Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (спец.главы). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант № 6. 2-й семестр.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная6-8Вариант6.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2.Теоретическое введение.

3.Описание лабораторной установки.

Сила тока I = 7мА.

4.Экспериментальные результаты.

Выводы

5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Список использованной литературы.

Дополнительная информация

Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.09.2014
Рецензия:Уважаемый, Ваша лабораторная работа № 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретическое введение 3. Описание лабораторной установки 4. Выполнение задания Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА Вывод 5. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т? 3. Вывести фор
User Учеба "Под ключ" : 29 декабря 2016
250 руб.
promo
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ! Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User SemenovSam : 3 мая 2016
100 руб.
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Проблема открытия и ведения валютных счетов резидентами
Введение Важной сферой внешнеэкономических отношений являются кредитно-расчетные отношения, связанные с движением капитала из одной страны в другую, денежными расчетами за товары и услуги, а также с нетоварными операциями. До недавнего времени все эти операции осуществлял Внешэкономбанк СССР, который поддерживал в этих целях широкие корреспондентские отношения с иностранными банками. На первое января 1987 года во всех частях света насчитывалось 1889 таких банков-корреспондентов. В результате лик
User evelin : 23 марта 2013
10 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 9 Вариант 1
В закрытом резервуаре (рис. 9) находится жидкость Ж под давлением. Для измерения уровня жидкости Ж в резервуаре выведен справа пьезометр. Левый пьезометр предназначен для измерения давления в резервуаре. Определить какую нужно назначить высоту z левого пьезометра, чтобы измерить максимальное манометрическое давление в резервуаре рм=600 кг/м² при показании правого пьезометра h.
User Z24 : 26 октября 2025
150 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 9 Вариант 1
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 338
Через пароперегреватель парового котла проходит 5000 кг пара в час. Степень сухости пара до пароперегревателя х=0,99, а давление р=10 МПа. Температура пара после пароперегревателя t=550 ºС. Определить количество теплоты, воспринятой пароперегревателем, принимая его к.п.д. равным 0,984. Ответ: Q=4,0 ГДж/ч.
User Z24 : 4 октября 2025
130 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 338
Контрольная работа: ГЗЗ із транзисторами у ключовому режимі
Генераторні транзистори в сучасних передавачах працюють, як правило, з повним використанням за потужністю, особливо у вихідних каскадах. Вимога високої надійності роботи транзисторів у цих каскадах зводиться насамперед до вибору режимів, у яких струми і напруги свідомо нижче максимально допустимих, а потужності розсіювання мінімальні. Остання вимога – мінімізація потужності розсіювання на транзисторах головним чином відноситься до біополярних транзисторів (БТ), однак і для полярних транзисторі
User alfFRED : 15 сентября 2013
5 руб.
up Наверх