Билет №4 по предмету: "Электротехника, электроника и схемотехника"

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon электротехника билет 4.doc
material.view.file_icon
material.view.file_icon ._электротехника билет 4.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Билет 4
1. Идеальный колебательный контур. Уравнение колебаний для заряда. Частота колебаний. Энергия электрического и магнитного полей
2. Соотношения между характеристиками теплового излучения. Закон Кирхгофа. Абсолютно черное тело

Дополнительная информация

2013 год оценка-отлично
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерис
User svladislav987 : 10 ноября 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). L=100 мГн R=1 кОм
User Павел161 : 16 июня 2020
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Задача 3.1 Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс. 1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1). 2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2). 3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo. 4. Рассчитайте классическим мет
User Павел161 : 9 июня 2020
450 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Вариант №4.Кейс задание 2. ПР-продукт.
Кейс-задание 1 Вариант 4 Ситуация Вопрос: В рекламе используются два основных подхода - «жесткая» и «мягкая» продажа. Вам предлагается самостоятельно выбрать рекламу одно из российских промышленных товаров и описать ее в духе: а) «твердой» продажи, б) «мягкой» продажи. • Итоги решения кейса изложить на 1-2 страницы - в случае необходимости со ссылками на интернет источники, возможно с картинками. Наивысший балл за решение кейса возможен только при проявленной креативности и нестандартном реш
User studypro3 : 4 июля 2019
400 руб.
Гидравлика Задача 3.299
Система трех поршней в сообщающихся сосудах (рис. 2.23) находится в равновесии под действием трех сил Р1, Р2, Р3 (с учетом веса поршней). Площади поршней соответственно S1, S2, S3. Определить высоты h1 и h2, если Р1 = 1300 Н; Р2 = 1000 Н; Р3 = 800 Н; S1 = 0,4 м²; S2 = 0,6 м²; S3 = 0,9 м²; ρ = 1000 кг/м³; g = 10 м/c².
User Z24 : 22 ноября 2025
150 руб.
Гидравлика Задача 3.299
ЛабораторОтчет по работе №2. "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"ная работа №2 вариант 21
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
User rambox360 : 23 февраля 2016
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине "ЯЗЫКИ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ В ТЕХНИКЕ СВЯЗИ" (вариант 3)
Тема: Первое приложение на DELPHI Цель работы: Ознакомиться с основными приемами работы в среде DELPHI Задание 1. Выполните последовательно следующие действия 1. Запустите Delphi. (Пуск → Программы → Borland Delphi 5) 2. Выберите в Палитре компонентов закладку Standard. 3. Перенесите с Палитры компонентов на форму компоненты TLabel и TButton. Для этого поочередно подводите курсор мыши к компонентам, читая подсказки, до тех пор, пока не появится Label. Выберете его, нажав левую кнопку мыши, а з
User Greenberg : 7 октября 2012
79 руб.
up Наверх