет
Lokard
: 19 октября 2013
Оглавление
Введение
Глава I. Функциональная межполушарная асимметрия и высшие психические функции
1.1 Нейропсихологический аспект понятия «высшие психические функции»
1.2 Межполушарные различия в мозговой организации высших психических функций
1.3 Анализ Формирования межполушарной функциональной асимметрии в онтогенезе
1.4 Психологические особенности детей 6–7 летнего возраста…
Глава II. Материалы и методы исследования
2.1 Методы исследования
2.2 Организация исследования
Глава III Резу
Lokard
: 19 октября 2013
10 руб.
Взаимосвязи отношений собственности и хозяйственной власти в условиях организационного предпринимательства
Slolka
: 9 ноября 2013
Содержание
Введение
1. Организационное предпринимательство: общие черты, организационная собственность и организационная власть
2. Индивидуалистически-предпринимательская и организационно-предпринимательская парадигмы интерпретации отношений собственности в предпринимательских организациях
Выводы
Список использованных источников
Введение
Тема контрольной работы «Взаимосвязи отношений собственности и хозяйственной власти в условиях организационного предпринимательства» по дисциплине «Управ
Slolka
: 9 ноября 2013
5 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 2 Вариант 74
Z24
: 12 января 2026
Расчет политропного процесса сжатия газовой смеси в компрессоре
Рабочее тело – газовая смесь, имеющая тот же состав, что и в задаче №1 (в процентах по объему). Первоначальный объем, занимаемый газовой смесью, — V1 (табл. 2). Начальные параметры состояния: давление р1=0,1 МПа, температура t1=27 ºC. Процесс сжатия происходит при показателе политропы n. Давление смеси в конце сжатия р2, МПа (табл. 3).
Определить:
1) массу газовой смеси;
2) удельные объемы смеси в начале и в конце процесса;
Z24
: 12 января 2026
350 руб.
