Экзаменационная работа по дисциплине:Электроника. Семестр 4-й. Вариант № 19

Категории: СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
Добавлен: 15.06.2014
Размер: 287 KB
Покупок: 17
Добавил:
nik12

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

100 руб.

Скачать

Состав работы

36FC00FD-49A6-4056-8330-B5584E162B99.rar [ 287 KB ]

Электроника экзамен.doc [ 502 KB ]

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу.

1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Электроника Вид работы: Экзамен Оценка:Отлично Дата оценки: 09.06.2014 Рецензия:Уважаемый,Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

snrudenko : 31 января 2017

100 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника

1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиал

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

natin83 : 31 января 2015

150 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»

1. Свойства р-n перехода при прямом включении. 2. Сумматор на основе ОУ.

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

nataliykokoreva : 2 апреля 2013

150 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»

1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель 3 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики 6 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристи

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

kisa7 : 21 июля 2012

100 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине "Электроника"

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом р-типа. составьте таблицу истинности. приведите пример передаточной характеристики. объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общ

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

levis434 : 17 января 2012

50 руб.

Экзаменационная работа По дисциплине: «Электроника» 15

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Jerryamantipe03 : 19 мая 2021

150 руб.

Экзаменационная работа По дисциплине: Микроэкономика вариант 19

Выберите правильный ответ: 1. Вдоль линейной линии спроса спрос является: a) Неэластичным ниже средней точки и эластичным выше нее б) Эластичным ниже средней точки и неэластичным выше нее в) Неэластичным ниже средней точки только лишь для товаров высшего качества г) Неэластичным в средней точке 2. Если два товара взаимозаменяемы, то рост цены на первый, вызовет: a) Падение спроса на второй товар б) Рост спроса на второй товар в) Увеличение объема спроса на второй товар г) Падения величины с

Микроэкономика СибГУТИ Работа Экзаменационная

Samolyanova : 11 декабря 2017

150 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине "Физика" Вариант № 19

1. На рисунке представлены графики зависимости от времени модулей скорости четырех тел. Какое из этих тел пройдет за промежуток времени от t1=0 до t2=3 наибольший путь? Ответ обосновать. 2. При аварийном торможении автомобиль, движущийся со скоростью 72 км/ч , остановился за 5с . Найти тормозной путь. 3. Нормальное ускорение точек обода колеса радиусом 0,1м через 5с после начала движения становится в 2 раза больше их тангенциального ускорения. Определить тангенциальное ускорение. .....

СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Экзаменационная

BuKToP89 : 25 декабря 2012

30 руб.

Демократия в политической жизни общества

Общепринятым и наиболее важным среди них является возможность граждан брать реальное участие в управлении, в решении как государственных, так и гражданских дел. Общество не может быть демократичным, если его граждане лишены таких возможностей. Только создавая благоприятные условия для открытия творческого потенциала граждан и преодолевая их социальную инертность, общество получает мощный импульс саморазвития за счет включения в демократический процесс главной действующей силы истории народа. Ср

Политология Работа

DocentMark : 15 февраля 2013

Лабораторная работа №2 по дисциплине: Программирование мобильных устройств (часть 1). Вариант 5

Лабораторная работа 2 «Работа с аппаратными датчиками мобильного устройства» Цель: Изучить принципы взаимодействия мобильных приложений с аппаратными датчиками устройства на платформе Android. Задание: Разработать Android-приложение, предназначенное для работы с аппаратными датчиками устройства. Приложение должно обеспечивать получение данных с датчика, их обработку, визуализацию и интерактивное взаимодействие с пользователем. Номер варианта соответствует последней цифре Вашего пароля.

СибГУТИ Работа Лабораторная Программирование мобильных устройств

Учеба "Под ключ" : 9 марта 2026

700 руб.

Разработка рыночной стратегии предприятия (на примере ООО «Байт-3»)

Введение 4 1 Теоретические основы разработки стратегии 6 1.1 Понятие и сущность рыночной стратегии предприятия 6 1.2 Методики стратегического анализа для разработки рыночной стратегии 14 1.3 Планирование стратегии развития предприятия 23 2 Анализ рыночной стратегии ООО «Байт-3» 33 2.1 Характеристика ООО «Байт-3» 33 2.2 Внутренняя среда ООО «Байт-3» 34 2.2.1 Анализ финансового состояния ООО «Байт-3» 35 2.2.2 Описание организационной структуры ООО «Байт-3». 41 2.2.3 Анализ заработной платы персона

******* Не известно Диплом и связанное с ним Менеджмент

Алёна51 : 26 июля 2015

1000 руб.