Курсовая работа по предмету "Электроника" . Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №10
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
22.06.2014
-
Размер:
563 KB
-
Покупок:
21
-
Добавил:
naXer22
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Курсовая.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Техническое задание:
1. Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
2. Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные для заданного варианта
№ вар. , В, МОм , кОм , В , Гц , кГц , дБ , дБ,Тип вх,Тип вых
10 -12 8 0.33 2 2 50 10 1 1 Н Н
Содержание
Содержание - 2 -
Техническое задание - 3 -
Введение - 4 -
1.Разработка структурной схемы - 5 -
2. Разработка принципиальной схемы - 7 -
2.1 Расчет первого каскада - 8 -
2.2 Расчет второго каскада - 9 -
2.3 Расчет амплитудно-частотной характеристики - 11 -
3. Разработка интегральной микросхемы - 15 -
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. - 15 -
3.2. Разработка топологии. - 18 -
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. - 20 -
Заключение - 23 -
Список литературы - 24 -
1. Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
2. Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные для заданного варианта
№ вар. , В, МОм , кОм , В , Гц , кГц , дБ , дБ,Тип вх,Тип вых
10 -12 8 0.33 2 2 50 10 1 1 Н Н
Содержание
Содержание - 2 -
Техническое задание - 3 -
Введение - 4 -
1.Разработка структурной схемы - 5 -
2. Разработка принципиальной схемы - 7 -
2.1 Расчет первого каскада - 8 -
2.2 Расчет второго каскада - 9 -
2.3 Расчет амплитудно-частотной характеристики - 11 -
3. Разработка интегральной микросхемы - 15 -
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. - 15 -
3.2. Разработка топологии. - 18 -
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. - 20 -
Заключение - 23 -
Список литературы - 24 -
Дополнительная информация
Работа сдана 02.06.2014, оценка Отлично
Похожие материалы
Курсовая работа по предмету "Электроника" Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №12
gumar75
: 8 октября 2013
Содержание курсовой работы.
1. Техническое задание.
2. Введение.
3. Разработка структурной схемы.
4. Разработка принципиальной схемы.
5. Разработка интегральной микросхемы.
6. Заключение.
7. Список литературы.
8. Приложение:
а.) Схема электрическая принципиальная.
б.) Эскиз устройства.
в.) Спецификация компонентов устройства.
1. Техническое задание.
1. Разработать электрическую схему аналогового устройства (Усилителя низкой частоты) на основе биполярных и полевых транзисторов.
2.
gumar75
: 8 октября 2013
250 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства. вариант №10
Apotecary
: 28 ноября 2016
Техническое задание.
Введение.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Разработка интегральной микросхемы.
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
3.2. Разработка топологии.
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Заключение.
Список литературы
Apotecary
: 28 ноября 2016
60 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
Adam
: 26 сентября 2017
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Эрик4
: 9 апреля 2017
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
Эрик4
: 9 апреля 2017
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
nik5590585
: 22 января 2015
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
Amor
: 10 июня 2013
150 руб.
Другие работы
ОТТ ЭТХ ВС ГА - общие технические требования к эксплутационно-техническим характеристикам самолётов и вертолётов гражданской авиации
alfFRED
: 29 декабря 2012
Разработаны в соответствии с "Межотраслевой комплексной программой по дальнейшему повышению надёжности авиациоонной техники и совершенствованию организации летной работы".
При разработке ОТТ ЭТХ ВС ГА использованы результаты исследований в этой области, выполненные ГосНИИ ГА, ЛИИ им. М.М.Громова и МИИ ГА.
В документе рассматриваются: Основные положения. Этапы задания требований, оценки и подтверждения. Требования к типовым условиям эксплуатации. Общие требования к типовым условиям эксплуатации.
alfFRED
: 29 декабря 2012
10 руб.
Обеспечение информационной безопасности в телекоммуникациях. КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА. Вариант №4
Dirol340
: 28 января 2021
1. Задание.
По сети связи от узла источника (УИ) к узлу получателя (УП) через m транзитных узлов (ТУ) по n параллельным соединениям (рисунок 1) передается сообщение , с соответствующими априорными вероятностями их появления в канале связи:
В каждом из n параллельных соединениях возможно внешнее воздействие несанкционированно действующего лица c вероятностью модификации ; сообщения .
В этом случае обеспечение целостности информации на сетевом уровне сводится к процессу принятия решения в то
Dirol340
: 28 января 2021
500 руб.
Устройство оптоэлектроники.Зачет.Билет № 9
Yulya0709
: 25 июня 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Прямозонные и непрямозонные полупроводники.
Раздел Излучатели.
2.Формирователь с активным высоким уровнем.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Пиротехнические фотоприемники.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Структурная схема оптрона.
Yulya0709
: 25 июня 2015
80 руб.
Курсовая работа по дисциплине “Информатика” Программа поиска экстремума функции
lavrik17
: 2 октября 2013
Составить программу поиска экстремума функции 2-мя методами: методом квадратичной интерполяции – экстраполяции или методом дихотомии. Определить 2-мя методами экстремумы функций.
F(x)=x6.5* e-cos(x)
lavrik17
: 2 октября 2013
