Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
-
Категории:
******* Не известно, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
14.04.2014
-
Размер:
467 KB
-
Покупок:
25
-
Добавил:
marucya
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
к.р. Устройство оптоэлектроники.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5 В
Номинал ограничительного сопротивления Rогр =510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5 В
Номинал ограничительного сопротивления Rогр =510 Ом
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
50 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эфф
Sibur54
: 16 марта 2019
150 руб.
Контрольная работа «Устройства оптоэлектроники». ВАРИАНТ №5
ANNA
: 18 февраля 2019
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод-транзистор
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Тип ПП материала CdS
Квантовая эффективность, η 0,4
Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 2,5
Задача 3
Изобразить принципиальную схему вк
ANNA
: 18 февраля 2019
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Gila
: 17 января 2019
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
seka
: 11 ноября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему вк
seka
: 11 ноября 2018
70 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Алексей1222
: 12 февраля 2018
50 руб.
Другие работы
Архитектура Санкт-Петербурга XVIII века
Slolka
: 30 июля 2013
Введение............................................................................................................ 3
1. Архитектурные стили XVIII века................................................................. 4
2. Основные особенности архитектурных ансамблей города........................ 5
3. Памятники архитектуры XVIII в.................................................................. 7
4. Стилистические метаморфозы в архитектуре города................................. 9
5. История н
Slolka
: 30 июля 2013
10 руб.
Полная параллельная поддержка для систем планирования, основанных на случаях
Slolka
: 29 сентября 2013
Типичная система планирования, основанная на случаях решает новые задачи путем поиска подобных случаев в памяти и выбора одного или нескольких, наиболее подходящих к поставленной задаче. Система подгоняет выбранные случаи к новому плану, который вычисляется для текущей задачи. После отработки ошибочных случаев в новом плане, система сохраняет его как новый случай для возможного повторного использования (и отключается от его выполнения).
Система планирования, основанная на случаях отличается от
Slolka
: 29 сентября 2013
5 руб.
Разработка пункта технического обслуживания автомобилей в условиях оао «ульяновский моторный завод» г. ульяновска
Рики-Тики-Та
: 18 февраля 2017
АННОТАЦИЯ
Дипломный проект выполнен на___ страницах машинописного текста и _10_ листах графической части формата А1.
Проведён анализ деятельности предприятия и технической эксплуатации подвижного состава.
С целью эффективного использования имеющихся площадей, в проекте разработан пункт технического обслуживания, приведены необходимые техно-логические расчеты и планировка пункта.
Для уменьшения трудоемкости при проведении технических обслужива-ний и ремонта автомобилей, разработан стенд для разбо
Рики-Тики-Та
: 18 февраля 2017
825 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 5 Вариант 15
Z24
: 31 декабря 2026
Определить удельный лучистый тепловой поток q (Вт/м²) между двумя параллельно расположенными плоскими стенками, имеющими температуры t1 и t2 и степени черноты ε1 и ε2, если между ними нет экрана. Определить q при наличии экрана со степенью черноты εэ (с обеих сторон).
Ответить на вопросы.
Во сколько раз уменьшится тепловой поток, если принять в вашем варианте задачи εэ = ε1 по сравнению с потоком без экрана?
Для случая ε1 = ε2 определите, какой экран из таблицы 5 даст наихудший эффект, а ка
Z24
: 31 декабря 2026
180 руб.
