Билет №4 по предмету: "Электротехника, электроника и схемотехника"
-
Категории:
СибГУТИ, Билеты экзаменационные, Физика
-
Добавлен:
08.02.2014
-
Размер:
48 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
migsvet
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
электротехника билет 4.doc
|
|
|
._электротехника билет 4.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Билет 4
1. Идеальный колебательный контур. Уравнение колебаний для заряда. Частота колебаний. Энергия электрического и магнитного полей
2. Соотношения между характеристиками теплового излучения. Закон Кирхгофа. Абсолютно черное тело
1. Идеальный колебательный контур. Уравнение колебаний для заряда. Частота колебаний. Энергия электрического и магнитного полей
2. Соотношения между характеристиками теплового излучения. Закон Кирхгофа. Абсолютно черное тело
Дополнительная информация
2013 год оценка-отлично
Похожие материалы
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
svladislav987
: 10 ноября 2021
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерис
svladislav987
: 10 ноября 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
Павел161
: 16 июня 2020
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
L=100 мГн
R=1 кОм
Павел161
: 16 июня 2020
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Павел161
: 9 июня 2020
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo.
4. Рассчитайте классическим мет
Павел161
: 9 июня 2020
450 руб.
Другие работы
СибГУТИ, Контрольная работа №2 Вар.4
BrinGe
: 11 марта 2009
364. При внешнем сопротивлении R1 = 8 Ом сила тока в цепи I1 = 0,8 А, при сопротивлении R2 = 15 Ом сила тока I2 = 0,5 А, Определить силу тока Iкз короткого замыкания источника ЭДС.
............
464. Тонкий медный провод массой m = 5 г согнут в виде квадрата, и концы его замкнуты. Квадрат помещен в однородное магнитное поле (В = 0,2 Тл) так, что его плоскость перпендикулярна линиям поля. Определить заряд Q, который потечет по проводнику, если квадрат, потянув за противоположные вершины, вытянуть
BrinGe
: 11 марта 2009
200 руб.
Безопасность жизнедеятельности, вариант № 4
тантал
: 18 августа 2013
Теоретическая часть
1. Ответственность работодателя и должностных лиц за нарушение законодательных и иных нормативных актов по охране труда
2. Назначение и классификация средств индивидуальной защиты, используемых при ЧС
Практическая часть
Задача No 1
4
Rn,Ом 4
Zn,Ом 2
Zн,Ом 1
Rзм,Ом 75
l,м 3,0
d,м 0,03
t,м 2,5
з 0,71
для всех вариантов Uф = 220В.
4,0
вид грунта глина
, Ом м 60
В данной задаче необходимо: начертить схему трехфазной четырехпроводной сети с заземленной нейтралью и подключенн
тантал
: 18 августа 2013
50 руб.
Выпускная квалификационная работа. Исследование влияния нелинейных помех на спектральные каналы систем DWDM
const30
: 8 августа 2018
Исследование влияния нелинейных помех на спектральные каналы систем DWDM
Объём работы - _60_ страниц, на которых размещены _20_рисунков и
8__таблиц. При написании работы использовалось _12_источников.
Ключевые слова:
Спектральные каналы, нелинейность, нелинейные помехи, оптическое
волокно
Целью работы является:
Расчет отношения сигнал/шум в канале при учете влияния нелинейных
помех.
Решаемые задачи:
Исследование влияния на отношения сигнал/шум при следующих видах помех:
фазовая самомодуляция,
const30
: 8 августа 2018
1600 руб.
Итоговый тест по контроллингу
studypro
: 6 сентября 2016
ИТОГОВЫЕ ТЕСТЫ
1. Указать в перечисленных вариантах существующие концепции контроллинга:
Название концепции Отметка о выборе
1. контроллинг как система управленческого учета;
2. контроллинг как система информационного обеспечения предприятия;
3. контроллинг как теоретическая концепция;
4. контроллинг как концепция синергии;
5. контроллинг как элемент системы управления предприятием;
6. контроллинг как элемент теории фрагментационного анализа этапов принятия управленческих решений;
7. контроллин
studypro
: 6 сентября 2016
100 руб.
