Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (спец.главы). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант № 6. 2-й семестр.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7393B48B-423B-42E6-821B-42F30B398642.rar [252 KB]
material.view.file_icon Лабораторная6-8Вариант6.doc [Office 2010, 10 стр., 600 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2.Теоретическое введение.

3.Описание лабораторной установки.

Сила тока I = 7мА.

4.Экспериментальные результаты.

Выводы

5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Список использованной литературы.

Дополнительная информация

Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.09.2014
Рецензия:Уважаемый, Ваша лабораторная работа № 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.

Похожие материалы

Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретическое введение 3. Описание лабораторной установки 4. Выполнение задания Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА Вывод 5. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т? 3. Вывести фор
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 29 декабря 2016
250 руб.
promo
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ! Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User SemenovSam : 3 мая 2016
100 руб.
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.

Другие работы

Отчет по лабораторной работе № 2 . Исследование дисперсионных искажений импульсов в оптическом волокне Дисциплина: "Направляющие системы электросвязи" 12 вариант Семестр № 4
Исследование дисперсионных искажений импульсов в оптическом волокне 1. Цель работы Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию влияния составляющих дисперсии на временные параметры передаваемых оптических импульсов: - модовой дисперсии ступенчатых оптических волокон; - модовой дисперсии градиентных оптических волокон; - материальной составляющей хроматической дисперсии; - волноводной составляющей хроматической дисперсии; - профильной составляющей хроматической
Направляющие системы электросвязи СибГУТИ Работа Лабораторная
User наташ : 2 марта 2012
100 руб.
Модель формирования портфеля ценных бумаг САРМ
Оглавление Введение Глава 1. Фондовый рынок России 1.1 Становление фондового рынка в России 1.2 Участники фондового рынка 1.3 Торговые площадки Глава 2. Модель оценки финансовых активов 2.1 Основные предпосылки подели 2.2 Теорема разделения 2.3 Рыночный портфель 2.4 Модель оценки капитальных активов 2.5 Способы определения безрисковой ставки 2.6 Оценка b (бета) 2.7 Аналоги модели САРМ 2.7.1 Модель Марковица 2.7.2 Модель АРМ Глава 3. Анализ модели САРМ на основе российского фондового рынка 3.1
Финансы Работа
User Qiwir : 26 октября 2013
10 руб.
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Ход выполнения работы В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User 4eJIuk : 11 апреля 2011
70 руб.
Специальные главы математического анализа. Контрольная работа №1. 3-й семестр. 1-й вариант
1. Исследовать сходимость числового ряда. 2. Найти интервал сходимости степенного ряда. 3. Вычислить определенный интеграл с точностью до 0.001, разложив подынтегральную функцию в степенной ряд и затем проинтегрировать его почленно. 4. Разложить данную функцию f(x) в ряд Фурье. 5. Найти общее решение дифференциального уравнения. 6. Найти частное решение дифференциального уравнения
Математический анализ ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User karapulka : 30 января 2016
30 руб.
up Наверх