Билет №4 по предмету: "Электротехника, электроника и схемотехника"
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Билет 4
1. Идеальный колебательный контур. Уравнение колебаний для заряда. Частота колебаний. Энергия электрического и магнитного полей
2. Соотношения между характеристиками теплового излучения. Закон Кирхгофа. Абсолютно черное тело
1. Идеальный колебательный контур. Уравнение колебаний для заряда. Частота колебаний. Энергия электрического и магнитного полей
2. Соотношения между характеристиками теплового излучения. Закон Кирхгофа. Абсолютно черное тело
Дополнительная информация
2013 год оценка-отлично
Похожие материалы
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
svladislav987
: 10 ноября 2021
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерис
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
Павел161
: 16 июня 2020
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
L=100 мГн
R=1 кОм
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Павел161
: 9 июня 2020
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo.
4. Рассчитайте классическим мет
450 руб.
Другие работы
Вариант №4.Кейс задание 2. ПР-продукт.
studypro3
: 4 июля 2019
Кейс-задание 1
Вариант 4
Ситуация
Вопрос:
В рекламе используются два основных подхода - «жесткая» и «мягкая» продажа. Вам предлагается самостоятельно выбрать рекламу одно из российских промышленных товаров и описать ее в духе:
а) «твердой» продажи,
б) «мягкой» продажи.
• Итоги решения кейса изложить на 1-2 страницы - в случае необходимости со ссылками на интернет источники, возможно с картинками. Наивысший балл за решение кейса возможен только при проявленной креативности и нестандартном реш
400 руб.
Гидравлика Задача 3.299
Z24
: 22 ноября 2025
Система трех поршней в сообщающихся сосудах (рис. 2.23) находится в равновесии под действием трех сил Р1, Р2, Р3 (с учетом веса поршней). Площади поршней соответственно S1, S2, S3. Определить высоты h1 и h2, если Р1 = 1300 Н; Р2 = 1000 Н; Р3 = 800 Н; S1 = 0,4 м²; S2 = 0,6 м²; S3 = 0,9 м²; ρ = 1000 кг/м³; g = 10 м/c².
150 руб.
ЛабораторОтчет по работе №2. "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"ная работа №2 вариант 21
rambox360
: 23 февраля 2016
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине "ЯЗЫКИ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ В ТЕХНИКЕ СВЯЗИ" (вариант 3)
Greenberg
: 7 октября 2012
Тема: Первое приложение на DELPHI
Цель работы: Ознакомиться с основными приемами работы в среде DELPHI
Задание 1. Выполните последовательно следующие действия
1. Запустите Delphi. (Пуск → Программы → Borland Delphi 5)
2. Выберите в Палитре компонентов закладку Standard.
3. Перенесите с Палитры компонентов на форму компоненты TLabel и TButton. Для этого поочередно подводите курсор мыши к компонентам, читая подсказки, до тех пор, пока не появится Label. Выберете его, нажав левую кнопку мыши, а з
79 руб.