Что происходит в полупроводнике при одновременном внесении донорной и акцепторной примеси? Как определить тип электропроводности такого полупроводника?

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Химия радиоматериалов*
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.02.2014
Рецензия:Уважаемый Муравьев Павел Евгеньевич,у Вас зачет по ХРМ

Фадеева Наталья Евгеньевна
Происходит частичная или полная компенсация. Если примеси полностью не заморожены (при низкой температуре электрон или дырка возвращаются к примесному центру) то какой примеси больше та и будет задавать тип проводимости.
Так диффузионные транзисторы и делают. Берут пластину n-кремния, сначала первый самый толстый слой p-кремния диффузией легирующего компонента создают, потом слой n-кремния потоньше тоже диффузией и т.д.. С учётом разных изолирующих p-n переходов по нескольку раз перекомпенсация происходит.
Электропроводность полупроводника может обусловливаться не только генерацией пар носителей «электрон – дырка» вследствие какого-либо энергетического воздействия, но и введением в структуру полупроводника определенных примесей.
Примеси могут быть донорного и акцепторного типа. Такую же роль, как примеси, могут играть различные дефекты кристаллической решетки: пустые узлы, дислокации или сдвиги, возникающие при пластической деформации кристалла и т. д.
1. Донорные примеси
2. Акцепторные примеси