Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (спец.главы). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант № 6. 2-й семестр.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2.Теоретическое введение.
3.Описание лабораторной установки.
Сила тока I = 7мА.
4.Экспериментальные результаты.
Выводы
5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список использованной литературы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2.Теоретическое введение.
3.Описание лабораторной установки.
Сила тока I = 7мА.
4.Экспериментальные результаты.
Выводы
5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список использованной литературы.
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.09.2014
Рецензия:Уважаемый, Ваша лабораторная работа № 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.09.2014
Рецензия:Уважаемый, Ваша лабораторная работа № 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Похожие материалы
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести фор
250 руб.
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
SemenovSam
: 3 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Другие работы
Теплотехника СФУ 2017 Задача 5 Вариант 69
Z24
: 31 декабря 2026
Определить удельный лучистый тепловой поток q (Вт/м²) между двумя параллельно расположенными плоскими стенками, имеющими температуры t1 и t2 и степени черноты ε1 и ε2, если между ними нет экрана. Определить q при наличии экрана со степенью черноты εэ (с обеих сторон).
Ответить на вопросы.
Во сколько раз уменьшится тепловой поток, если принять в вашем варианте задачи εэ = ε1 по сравнению с потоком без экрана?
Для случая ε1 = ε2 определите, какой экран из таблицы 5 даст наихудший эффект, а ка
180 руб.
Сущность и роль управленческих решений, их классификация
alfFRED
: 23 марта 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Введение……………………………………………………………………. 3
1 Основные виды решений и подходы к их принятию……………… 5
2 Этапы принятия решения проблемы и их содержание…………… 9
3 Влияние управленческих решений на уровень продаж (различные теории)…………………………………………………..
14
3.1. Управленческие решения на основании теории Маслоу………….. 14
3.2. Управленческие решения на основании теории справедливости… 17
3.3. Управленческие решения на основании теории ожидания……….. 18
3.4. Управленческие решения на основании модели
10 руб.
Курсовой проект По дисциплине: Проектирование и эксплуатация сетей связи. Проект РАТС на базе цифровой АТС типа EWSD. Вариант №16.
teacher-sib
: 26 сентября 2018
Курсовой проект
По дисциплине: Проектирование и эксплуатация сетей связи
Проект РАТС на базе цифровой АТС типа EWSD
Задание на курсовой проект
ЧАСТЬ 1
По заданной емкости РАТС типа EWSD, определить объем оборудования проектируемой станции, разработать структурную схему. Разместить оборудование на стативах и в автозале.
№ вар N кварт. Nнх РАТС-1 РАТС-2 РАТС-3
16 4500 6400 12100 9000 7300
Примечание:
1. На сети все станции цифровые.
2. Есть выход к АМТС и УСС.
3. Си
800 руб.
Контрольная работа по дисциплине Бухгалтерский и управленческий учет
1455623
: 21 июня 2022
Разработать систему счетов управленческого учета, позволяющую отражать затраты, выручку и финансовый результат по видам продукции и составить отчет.
Исходные данные:
1. В организации, создающей несколько видов продукции, функционируют следующие структурные подразделения:
Производственные подразделения: Цех № 1, Цех № 2.
Функциональные подразделения: столовая, офис
2. Организация производит продукцию А и Д.
3. Учет затрат ведется по статьям с отражением их величины на субсчетах второго поряд
500 руб.