Курсовая работа по предмету "Электроника" . Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №10
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
22.06.2014
-
Размер:
563 KB
-
Покупок:
21
-
Добавил:
naXer22
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Курсовая.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Техническое задание:
1. Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
2. Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные для заданного варианта
№ вар. , В, МОм , кОм , В , Гц , кГц , дБ , дБ,Тип вх,Тип вых
10 -12 8 0.33 2 2 50 10 1 1 Н Н
Содержание
Содержание - 2 -
Техническое задание - 3 -
Введение - 4 -
1.Разработка структурной схемы - 5 -
2. Разработка принципиальной схемы - 7 -
2.1 Расчет первого каскада - 8 -
2.2 Расчет второго каскада - 9 -
2.3 Расчет амплитудно-частотной характеристики - 11 -
3. Разработка интегральной микросхемы - 15 -
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. - 15 -
3.2. Разработка топологии. - 18 -
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. - 20 -
Заключение - 23 -
Список литературы - 24 -
1. Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
2. Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные для заданного варианта
№ вар. , В, МОм , кОм , В , Гц , кГц , дБ , дБ,Тип вх,Тип вых
10 -12 8 0.33 2 2 50 10 1 1 Н Н
Содержание
Содержание - 2 -
Техническое задание - 3 -
Введение - 4 -
1.Разработка структурной схемы - 5 -
2. Разработка принципиальной схемы - 7 -
2.1 Расчет первого каскада - 8 -
2.2 Расчет второго каскада - 9 -
2.3 Расчет амплитудно-частотной характеристики - 11 -
3. Разработка интегральной микросхемы - 15 -
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. - 15 -
3.2. Разработка топологии. - 18 -
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. - 20 -
Заключение - 23 -
Список литературы - 24 -
Дополнительная информация
Работа сдана 02.06.2014, оценка Отлично
Похожие материалы
Курсовая работа по предмету "Электроника" Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №12
gumar75
: 8 октября 2013
Содержание курсовой работы.
1. Техническое задание.
2. Введение.
3. Разработка структурной схемы.
4. Разработка принципиальной схемы.
5. Разработка интегральной микросхемы.
6. Заключение.
7. Список литературы.
8. Приложение:
а.) Схема электрическая принципиальная.
б.) Эскиз устройства.
в.) Спецификация компонентов устройства.
1. Техническое задание.
1. Разработать электрическую схему аналогового устройства (Усилителя низкой частоты) на основе биполярных и полевых транзисторов.
2.
gumar75
: 8 октября 2013
250 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства. вариант №10
Apotecary
: 28 ноября 2016
Техническое задание.
Введение.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Разработка интегральной микросхемы.
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
3.2. Разработка топологии.
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Заключение.
Список литературы
Apotecary
: 28 ноября 2016
60 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
Adam
: 26 сентября 2017
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Эрик4
: 9 апреля 2017
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
Эрик4
: 9 апреля 2017
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
nik5590585
: 22 января 2015
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
Amor
: 10 июня 2013
150 руб.
Другие работы
Рабинович Сборник задач по технической термодинамике Задача 6
Z24
: 28 ноября 2025
Определить абсолютное давление в сосуде (рис.1), если показание присоединенного к нему ртутного манометра равно 66,7 кПа (550 мм рт.ст.), а атмосферное давление по ртутному барометру составляет 100 кПа (700 мм рт. ст.). Температура воздуха в месте установки приборов равна 0°С.
Z24
: 28 ноября 2025
120 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Системное программное обеспечение». Вариант №10.
Алексей134
: 5 марта 2021
Контрольная работа
по дисциплине «Системное программное обеспечение»
Задание
Написать и отладить программу на языке ассемблера. В программе описать процедуру, которая вычисляет число неотрицательных элементов в массиве. Параметры передавать следующим образом:
в ВХ – смещение массива;
в СХ – число элементов в массиве;
в АХ – результат вычислений (число неотрицательных элементов).
В основной программе вызвать описанную процедуру для двух разных массивов.
Алексей134
: 5 марта 2021
150 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы). Вариант №9
SibGOODy
: 24 августа 2018
Лабораторная работа No6.8
Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для равна 9,4мА (Вариант No9).
Выводы.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температур
SibGOODy
: 24 августа 2018
250 руб.
ДСТУ 4407: 2005 Вітроенергетика. Установки вітронасосні. Загальні технічні вимоги
alfFRED
: 26 июня 2013
Вітроенергетика. Установки вітронасосні. Загальні технічні вимоги: ДСТУ 4407:2005. — [Чинний від 2006-07-01]. — К. : Держспоживстандарт України 2005. — 20 с. — (Національний стандарт України).
Цей стандарт установлює загальні технічні вимоги до вітряних насосних установок (ВНУ). Цей стандарт поширюється на горизонтально- та вертикально-осьові ВНУ діаметром ротора до 10 м або площиною обмаху ротора до 80 м3 з лопатями еродинамічного профілю, призначені перетворювати кінетичну енергію вітру в меха
alfFRED
: 26 июня 2013
