Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр. Контрольная работа. 10-й вариант
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА
По дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 14.07.2014
Рецензия:Уважаемая,Вы неверно указали положение граничной длины волны и неверно определили силу света
Игнатов Александр Николаевич
По дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 14.07.2014
Рецензия:Уважаемая,Вы неверно указали положение граничной длины волны и неверно определили силу света
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 4-й семестр, 10-й вариант
yans
: 3 октября 2012
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод на основе р-n перехода
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид с
350 руб.
Устройства оптоэлектроники, 4-й семестр, 8-й вариант, Контрольная работа №1
Decoy2k
: 6 октября 2014
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
В соответствии с вариантом в качестве фотоприемника рассматриваем фототиристор.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
100 руб.
2-й семестр ДО. «Устройства оптоэлектроники». Контрольная работа. В3
Мария60
: 1 февраля 2019
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2.
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. 3-й семестр. Контрольная работа. Вариант 04
Ирина16
: 21 ноября 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
4 Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2.
70 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники . 4-й семестр. Вариант №14.
58197
: 8 октября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0
95 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 16. 3-й семестр.
vindemia
: 3 июня 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12.
Задача No3
Изоб
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
50 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
ramzes14
: 15 февраля 2013
Вопросы к зачету:
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
150 руб.
Другие работы
Г.В. Вернадский - историк русской исторической науки(продолжающая традиция или новый взгляд?)
Aronitue9
: 16 ноября 2012
В.П. Корзун, Омский государственный университет
Тезис о распыленности русского культурного наследия во времени и пространстве вполне применим и к исторической науке русского зарубежья, интерес к которой значительно усилился в последние годы. Тем не менее, историко-научные поиски русских историков-эмигрантов по-прежнему остаются в тени и практически не вошли в наш историографический быт. Приятным исключением в этом плане являются первые попытки осмысления историографических работ М.М.Новикова, по
19 руб.
Установка электроцентробежного ЭЦН с усовершенствованием опор ротора центробежного насоса ЭЦНД- 5-1250-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 21 июня 2018
Установка электроцентробежного ЭЦН с усовершенствованием опор ротора центробежного насоса ЭЦНД- 5-1250-Текст пояснительной записки выполнен на Украинском языке вы можете легко его перевести на русский язык через Яндекс Переводчик ссылка на него https://translate.yandex.ru/?lang=uk-ru или с помощью любой другой программы для перевода-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
4 ОПИСАНИЕ ТЕХНИЧЕСКОГО ПРЕДЛОЖЕНИЯ
Техническое предложение относится к машиностроению, в частнос
2584 руб.
Технологический процесс изготовления первичного вала 1701030 КПП автомобиля МАЗ (курсовой проект)
kurs9
: 27 апреля 2015
Пояснительная записка выполнена на 27 страницах, в том числе 5 таблиц, 7 литературных источников, 4 листа графической части.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Технологический раздел.
Назначение и конструкция детали
Анализ технологичности конструкции
Определение типа производства
Выбор заготовки
Выбор технологических баз и оценка технологичности конструкции
Проектирование маршрута технологического процесса...
Расчет припусков на обработку
Расчет режимов резания
Расчет норм времени
Конструктор
990 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 3 Вариант 83
Z24
: 12 января 2026
Расчет цикла Карно применительно к тепловому двигателю
Рабочее тело в цикле Карно — 1 кг сухого воздуха. Предельные температуры рабочего тела в цикле: наибольшая t1, наименьшая t3 (табл.1). Предельные давления рабочего тела в цикле: наибольшее p1, наименьшее p3 (табл.2).
Определить:
1) основные параметры рабочего тела в характерных точках цикла;
2) количество теплоты, подведенное в цикле;
3) количество теплоты, отведенное в цикле;
4) полезную работу, совершенную рабочим телом за ци
350 руб.