Курсовая работа по предмету "Электроника" . Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №10
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Техническое задание:
1. Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
2. Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные для заданного варианта
№ вар. , В, МОм , кОм , В , Гц , кГц , дБ , дБ,Тип вх,Тип вых
10 -12 8 0.33 2 2 50 10 1 1 Н Н
Содержание
Содержание - 2 -
Техническое задание - 3 -
Введение - 4 -
1.Разработка структурной схемы - 5 -
2. Разработка принципиальной схемы - 7 -
2.1 Расчет первого каскада - 8 -
2.2 Расчет второго каскада - 9 -
2.3 Расчет амплитудно-частотной характеристики - 11 -
3. Разработка интегральной микросхемы - 15 -
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. - 15 -
3.2. Разработка топологии. - 18 -
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. - 20 -
Заключение - 23 -
Список литературы - 24 -
1. Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
2. Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные для заданного варианта
№ вар. , В, МОм , кОм , В , Гц , кГц , дБ , дБ,Тип вх,Тип вых
10 -12 8 0.33 2 2 50 10 1 1 Н Н
Содержание
Содержание - 2 -
Техническое задание - 3 -
Введение - 4 -
1.Разработка структурной схемы - 5 -
2. Разработка принципиальной схемы - 7 -
2.1 Расчет первого каскада - 8 -
2.2 Расчет второго каскада - 9 -
2.3 Расчет амплитудно-частотной характеристики - 11 -
3. Разработка интегральной микросхемы - 15 -
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. - 15 -
3.2. Разработка топологии. - 18 -
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. - 20 -
Заключение - 23 -
Список литературы - 24 -
Дополнительная информация
Работа сдана 02.06.2014, оценка Отлично
Похожие материалы
Курсовая работа по предмету "Электроника" Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №12
gumar75
: 8 октября 2013
Содержание курсовой работы.
1. Техническое задание.
2. Введение.
3. Разработка структурной схемы.
4. Разработка принципиальной схемы.
5. Разработка интегральной микросхемы.
6. Заключение.
7. Список литературы.
8. Приложение:
а.) Схема электрическая принципиальная.
б.) Эскиз устройства.
в.) Спецификация компонентов устройства.
1. Техническое задание.
1. Разработать электрическую схему аналогового устройства (Усилителя низкой частоты) на основе биполярных и полевых транзисторов.
2.
250 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства. вариант №10
Apotecary
: 28 ноября 2016
Техническое задание.
Введение.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Разработка интегральной микросхемы.
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
3.2. Разработка топологии.
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Заключение.
Список литературы
60 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Эрик4
: 9 апреля 2017
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
150 руб.
Другие работы
Схема технологическая установка ректификационная (вариант 2)-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 7 июня 2018
Схема технологическая установка ректификационная (вариант 2)-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
290 руб.
Экзамеационный билет № 25 по дисциплине "Управление сетями связи"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 31 марта 2014
1. Функциональная архитектура (модель) TMN.
2. Платформенная реализация системы управления. Основные функции отдельных компонент платформ.
3. Задача: Определить из приведенного сообщения:
1. Версию протокола сетевого уровня
2. Приоритет сетевого уровня для данной дейтаграммы
3. Протокол транспортного уровня (Dec’код и название)
4. Сетевой адрес назначения
5. Транспортный порт отправителя
6. Транспортный порт получателя
7. Тип и класс тэга протокола прикладного уровня
8. Длину сообщения протокола
450 руб.
42.000. Насос. Задание №42. Аксарин
vermux1
: 2 декабря 2017
Насос 42.000
Насос двустороннего действия предназначен для перекачивания различных жидкостей, в том числе топлива при заправке автомобилей. Он состоит из корпуса 4 с крышкой 3, оси 7 с рычагом 1, крыльчатки 6, клапанов 13 и 14. Жидкость подастся при повороте рычага как влево, так и вправо.
Насос 42.000 сборочный чертеж
Насос 42.000 спецификация
Насос 42.000 3d модель
Насос 42.000 чертежи
Рычаг насоса 42.001
Гайка 42.002
Крышка насоса 42.003
Корпус насоса 42.004
Ось клапанов 42.005
Крыльчатка 4
170 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 1 Вариант 76
Z24
: 28 января 2026
По известному массовому составу продуктов сгорания и их параметрам – давлению р1 и температуре t1 определите:
1. Среднюю молекулярную массу и газовую постоянную смеси.
2. Плотность и удельный объем при заданных и нормальных условиях.
3. Парциальное давление СО2.
200 руб.