Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4

Цена:
58 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6F7973EE-9858-4E3C-BC02-15B19F8F464D.rar [ 196 KB ]
material.view.file_icon экзамен.doc [ 344 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 30.11.2013
Рецензия:Уважаемая ,При ответе на вопрос 2 Вы не соблюли правильную полярность напряжений на семействе выходных характеристик ПТ и на передаточной характеристике логического элемента
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User tusur : 25 июня 2014
200 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» БИЛЕТ №4 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User SOKOLOV : 2 марта 2025
250 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля. Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User gnv1979 : 13 июня 2016
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Билет №7.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User teacher-sib : 4 апреля 2017
90 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передат
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User tpogih : 28 января 2015
100 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.

Другие работы

Страхование Экзамен. Билет №3
Задание 1. Договор страхования предпринимательского риска был заключен с фирмой, занимающейся организацией розыгрышей лотерей, в пользу финансовой организации у которой она взяла кредит на осуществление своей деятельности. Допустимо ли заключение такого договора страхования? Если да, то кто имеет право на страховую выплату при наступлении страхового случая? Задание 2 Определить налогооблагаемую прибыль, налог на прибыль и чистую прибыль страховщика в отчетном году по следующим данным: 1) получе
СибГУТИ Страхование Работа Экзаменационная
User Ирина62 : 19 ноября 2016
80 руб.
Макроэкономические показатели в национальной экономике
Содержание 1. Национальная экономика и ее важнейшие показатели 2. Основные макроэкономические проблемы 3. Макроэкономическое равновесие: совокупный спрос и совокупное предложение 4. Классическая и Кейнсианская модели макроэкономического равновесия 5. Потребления, сбережения и инвестиции в национальной экономике. Теория мультипликатора 6. Деньги и денежное обращение в рыночной экономике. Модель денежного рынка 7. Банки и кредитная система 8. Денежно-кредитная политика: цели и инструменты
Работа Экономика
User alfFRED : 31 октября 2013
10 руб.
Гидростатика. Гидродинамика. ПГТУ 2018 Задача 55 Вариант 3
Определить расход воды, протекающий из верхнего в нижний резервуар по системе труб, показанной на схеме (рис. 50). Разность уровней воды в баках Н. Диаметры труб d1 = 100 мм, d2 = 150 мм, d3 = 200 мм. Длины труб l1, l2, l3. Воспользоваться значениями расходных характеристик для новых водопроводных труб (табл. 1).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 30 ноября 2025
180 руб.
Гидростатика. Гидродинамика. ПГТУ 2018 Задача 55 Вариант 3
Контрольная работа. Мультисервисные сети связи. Вариант №4
Задание № 1 Таблица 2.1 – Варианты задания № 1 Вариант 04 Тема Сравнение технологий MPLS-TE и PBT/PBB Задание № 2 1. Отобразить на рисунке те элементы сети (рис.2.1), которые включены в Ваш маршрут, согласно варианту 04 2. Отобразить на этом же рисунке профили протоколов (плоскость C или U) для всех элементов сети, входящих в Ваш маршрут, согласно варианту 04. ТА2(ISDN)-АТС3-TGW-ядро сети IP/MPLS-sw5-sw10-sw11-TA5(SIP) плоскость U Задание №3 1. Дать характеристику каждому протоколу и и
СибГУТИ Сети ЭВМ и телекоммуникации Работа Контрольная
User andreyka1486 : 25 марта 2013
200 руб.
up Наверх