Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
-
Категории:
******* Не известно, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
14.04.2014
-
Размер:
467 KB
-
Покупок:
25
-
Добавил:
marucya
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
к.р. Устройство оптоэлектроники.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5 В
Номинал ограничительного сопротивления Rогр =510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5 В
Номинал ограничительного сопротивления Rогр =510 Ом
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эфф
Sibur54
: 16 марта 2019
150 руб.
Контрольная работа «Устройства оптоэлектроники». ВАРИАНТ №5
ANNA
: 18 февраля 2019
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод-транзистор
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Тип ПП материала CdS
Квантовая эффективность, η 0,4
Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 2,5
Задача 3
Изобразить принципиальную схему вк
ANNA
: 18 февраля 2019
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Gila
: 17 января 2019
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
seka
: 11 ноября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему вк
seka
: 11 ноября 2018
70 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Алексей1222
: 12 февраля 2018
50 руб.
Другие работы
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.4 Вариант 2
Z24
: 18 октября 2025
Найти суммарный расход, а также распределение расхода по ветвям воды (ρ=1000 кг/м³, v=10-6 м²/c), вытекающий самотеком из верхнего бака в нижний.
Материалы труб и число плавных поворотов ветвей одинаковы (n1=n2=n). Полученные значения расходов Q, Q1 и Q2 выразить в м³/c и л/мин.
Вид трубы взять из табл.3.1 на с. 24.
Задачу решить методом последовательных приближений либо графоаналитическим методом.
Z24
: 18 октября 2025
350 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 64
Z24
: 23 января 2026
Две близко расположенные друг к другу пластины с температурами t1, t2 и степенью черноты ε1, ε2 обмениваются лучистой энергией. Определить: собственное излучение для каждой пластины; плотность результирующего теплового потока между пластинами; изменение плотности теплового потока после установки между пластинами плоского параллельного им экрана со степенью черноты εэ.
Z24
: 23 января 2026
150 руб.
Контрольная работа. Правоведение
kbcfy
: 16 апреля 2014
1. Понятие и условия наступления материальной ответственности работников за ущерб, причиненный работодателю.
2. Виды материальной ответственности.
3. Ограничение размера удержаний из заработной платы.
Задача.
Муниципальное образование (мэрия города К.) заключило договор на поставку материалов для ремонта помещения на сумму 320 000 рублей с ООО «Клин». Согласно договору ООО «Клин» поставило товар в соответствии с условиями договора, а мэрия города К. произвела оплату поставленных материалов
kbcfy
: 16 апреля 2014
120 руб.
Лекции. Автоматизация сварочных процессов
GnobYTEL
: 21 сентября 2011
Санкт-Петербургский институт машиностроения, Санкт-Петербург 2006 г. – 101 с.
Цель настоящего курса состоит в том, чтобы научить будущего инженера сварщика конструировать и рассчитывать системы автоматического регулирования – это задача специалистов по автоматике, а ориентировать его в возможностях и принципах автоматики, в распространенных методах исследования и расчета систем автоматизации, применяемых в сварочном производстве, помочь ему научиться ставить и решать задачи совершенствования пр
GnobYTEL
: 21 сентября 2011
2 руб.
