Электроника. Переходные процессы 000

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon 32CE0FE6-2FF9-4852-847D-1091B501CF34.doc [ 347 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1) расчет класическим методом
Условие задачи:
Em=68B; R1=95 Ом; R2=23 Ом; R3=38 Ом; w=10000рад/с.
Классич. метод:L=39 мГн C=1,32 мкФ
2) расчет операторным методом
Условие задачи: E=68 В w=10000 рад/с R1=95Ом R2=23Ом R3=38Ом
Операторный метод: L=37 мГн C=0,69 мкФ

Похожие материалы

Электроника
1. Структурная схема операционного усилителя (схема, назначение всех узлов, которые входят в состав структурной схемы). 2. Логический элемент комплементарной МДП логики (КМДП) «операция НЕ, И-НЕ»
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Юрий14 : 23 ноября 2021
150 руб.
Электроника
экзаменационный билет №8, экзаменационная работа № 8 Экзаменационная работа По дисциплине: Электроника Билет: №8 Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Структурные схемы и поколения ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User tatacava1982 : 18 сентября 2020
70 руб.
Электроника
Электроника
Вариант 17 Курсовая работа По дисциплине: Электроника «Разработка интегрального аналогового устройства» Содержание Введение 3 1. Разработка структурной схемы. 4 2. Разработка принципиальной схемы.
******* Не известно Электроника Работа Курсовая
User tatacava1982 : 18 сентября 2020
120 руб.
Электроника
Электроника
ЭЛЕКТРОНИКА Содержание Введение 3 1 Электрический расчёт цифровой схемы 4 1.1 Электрический расчёт элементов схемы 4 1.1.1 Комбинация 0111 4-5 1.1.2 Комб
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
200 руб.
Электроника
Экзамен По дисциплине: Электроника БИЛЕТ №17,ЗАДАНИЯ 2019 ГОДА 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User кайлорен : 29 мая 2019
325 руб.
Электроника
Введение 3 Техническое задание 4 1. Электрический расчет схемы 5 2. Оценка потенциалов и расчет токов схемы 6 Расчет для комбинации входных сигналов
Электроника Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики Работа Контрольная
User KarpKarp : 4 апреля 2017
100 руб.
Электроника
№ Варианта 04 Uпит=-12В Кu=7 Rвх=4,7Мом Rн=2кОм Uном=2В Fн=300Гц Fв=3,4Кгц Мн=2дБ Мв=2дБ Тип входа несимметричный Тип выхода несимметричный
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Shtolc25 : 15 февраля 2017
Электроника
Введение 3 Техническое задание 4 1. Электрический расчет схемы. 5 1.1 Оценка потенциалов и расчет токов схемы 5 1.1.1 Расчет для комбинации входных сигналов 0100 6 1.1.2 Расчет для комбинации входных сигналов 1001 9 1.1.3 Расчет для комбинации входных сигналов 1010 13 1.2 Расчет мощностей, рассеиваемых на резисторах. 17 1.3 Расчет мощности, потребляемой всей схемой 18 1.4 Составление таблицы истинности. 19 2. Разработка топологии ИМС 20 2.1 Расчет размеров резисторов 20 2.2 Расчет площади, заним
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User 1ked : 13 декабря 2015
300 руб.

Другие работы

Контрольная работа по предмету: «Физические основы электроники». Вариант № 19 (29)
Задача No1 Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА, R =1500 Ом. На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением: I =(E -U )/ R . При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА. При I =0, E =U =75 В Задача No2 Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА Задача No3 Дано: f=100
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User xtrail : 3 мая 2013
450 руб.
Технологическая (проектно-технологическая) практика. Вариант 3. Практика в СибГУТИ
Прохождение практики в структурных подразделениях СибГУТИ (специализированных лабораториях) Студент имеет возможность пройти производственную практику в структурных подразделениях СибГУТИ в случае, когда работает не по профилю обучения или не имеет возможности самостоятельно найти базу практики. Объем практики составляет 4 недели: 3 недели самостоятельного изучения теоретического материала и 1 неделя практических занятий в лаборатории СибГУТИ. Порядок прохождения практики в структурных подраз
ДО СИБГУТИ Технологическая практика Практические занятия и отчеты
User SibGUTI2 : 12 февраля 2025
500 руб.
Технологическая (проектно-технологическая) практика. Вариант 3. Практика в СибГУТИ
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Вычислительная математика. Вариант № 7
Известно, что функция удовлетворяет условию при любом x. Рассчитать шаг таблицы значений функции f(x), по которой с помощью линейной интерполяции можно было бы найти промежуточные значения функции с точностью 0.0001, если табличные значения функции округлены до 4-х знаков после запятой. Составить программу, которая 1.Выводит таблицу значений функции с рассчитанным шагом h на интервале [c, c+30h]. 2. С помощью линейной интерполяции вычисляет значения функции в точках по таблице значений фун
СибГУТИ Математика вычислительная Работа Лабораторная
User GTV8 : 9 сентября 2012
100 руб.
Проект робочого обладнання каналоочищувача на базі ЕО-4121
Зміст Вступ.......................................................................................................................... 1. Аналіз машин для очистки каналів……………………………………………… 1.1 Огляд існуючих конструкцій…………………………………………………… 1.2 Обґрунтування модернізації дипломного проекту……………………………... 1.3 Технологічний процес роботи каналоочисника………………………………… 2. Розрахунково-конструкторська частина………………………………………….. 2.1 Визначення основних розмірів ковша каналоочисника…………………….... 2.2
Машины и механизмы Диплом и связанное с ним
User DoctorKto : 15 октября 2014
1500 руб.
Проект робочого обладнання каналоочищувача на базі ЕО-4121
up Наверх