Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (спец.главы). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант № 6. 2-й семестр.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2.Теоретическое введение.
3.Описание лабораторной установки.
Сила тока I = 7мА.
4.Экспериментальные результаты.
Выводы
5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список использованной литературы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2.Теоретическое введение.
3.Описание лабораторной установки.
Сила тока I = 7мА.
4.Экспериментальные результаты.
Выводы
5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список использованной литературы.
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.09.2014
Рецензия:Уважаемый, Ваша лабораторная работа № 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.09.2014
Рецензия:Уважаемый, Ваша лабораторная работа № 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Похожие материалы
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести фор
250 руб.
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
SemenovSam
: 3 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Другие работы
Проблема открытия и ведения валютных счетов резидентами
evelin
: 23 марта 2013
Введение
Важной сферой внешнеэкономических отношений являются кредитно-расчетные отношения, связанные с движением капитала из одной страны в другую, денежными расчетами за товары и услуги, а также с нетоварными операциями.
До недавнего времени все эти операции осуществлял Внешэкономбанк СССР, который поддерживал в этих целях широкие корреспондентские отношения с иностранными банками. На первое января 1987 года во всех частях света насчитывалось 1889 таких банков-корреспондентов. В результате лик
10 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 9 Вариант 1
Z24
: 26 октября 2025
В закрытом резервуаре (рис. 9) находится жидкость Ж под давлением. Для измерения уровня жидкости Ж в резервуаре выведен справа пьезометр. Левый пьезометр предназначен для измерения давления в резервуаре. Определить какую нужно назначить высоту z левого пьезометра, чтобы измерить максимальное манометрическое давление в резервуаре рм=600 кг/м² при показании правого пьезометра h.
150 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 338
Z24
: 4 октября 2025
Через пароперегреватель парового котла проходит 5000 кг пара в час. Степень сухости пара до пароперегревателя х=0,99, а давление р=10 МПа. Температура пара после пароперегревателя t=550 ºС.
Определить количество теплоты, воспринятой пароперегревателем, принимая его к.п.д. равным 0,984.
Ответ: Q=4,0 ГДж/ч.
130 руб.
Контрольная работа: ГЗЗ із транзисторами у ключовому режимі
alfFRED
: 15 сентября 2013
Генераторні транзистори в сучасних передавачах працюють, як правило, з повним використанням за потужністю, особливо у вихідних каскадах.
Вимога високої надійності роботи транзисторів у цих каскадах зводиться насамперед до вибору режимів, у яких струми і напруги свідомо нижче максимально допустимих, а потужності розсіювання мінімальні. Остання вимога – мінімізація потужності розсіювання на транзисторах головним чином відноситься до біополярних транзисторів (БТ), однак і для полярних транзисторі
5 руб.