Лабораторная работа №3 по физике (спецглавы).Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.10-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
17.05.2014
-
Размер:
496 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
hbifn
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
F605BA6F-05D8-4337-A911-99CA0C43F83F.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 05.2014
Рецензия:Уважаемый Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 05.2014
Рецензия:Уважаемый Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Схема размещения оборудования на привышечных сооружениях буровой установки Уралмаш 3Д86-1-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
lesha.nakonechnyy.92@mail.ru
: 17 мая 2018
Схема размещения оборудования на привышечных сооружениях буровой установки Уралмаш 3Д86-1-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
lesha.nakonechnyy.92@mail.ru
: 17 мая 2018
276 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Информатика (часть 2). Вариант №3
Учеба "Под ключ"
: 1 сентября 2017
Вариант задания
Вывести на печать таблицы значений заданной функции. Функцию выбирать в соответствии с Вашим вариантом из таблицы 1. Для организации внешнего и внутреннего циклов выбрать разные типы циклов.
Вывести на печать таблицы значений заданной функции в следующем виде:
Таблица 1 Параметр= ………
X= …….. Y= ……….
X= ……..
Учеба "Под ключ"
: 1 сентября 2017
300 руб.
Модель и чертеж втулки - Вариант 21
.Инженер.
: 14 марта 2026
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Практикум. Модель и чертеж втулки. Задание 11. Вариант 21
1. Выполнить трехмерную модель Втулки.
2. По модели создать и оформить трехпроекционный ассоциативный чертеж и дополнить его аксонометрией.
2.1. На месте главного вида построить фронтальный разрез, соединив половину вида и половину разреза.
2.2. На месте вида слева построить профильный разрез, соединив половину вида и половину разреза.
2
.Инженер.
: 14 марта 2026
100 руб.
Солнечная система и Земля
step85
: 16 ноября 2009
Содержание
Введение
1. Происхождение Солнечной системы
1.1 Гипотеза Канта-Лапласа
1.2 Гипотеза Джинса-Вулфсона
1.3 Гипотеза Шмидта-Литтлтона
2. Развитие Земли
2.1 Фазы развития Земли
2.2 Геологическая история
2.3 Эволюция атмосферы
2.4 Эволюция биосферы
2.5 Развитие литосферы и рельефа
3. Влияние солнечной активности на земные процессы
Заключение
Список литературы
Введение
Вот уже два века проблема происхождения Солнечной системы волнует выдающихся мыслителей нашей планеты. Этой проблемой з
step85
: 16 ноября 2009
